Interface properties of thermally oxidized n-GaN metal-oxide-semiconductor capacitors

Applied Physics Letters

Volumn 82, Issue 2, 2003, Pages 218-220

  Nakano, Yoshitaka ^a   Jimbo, Takashi ^b  

^a Rd Management Section   (Japan)

^b NAGOYA INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FERMI LEVEL; GALLIUM NITRIDE; INTERFACES (MATERIALS); SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; THERMOOXIDATION;

OXYNITRIDE LAYERS;

MOS CAPACITORS;

EID: 0037434211     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1536029     Document Type: Article

References (20)

1. J. Han, A. G. Baca, R. J. Shul, C. G. Willison, L. Zhang, F. Ren, A. P. Zhang, G. T. Dang, S. M. Donovan, X. A. Cao, H. Cho, K. B. Jung, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 74, 2702 (1999).
2. M. Asif Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
3. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 73, 3893 (1998).
4. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, W. Krishnamoorthy, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, Appl. Phys. Lett. 77, 3230 (2000).
5. H. Hong, K. A. Anselm, J. Kwo, H. M. Ng, J. N. Baillargeon, A. R. Kortan, J. P. Mannaerts, A. Y. Cho, C. M. Lee, J. I. Chyi, and T. S. Lay, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1453 (2000).
6. H. Kim, S. Park, and H. Hwang, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 579 (2001).
7. H. Kawai, M. Hara, F. Nakamura, and S. Imanaga, Electron. Lett. 34, 592 (1998).
8. H. C. Casey, Jr, G. G. Fountain, R. G. Alley, B. P. Keller, and S. P. Denbaars, Appl. Phys. Lett. 68, 1850 (1996).
9. P. Chen, W. Wang, S. J. Chua, and Y. D. Zheng, Appl. Phys. Lett. 79, 3530 (2001).
10. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998).
11. W. P. Li, R. Zhang, Y. G. Zhou, J. Yin, H. M. Bu, Z. Y. Luo, B. Shen, Y. Shi, R. L. Jiang, S. L. Gu, Z. G. Liu, Y. D. Zheng, and Z. C. Huang, Appl. Phys. Lett. 75, 2416 (1999).
12. L. W. Tu, P. H. Tsao, K. H. Lee, I. Lo, S. J. Bai, C. C. Wu, K. Y. Hsieh, and J. K. Sheu, Appl. Phys. Lett. 79, 4589 (2001).
13. T. Rotter, D. Mistele, J. Stemmer, F. Felder, J. Aderhold, J. Graul, V. Schwegler, C. Kirchner, M. Kamp, and M. Heuken, Appl. Phys. Lett. 76, 3923 (2000).
14. J. W. Seo, C. S. Oh, H. S. Jeong, J. W. Yang, K. Y. Lim, C. J. Yoon, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 1029 (2002).
15. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 80, 4555 (2002).
16. Y. Nakano and T. Jimbo, Appl. Phys. Lett. 80, 4756 (2002).
17. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 81, 372 (2002).
18. H. H. Tippins, Phys. Rev. 140, 316 (1965).
19. L. G. Meiners, Appl. Phys. Lett. 33, 747 (1978).
20. Y. Mochizuki and M. Mizuta, Appl. Phys. Lett. 69, 3051 (1996).