Effect of photoelectrochemical oxidation on properties of GaN epilayers grown by molecular beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 9, 2001, Pages 1309-1311

  Fu, D J ^a,b   Kang, T W ^b   Yuldashev, Sh U ^b   Kim, N H ^b   Park, S H ^b   Yun, J S ^b   Chung, K S ^c  

^a WUHAN UNIVERSITY   (China)

^b Dongguk University   (South Korea)

^c Kyung Hee University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0344322632     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1351516     Document Type: Article

References (19)

1. L. L. Smith, S. W. King, R. J. Nemanich, and R. F. Davis, J. Electron. Mater. 25, 805 (1996).
2. X. A. Cao, S. J. Pearton, G. Dang, A. P. Zhang, F. Ren, and J. M. Van Hove. Appl. Phys. Lett. 75, 4130 (1999).
3. C. Huh, S. W. Kim, H. S. Kim, I. H. Lee, and S. J. Park. J. Appl. Phys. 87. 4591 (2000).
4. S. D. Wolter, B. P. Luther, D. L. Waltemyer, C. Onneby, S. E. Mohney, and R. J. Molnar, Appl. Pliys. Lett. 70, 2156 (1997).
5. E. D. Readinger, S. D. Wolter, D. L. Waltemyer, J. M. DeLucca, S. E. Mohney, B. I. Prentitzer, L. A. Giannuzzi, and R. J. Molnar, J. Electron. Mater. 28, 257 (1999).
6. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, E. S. Lambers, and J. C. Zolper, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3523 (1996).
7. L. H. Peng, C. W. Chuang, J. K. Ho, C. N. Huung, and C. Y. Chen. Appl. Phys. Lett. 72, 939 (1998).
8. L. H. Peng, C. H. Liao, Y. C. Hsu, C. S. Jong, C. N. Huang, J. K. Ho, C. C. Chiu, and C. Y. Chen. Appl. Phys. Lett. 76, 511 (2000).
9. T. Rotter, D. Mistele, J. Stemmer, F. Fedler, J. Aderhold, J. Graul, V. Schwegler, C. Kirchner, M. Kamp, and M. Heuken. Appl. Phys. Lett. 76, 3923 (2000).
10. J. Kwo, D. W. Murphy, M. Hong, R. L. Opila, J. P. Mannaerts, A. M. Sergent, and R. L. Masaitis, Appl. Phys. Lett. 75, 1116 (1999).
11. X. C. Wang, S. J. Xu, S. J. Chua, K. Li, X. H. Zhang, Z. H. Zhang, K. B. Chong, and X. Zhang, Appl. Phys. Lett. 74, 818 (1999).
12. R. Khare, E. Lu, D. Reynolds, and S. Allen, Appl. Phys. Lett. 61, 2890 (1992).
13. T. W. Kang, Sh. U. Yuldashev, C. S. Park, C. S. Chi, S. H. Park, Y. S. Ryu, and T. W. Kim, Solid State Commun. 112, 637 (1999).
14. B. C. Chung and M. Gershenzon. J. Appl. Phys. 72, 651 (1992).
15. R. Niebuhr, K. H. Bachem, U. Kaufmann, M. Maier, C. Merz, B. Santic, P. Schlotter, and H. Jurgensen, J. Electron. Mater. 26, 1127 (1997).
16. A. Bell, I. Harrison, T. S. Cheng, D. Korakakis, C. T. Foxon, S. Novikov, B. Y. Ber. and Y. A. Kudriavlsev. Semicond. Sci. Technol. 15, 1 (2000).
17. S. Fischer, G. Steude, D. M. Hofmann, F. Kurth, F. Anders, M. Topf, B. K. Meyer, F. Bertram, M. Schmidt, J. Christen, J. Eckey, J. Holst, A. Hoffmann, B. Mensching, and B. Rauschenbach, J. Cryst. Growth 189/ 190, 556 (1998).
18. M. Kuball, F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, J. Massies, N. Grandjean, R. L. Aulombard, and O. Briot, Appl. Phys. Lett. 73, 960 (1998).
19. J. M. Hayes, M. Kuball, A. Bell, I. Harrison, D. Korakakis, and C. T. Foxon. Appl. Phys. Lett. 75, 2097 (1999).