Fabrication of freestanding GaN micromechanical structures on silicon-on-insulator substrates

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 8, Issue 10, 2005, Pages

  Shah, M A ^a   Vicknesh, S ^a   Wang, L S ^a   Arokiaraj, J ^a   Ramam, A ^a   Chua, S J ^a   Tripathy, S ^a  

^a INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; COMPOSITE MICROMECHANICS; METALLOGRAPHIC MICROSTRUCTURE; MICROELECTROMECHANICAL DEVICES; MICROMACHINING; PHOTOLUMINESCENCE; SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGY;

MICORMECHANICAL STRUCTURES; SILICON-ON-INSULATOR (SOI); SURFACE MICROMACHINING;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 25644451336     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2030450     Document Type: Article

References (41)

1. S. Nakamura, G. Fasol, and S. J. Pearton, The Blue Laser Diode: The Complete Story, 2nd ed., Springer-Verlag, New York (2000); And references therein.
2. T. Mukai and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 38, 5735 (1999).
3. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Appl. Phys. Lett., 67, 1868 (1995).
4. C. Pernot, A. Hirano, M. Iwaya, T. Detchprohm, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 39, L387 (2000).
5. R. Gaska, M. S. Shur, T. A. Fieldly, and A. D. Bykhovski, J. Appl. Phys., 85, 3009 (1999).
6. J. A. Bardwell, Y. Liu, H. Tang, J. B. Webb, S. J. Rolfe, and L. Lapointe, Electron. Lett., 39, 564 (2003).
7. S. Heikman, S. Keller, D. S. Green, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys., 94, 5321 (2003).
8. A. Jiménez, Z. Bougrioua, J. M. Tirado, A. F. Brana, E. Calleja, E. Munoz, and I. Moerman, Appl. Phys. Lett., 82, 4827 (2003).
9. (a) A. Watanabe, T. Takeuchi, K. Hirosawa, H. Amano, K. Hiramatsu, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth, 128, 391 (1993);
10. (b) A. Krost, A. Dadgar, J. Bläsing, A. Diez, T. Hempel, S. Petzold, J. Christen, and R. Clos, Appl. Phys. Lett., 85, 3441 (2004).
11. H. Ishikawa, G. Y. Zhao, N. Nakada, T. Egawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 38, L492 (1999).
12. (a) R. Armitage, Q. Yang, H. Feick, J. Gebauer, E. R. Weber, S. Shinkai, and K. Sasaki, Appl. Phys. Lett., 81, 1450 (2002);
13. (b) L. S. Wang, K. Y. Zang, S. Tripathy, and S. J. Chua, Appl. Phys. Lett., 85, 5881 (2004).
14. T. Lei, T. D. Moustakas, R. J. Graham, Y. He, and S. J. Berkowitz, Appl. Phys. Lett., 71, 4933 (1992).
15. S. C. Lee, X. Y. Sun, S. D. Hersee, and S. R. J. Brueck, J. Cryst. Growth, 272, 2 (2004).
16. D. Zubia, S. H. Zaidi, S. R. J. Brueck, and S. D. Hersee, Appl. Phys. Lett., 76, 858 (2000).
17. S. C. Lee, X. Y. Sun, S. D. Hersee, S. R. J. Brueck, and H. Xu, Appl. Phys. Lett., 84, 2079 (2004).
18. J. Cao, D. Pavlidis, A. Eisenbach, A. Philippe, C. Bru-Chevallier, and G. Guillot, Appl. Phys. Lett., 71, 3880 (1997).
19. J. Cao, D. Pavlidis, Y. Park, J. Singh, and A. Eisenbach, J. Appl. Phys., 83, 3829 (1998).
20. Z. Yang, F. Guarin, I. W. Tao, W. I. Wang, and S. S. Iyer, J. Vac. Sci. Technol. B, 13, 789 (1995).
21. S. Q. Zhou, A. Vantomme, B. S. Zhang, H. Yang, and M. F. Yu, Appl. Phys. Lett., 86, 081912 (2005).
22. M. Bruel, Electron. Lett., 31, 1201 (1995).
23. M. Bruel, B. Aspar, and A. J. Auberton-Hervé, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 36, 1636 (1997).
24. O. W. Holland, D. Fathy, and D. K. Sadana, Appl. Phys. Lett., 69, 674 (1996).
25. (a) A. R. Stonas, P. Kozodoy, H. Marchand, P. Fini, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and E. L. Hu, Appl. Phys. Lett., 77, 2610 (2000);
26. (b) A. R. Stonas, N. C. MacDonald, K. L. Turner, S. P. Den Baars, and E. L. Hu, J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 2838 (2001).
27. R. P. Strittmatter, R. A. Beach, and T. C. McGill, Appl. Phys. Lett., 78, 3226 (2001).
28. (a) S. Davies, T. S. Huang, M. H. Gass, A. J. Papworth, T. B. Joyce, and P. R. Chaker, Appl. Phys. Lett., 84, 2566 (2004);
29. (b) S. Davies, T. S. Huang, R. T. Murray, M. H. Gass, A. J. Papworth, T. B. Joyce, and P. R. Chaker, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 15, 705 (2004).
30. D. G. Zhao, S. J. Xu, M. H. Xie, S. Y. Tong, and H. Yang, Appl. Phys. Lett., 83, 677 (2003).
31. A. J. Steckl, J. Devrajan, C. Tran, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett., 69, 2264 (1996).
32. F. Letertre, J. Brault, I. Matko, F. Enjalbert, E. Bellet-Amalric, G. Feuillet, C. Richtarch, B. Faure, L. DiCioccio, R. Madar, B. Daudin, and E. Monroy, Phys. Status Solidi C, 0, 2103 (2003).
33. S. Tripathy, S. J. Chua, P. Chen, and Z. L. Miao, J. Appl. Phys., 92, 3503 (2002).
34. (a) C. H. Mastrangelo and C. H. Hsu, J. Microelectromech. Syst., 2, 33 (1993);
35. (b) C. H. Mastrangelo and C. H. Hsu, J. Microelectromech. Syst., 2, 44 (1993).
36. H. Guckel, J. J. Sniegowski, T. R. Christenson, S. Mohney, and T. F. Kelly, Sens. Actuators, 20, 117 (1989).
37. G. T. Mulhern, D. S. Soane, and R. S. Howe, in Proceedings of Transducers '93, p. 296 (1993).
38. D. Kobayashi, C. J. Kim, and H. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 32, L1642 (1993).
39. V. T. Srikar, A. K. Swan, M. S. Ünlü, B. B. Goldberg, and S. M. Spearing, J. Microelectromech. Syst., 12, 779 (2003).
40. H. J. Cho, K. W. Oh, C. H. Ahn, P. Boolchand, and T. C. Nam, IEEE Trans. Magn., 37, 2749 (2001).
41. L. A. Starman, J. A. Lott, M. S. Amer, W. D. Cowan, and J. S. Busbee, Sens. Actuators, A, 104, 107 (2003).