Micro-Raman investigation of strain in GaN and AlxGa 1-xN/GaN heterostructures grown on Si(111)

Journal of Applied Physics

Volumn 92, Issue 7, 2002, Pages 3503-3510

  Tripathy, S ^a   Chua, S J ^a   Chen, P ^a   Miao, Z L ^a  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALGAN; ALGAN LAYERS; COMPRESSIVE STRAIN; CRACK DENSITY; CRACK FREE; ELASTIC PROPERTIES; GAN LAYERS; LONG-PERIOD SUPERLATTICES; LOW TEMPERATURES; MICRO RAMAN SPECTROSCOPY; MICRO-RAMAN ANALYSIS; MICRO-RAMAN INVESTIGATIONS; RED SHIFT; RESIDUAL TENSILE STRESS; SI (1 1 1); VIBRATIONAL PROPERTIES;

ALUMINUM; CRACKS; MAPPING; MAPS; RAMAN SPECTROSCOPY; SILICON;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 18644386379     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1502921     Document Type: Article

References (37)

1. F. Semond, B. Damilano, S. Vézian, N. Grandjean, M. Leroux, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 75, 82 (1999); apl APPLAB 0003-6951
2. F. Semond, P. Lorenzini, N. Grandjean, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 78, 335 (2001); apl APPLAB 0003-6951
3. B. Damilano, N. Grandjean, F. Semond, J. Massies, and M. Leroux, Appl. Phys. Lett. 75, 962 (1999). apl APPLAB 0003-6951
4. S. Guha and N. A. Bojarczuk, Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998). apl APPLAB 0003-6951
5. J. W. Yang, A. Lunev, G. Simin, A. Chitnis, M. Shatalov, M. Asif Khan, J. E. Van Nostrand, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett. 76, 273 (2000). apl APPLAB 0003-6951
6. H. Marchand, L. Zhao, N. Zhang, B. Moran, R. Coffie, U. K. Mishra, J. S. Speck, S. P. Denbaars, and J. A. Freitas, J. Appl. Phys. 89, 7846 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
7. H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett. 15, 327 (1969). apl APPLAB 0003-6951
8. Y. Okada and Y. Tokumaru, J. Appl. Phys. 56, 314 (1984). jap JAPIAU 0021-8979
9. S. Strite and H. Morkoç, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992). jvb JVTBD9 0734-211X
10. X. Zhang, S. J. Chua, P. Li, K. B. Chong, and Z. C. Feng, Appl. Phys. Lett. 74, 1984 (1999). apl APPLAB 0003-6951
11. M. Seon, T. Prokofyeva, M. Holtz, S. A. Nikishin, N. N. Faleev, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 76, 1842 (2000). apl APPLAB 0003-6951
12. E. Feltin, B. Beaumont, M. Laüght, P. de Mierry, P. Vennégués, H. Lahréche, M. Leroux, and P. Gibart, Appl. Phys. Lett. 79, 3230 (2001). apl APPLAB 0003-6951
13. S. Zamir, B. Meyler, and J. Salzman, Appl. Phys. Lett. 78, 288 (2001); apl APPLAB 0003-6951
14. S. Zamir, B. Meyler, J. Salzman, F. Wu, and Y. Golan, J. Appl. Phys. 91, 1191 (2002). jap JAPIAU 0021-8979
15. S. A. Nikishin et al., Appl. Phys. Lett. 75, 2073 (1999). apl APPLAB 0003-6951
16. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, H. Nagase, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 77, 4389 (1995). jap JAPIAU 0021-8979
17. W. Rieger, T. Metzger, H. Angerer, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Appl. Phys. Lett. 68, 970 (1996). apl APPLAB 0003-6951
18. F. Demangeot, J. Frandon, M. Renucci, O. Briot, B. Gil, and R. Aulombard, Solid State Commun. 100, 267 (1996). ssc SSCOA4 0038-1098
19. S. Tripathy, R. K. Soni, H. Asahi, K. Iwata, R. Kuroiwa, K. Asami, and S. Gonda, J. Appl. Phys. 85, 8386 (1999). jap JAPIAU 0021-8979
20. V. Y. Davydov, N. S. Averkiev, I. N. Goncharuk, D. K. Nelson, I. P. Nikitina, A. S. Polkovnikov, A. N. Smirnov, M. A. Jacobson, and O. K. Semchinova, J. Appl. Phys. 82, 5097 (1997). jap JAPIAU 0021-8979
21. J. Sánchez-Páramo, J. M. Calleja, M. A. Sánchez-García, and E. Calleja, Appl. Phys. Lett. 78, 4124 (2001). apl APPLAB 0003-6951
22. J. Gleize, F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, M. Kuball, F. Semond, and J. Massies, Phys. Status Solidi A 188, 511 (2001). psa PSSABA 0031-8965
23. J. H. Selverian and D. O'Neil, Thin Solid Films 235, 120 (1993). tsf THSFAP 0040-6090
24. A. Polian, M. Grimsditch, and I. Grzegory, J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996). jap JAPIAU 0021-8979
25. S. Timoshenko, J. Opt. Soc. Am. 11, 233 (1925). jox JOSAAH 0030-3941
26. S. Einfeldt, V. Kirchner, H. Heinke, M. Dießelberg, S. Figge, K. Vogeler, and D. Hommel, J. Appl. Phys. 88, 7029 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
27. C. J. Smithells, Smithells Metals Reference Book, 7th ed. (Butterworth-Hememann, Oxford, 1992), Chap. 15, p. 3.
28. A. F. Wright, J. Appl. Phys. 82, 2833 (1997). jap JAPIAU 0021-8979
29. C. Kisielowski et al., Phys. Rev. B 54, 17745 (1996). prb PRBMDO 0163-1829
30. T. Prokofyeva, M. Seon, J. Vanbuskirk, M. Holtz, S. A. Nikishin, N. N. Faleev, H. Temkin, and S. Zollner, Phys. Rev. B 63, 125313 (2001). prb PRBMDO 0163-1829
31. M. Holtz, T. Prokofyeva, M. Seon, K. Copeland, J. Vanbuskirk, S. Williams, S. A. Nikishin, V. Tretyakov, and H. Temkin, J. Appl. Phys. 89, 7977 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
32. M. S. Liu, L. A. Bursill, and S. Prawer, J. Appl. Phys. 90, 1761 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
33. P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995). apl APPLAB 0003-6951
34. G. Steude, B. K. Meyer, A. Göldner, A. Hoffmann, A. Kaschner, F. Bechstedt, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L498 (1999). jjc JAPLD8 0021-4922
35. G. Martínez-Criado, A. Cros, A. Cantarero, O. Ambacher, C. R. Miskys, R. Dimitrov, M. Stutzmann, J. Smart, and J. R. Shealy, J. Appl. Phys. 90, 4735 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
36. S. Einfeldt, H. Heinke, V. Kirchner, and D. Hommel, J. Appl. Phys. 89, 2160 (2001). jap JAPIAU 0021-8979
37. S. J. Hearne, J. Han, S. R. Lee, J. A. Floro, D. M. Follstaedt, E. Chason, and I. S. T. Tsong, Appl. Phys. Lett. 76, 1534 (2000). apl APPLAB 0003-6951