Modeling of avalanche multiplication and noise in heterojunction avalanche photodiodes

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 11 I, 2004, Pages 6245-6251

  Groves, C ^a   David, J P R ^a   Rees, G J ^a   Ong, D S ^b  

^a UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

^b MULTIMEDIA UNIVERSITY   (Malaysia)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGE CARRIERS; COMPUTER SIMULATION; DIFFUSION; ELECTRIC FIELDS; ENERGY DISSIPATION; HETEROJUNCTIONS; IMPACT IONIZATION; KINETIC ENERGY; MATHEMATICAL MODELS; MONTE CARLO METHODS; NOISE ABATEMENT; PHONONS;

HOMOJUNCTION STRUCTURES; INJECTION CARRIERS; INJECTION ENERGY; IONIZATION COEFFICIENT;

AVALANCHE DIODES;

EID: 2942672694     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1719269     Document Type: Article

References (34)

1. D. C. Herbert, C. J. Williams, and M. Jaros, Electron. Lett. 32, 1616 (1996).
2. P. Yuan, S. Wang, X. G. Sun, A. L. Homes, and J. C. Campbell, IEEE Photonics Technol. Lett. 12, 1370 (2000).
3. S. Wang, R. Sidhu, X. G. Zheng, X. Li, X. Sun, A. L. Holmes, and J. C. Campbell, IEEE Photonics Technol. Lett. 13, 1346 (2001).
4. F. Ma, S. Wang, X. Li, K. A. Anselm, X. G. Zheng, A. L. Holmes, and J. C. Campbell, J. Appl. Phys. 92, 4791 (2002)
5. S. Wang, J. B. Hurst, F. Ma, X. Sun, X. G. Zheng, A. L. Holmes, A. Huntingdon, L. A. Coldren, and J. C. Campbell, IEEE Photonics Technol. Lett. 14, 1722 (2002).
6. S. Wang, F. Ma, X. Li, R. Sidhu, X. G. Zheng, X. Sun, A. L. Holmes, and J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron. 39, 375 (2003).
7. C. K. Chia, J. P. R. David, G. J. Rees, P. N. Robson, S. A. Plimmer, and R. Grey, Appl. Phys. Lett. 71, 3877 (1997).
8. C. K. Chia, J. P. R. David, G. J. Rees, S. A. Plimmer, R. Grey, and P. N. Robson, J. Appl. Phys. 84, 4363 (1998).
9. M. M. Hayat, O. H. Kwon, S. Wang, J. C. Campbell, B. E. A. Saleh, and M. C. Teich, IEEE Trans. Electron Devices 49, 2114 (2002).
10. R. J. McIntyre, IEEE Trans. Electron Devices 46, 1623 (1999).
11. O. H. Kwon, M. M. Hayat, S. Wang, J. C. Campbell, A. L. Holmes, Y. Pan, B. E. A. Saleh, and M. C. Teich, IEEE J. Quantum Electron. 39, 1287 (2003).
12. M. M. Hayat, B. A. E. Saleh, and M. C. Teich, IEEE Trans. Electron Devices 39, 546 (1992).
13. D. S. Ong, K. F. Li, G. J. Rees, J. P. R. David, and P. N. Robson, J. Appl. Phys. 83, 3426 (1998).
14. M. A. Saleh, M. M. Hayat, B. E. A. Saleh, and M. C. Teich, IEEE Trans. Electron Devices 47, 625 (2000).
15. P. Yuan, C. C. Hansing, K. A. Anselm, C. V. Lenox, H. Nie, A. L. Holmes, B. C. Streetman, and J. C. Campbell, IEEE Trans. Electron Devices 36, 198 (2000).
16. B. Jacob, P. N. Robson, J. P. R. David, and G. J. Rees, J. Appl. Phys. 90, 1314 (2001).
17. L. V. Keldysh, Sov. Phys. JETP 37, 509 (1960).
18. S. A. Plimmer, J. P. R. David, D. S. Ong, and K. F. Li, IEEE Trans. Electron Devices 46, 769 (1999).
19. C. H. Tan, R. Ghin, J. P. R. David, G. J. Rees, and M. Hopkinson, Semicond. Sci. Technol. 18, 803 (2003).
20. S. A. Plimmer, C. H. Tan, J. P. R. David, R. Grey, K. F. Li, and G. J. Rees, Appl. Phys. Lett. 75, 2963 (1999).
21. P. J. Hambleton, B. K. Ng, S. A. Plimmer, J. P. R. David, and G. J. Rees, IEEE Trans. Electron Devices 50, 347 (2003).
22. P. J. Hambleton, S. A. Plimmer, J. P. R. David, and G. J. Rees, IEE Proc.: Optoelectron. 150, 167 (2003).
23. C. Groves, J. P. R. David, and G. J. Rees, Semicond. Sci. Technol. 18, 689 (2003).
24. K. Czajkowski, J. Allam, and A. R. Adams, Electron. Lett. 26, 1311 (1990).
25. T. P. Pearsall, Appl. Phys. Lett. 73, 1227 (1998).
26. L. Pavesi and M. Guzzi, J. Appl. Phys. 75, 4779 (1994).
27. J. Allam, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 1529 (1997).
28. B. K. Ridley, J. Phys. C 16, 4733 (1983).
29. K. F. Li, D. S. Ong, J. P. R. David, G. J. Rees, R. C. Tozer, P. N. Robson, and R. Grey, IEEE Trans. Electron Devices 45, 2102 (1998).
30. C. H. Tan, J. P. R. David, S. A. Plimmer, G. J. Rees, R. C. Tozer, and R. Grey, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1310 (2001).
31. A. Spinelli and A. L. Lacaita, IEEE Trans. Electron Devices 43, 23 (1996).
32. D. S. Ong, J. P. R. David, and G. J. Rees, J. Appl. Phys. 93, 4232 (2003).
33. D. S. Ong, K. F. Li, S. A. Plimmer, G. J. Rees, J. P. R. David, and P. N. Robson, J. Appl. Phys. 87, 7885 (2000).
34. B. K. Ng, J. P. R. David, G. J. Rees, R. C. Tozer, M. Hopkinson, and A. J. Airey, IEEE Trans. Electron Devices 49, 2349 (2002).