Electrical properties of thermally oxidized p-GaN metal-oxide-semiconductor diodes

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 15, 2003, Pages 2443-2445

  Nakano, Yoshitaka ^a   Kachi, Tetsu ^a   Jimbo, Takashi ^b  

^a Rd Management Section   (Japan)

^b NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CAPACITANCE; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC POTENTIAL; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GALLIUM NITRIDE; INTERFACES (MATERIALS); ION IMPLANTATION; OXIDATION; SEMICONDUCTOR DIODES;

INTERFACE TRAP DENSITY;

MOS DEVICES;

EID: 0038326653     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1567811     Document Type: Article

References (26)

1. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 73, 3893 (1998).
2. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, W. Krishnamoorthy, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo Appl. Phys. Lett. 77, 3230 (2000).
3. H. Hong, K. A. Anselm, J. Kwo, H. M. Ng, J. N. Baillargeon, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, A. Y. Cho, C. M. Lee, J. I. Chyi, and T. S. Lay, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1453 (2000).
4. H. Kim, S. Park, and H. Hwang, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 579 (2001).
5. H. Kawai, M. Hara, F. Nakamura, and S. Imanaga, Electron. Lett. 34, 592 (1998).
6. H. C. Casey, Jr., G. G. Fountain, R. G. Alley, B. P. Keller, and S. P. Denbaars, Appl. Phys. Lett. 68, 1850 (1996).
7. P. Chen, W. Wang, S. J. Chua, and Y. D. Zheng, Appl. Phys. Lett. 79, 3530 (2001).
8. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998).
9. W. P. Li, R. Zhang, Y. G. Zhou, J. Yin, H. M. Bu, Z. Y. Luo, B. Shen, Y. Shi, R. L. Jiang, S. L. Gu, Z. G. Liu, Y. D. Zheng, and Z. C. Huang, Appl. Phys. Lett. 75, 2416 (1999).
10. L. W. Tu, P. H. Tsao, K. H. Lee, I. Lo, S. J. Bai, C. C. Wu, K. Y. Hsieh, and J. K. Sheu, Appl. Phys. Lett. 79, 4589 (2001).
11. T. Rotter, D. Mistele, J. Stemmer, F. Felder, J. Aderhold, J. Graul, V. Schwegler, C. Kirchner, M. Kamp, and M. Heuken, Appl. Phys. Lett. 76, 3923 (2000).
12. J. W. Seo, C. S. Oh, H. S. Jeong, J. W. Yang, K. Y. Lim, C. J. Yoon, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 1029 (2002).
13. Y. Nakano and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 80, 4756 (2002).
14. D. J. Fu, Y. H. Kwon, T. W. Kang, C. J. Park, K. H. Baek, H. Y. Cho, D. H. Shin, C. H. Lee, and K. S. Chung, Appl. Phys. Lett. 80, 446 (2002).
15. Y. Nakano and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 82, 218 (2003).
16. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 80, 4555 (2002).
17. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 81, 373 (2002).
18. Y. Naknao and T. Jimbo, J. Appl. Phys. 92, 3815 (2002).
19. Y. Naknao and T. Kachi, Appl. Phys. Lett. 79, 1468 (2001).
20. Y. Naknao and T. Kachi, J. Appl. Phys. 91, 884 (2002).
21. H. H. Tippins, Phys. Rev. 140, 316 (1965).
22. D. Seghier and H. P. Gislason, J. Appl. Phys. 88, 6483 (2000).
23. N. D. Nguyen, M. Germain, M. Schmeits, B. Schineller, and M. Hueken, J. Appl. Phys. 90, 985 (2001).
24. Y. Nakano and T. Kachi, Appl. Phys. Lett. 79, 1631 (2001).
25. Y. Nakano and T. Jimbo, J. Appl. Phys. 92, 5590 (2002).
26. Y. Nakano and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 81, 3990 (2002).