Avalanche speed in thin avalanche photodiodes

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 7, 2003, Pages 4232-4239

  Ong, D S ^a   Rees, G J ^b   David, J P R ^b  

^a MULTIMEDIA UNIVERSITY   (Malaysia)

^b UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

IONIZATION; MATHEMATICAL MODELS; MONTE CARLO METHODS; PHOTODIODES; PROBABILITY DENSITY FUNCTION; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

AVALANCHE MULTIPLICATION;

AVALANCHE DIODES;

EID: 0037394445     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1557785     Document Type: Article

References (19)

1. P. Yuan, C. C. Hansing, K. A. Anselm, C. V. Lenox, H. Nie, A. L. Holmes, Jr., B. G. Streetman, and J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron. 36, 198 (2000).
2. K. F. Li, D. S. Ong, J. P. R. David, P. N. Robson, R. C. Tozer, G. J. Rees, and R. Grey, IEEE Trans. Electron Devices 45, 2102 (1998).
3. M. M. Hayat, B. E. A. Saleh, and M. C. Teich, IEEE Trans. Electron Devices 39, 546 (1992).
4. D. S. Ong, K. F. Li, G. J. Rees, J. P. R. David, and P. N. Robson, J. Appl. Phys. 83, 3426 (1998).
5. D. S. Ong, K. F. Li, S. A. Plimmer, G. J. Rees, J. P. R. David, and P. N. Robson, J. Appl. Phys. 87, 7885 (2000).
6. M. M. Hayat, B. E. A. Saleh, and J. A. Gubner, IEEE Trans. Commun. 43, 99 (1995).
7. J. S. Ng, C. H. Tan, B. K. Ng, P. J. Hambleton, J. P. R. David, G. J. Rees, A. H. You, and D. S. Ong, IEEE Trans. Electron Devices 49, 544 (2002).
8. M. M. Hayat, O Kwon, Y. Pan, P. Sotirelis, J. C. Campbell, B. E. A. Saleh, and M. C. Teich, IEEE Trans. Electron Devices 49, 770 (2002).
9. S. A. Plimmer, J. P. R. David, B. Jacob, and G. J. Rees, J. Appl. Phys. 89, 2742 (2001).
10. P. J. Hambleton, S. A. Plimmer, and G. J. Rees, Semicond. Sci. Technol. 17, 124 (2002).
11. P. J. Hambleton, S. A. Plimmer, J. P. R. David, and G. J. Rees, J. Appl. Phys. 91, 2107 (2002).
12. P. J. Hambleton, B. K. Ng, S. A. Plimmer, J. P. R. David, and G. J. Rees (unpublished).
13. T. J. Maloney, Jr. and Jeffrey Frey, J. Appl. Phys. 48, 781 (1977).
14. K. Berthold, A. F. J. Levi, J. Walker, and R. J. Malik, Appl. Phys. Lett. 54, 813 (1989).
15. K. Brennan and K. Hess, J. Appl. Phys. 55, 3632 (1984).
16. D. S. Ong, K. F. Li, G. J. Rees, G. M. Dunn, J. P. R. David, and P. N. Robson, IEEE Trans. Electron Devices 45, 1804 (1998).
17. C. H. Tan, J. P. R. David, G. J. Rees, R. C. Tozer, and D. C. Herbert, J. Appl. Phys. 90, 2538 (2001).
18. J. S. Marsland, Electron. Lett. 38, 55 (2002).
19. B. Jacob, P. N. Robson, J. P. R. David, and G. J. Rees, J. Appl. Phys. 91, 5438 (2002).