Impact ionization in AlxGa1-xAs/GaAs single heterostructures

Journal of Applied Physics

Volumn 84, Issue 8, 1998, Pages 4363-4369

  Chia, C K ^a   David, J P R ^a   Rees, G J ^a   Plimmer, S A ^a   Grey, R ^a   Robson, P N ^a  

^a UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001646296     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.368656     Document Type: Article

References (30)

1. R. Chin, N. Holonyak, G. E. Stillman, J. Y. Tang, and K. Hess, Electron. Lett. 16, 467 (1980).
2. R. J. McIntyre, IEEE Trans. Electron Devices ED-13, 164 (1966).
3. F. Capasso, W. T. Tsang, A. L. Hutchingson, and G. F. Williams, Appl. Phys. Lett. 40, 38 (1982).
4. T. Kagawa, H. Iwamura, and O. Mikami, Appl. Phys. Lett. 54, 33 (1989).
5. R. B. Franks, Solid-State Electron. 33, 1235 (1990).
6. N. Susa and H. Okamoto, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 23, 317 (1984).
7. F. Y. Juang, U. Das, Y. Nashimoto, and P. K. Bhattacharya, Appl. Phys. Lett. 47, 972 (1985).
8. P. F. Fewster, Semicond. Sci. Technol. 8, 1915 (1993).
9. E. M. Azoff, Ph.D. thesis, University of Sheffield (1986).
10. G. E. Stillman and C. M. Wolfe, in Semiconductors and Semimetals, edited by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, New York, 1977), Vol. 12.
11. B. Monemar, K. K. Shih, and G. D. Pettit, J. Appl. Phys. 47, 2604 (1976).
12. C. K. Chia, J. P. R. David, G. J. Rees, P. N. Robson, S. A. Plimmer, and R. Grey, Appl. Phys. Lett. 71, 3877 (1997).
13. S. A. Plimmer, J. P. R. David, D. C. Herbert, T.-W. Lee, G. J. Rees, P. A. Houston, R. Grey, P. N. Robson, A. W. Higgs, and D. R. Wight, IEEE Trans. Electron Devices 43, 1066 (1996).
14. S. A. Plimmer, J. P. R. David, G. J. Rees, R. Grey, D. C. Herbert, D. R. Wight, and A. W. Higgs, J. Appl. Phys. 3, 1231 (1997).
15. 1-xAs (x=0 to 0.60)," The Second International Conference on Low Dimension Structures & Devices (LDSD), Lisbon, Portugal, 19-21 May 1997.
16. S. A. Plimmer, J. P. R. David, and G. M. Dunn, IEEE Trans. Electron Devices 44, 659 (1997).
17. J. Bude and K. Hess, J. Appl. Phys. 72, 3554 (1992).
18. A. R. Beattie, Semicond. Sci. Technol. 3, 48 (1988).
19. J. Allam, A. R. Adams, M. A. Pate, and J. S. Roberts, Appl. Phys. Lett. 67, 3304 (1995).
20. J. Allam, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 1529 (1997).
21. I. H. Oguzman, Y. Wang, J. Kolnik, and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 77, 225 (1995).
22. L. Pavesi and M. Guzzi, J. Appl. Phys. 75, 4779 (1994).
23. B. K. Ridley, Solid State Phys. 16, 4733 (1983).
24. G. E. Bulman, V. M. Robbins, and G. E. Stillman, IEEE Trans. Electron Devices ED-32, 2454 (1985).
25. V. M. Robbins, S. C. Smith, and G. E. Stillman, Appl. Phys. Lett. 52, 296 (1988).
26. M. V. Fischetti, IEEE Trans. Electron Devices 38, 634 (1991).
27. K. F. Brennan, D. H. Park, K. Hess, and M. A. Littlejohn, J. Appl. Phys. 63, 5004 (1988).
28. K. Kim, K. Hess, and F. Capasso, Appl. Phys. Lett. 51, 508 (1987).
29. K. Brennan, T. Wang, and K. Hess, IEEE Electron Device Lett. EDL-6, 199 (1985).
30. S. Adachi, J. Appl. Phys. 58, R1 (1985).