Nanoheteroepitaxial growth of GaN on Si by organometallic vapor phase epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 7, 2000, Pages 858-860

  Zubia, D ^a   Zaidi, S H ^a   Brueck, S R J ^a   Hersee, S D ^a  

^a University of New Mexico   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001057273     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.125608     Document Type: Article

References (9)

1. D. Zubia and S. D. Hersee, J. Appl. Phys. 85, 6492 (1999).
2. S. Nakamura, J. Cryst. Growth 195, 242 (1998).
3. T. S. Zheleva, S. A. Smith, D. B. Thomson, T. Gehrke, K. J. Linthicum, P. Rajagopal, E. Carlson, W. M. Ashmawi, and R. F. Davis, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1,. G3.38 (1999).
4. J. P. Hirth and A. G. Evans, J. Appl. Phys. 60, 2372 (1986); Y. H. Lo, Appl. Phys. Lett. 59, 2311 (1991).
5. J. P. Hirth and A. G. Evans, J. Appl. Phys. 60, 2372 (1986); Y. H. Lo, Appl. Phys. Lett. 59, 2311 (1991).
6. S. H. Zaidi, A. S. Chu, and S. R. J. Brueck, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 358, 937 (1995).
7. S. H. Zaidi, A. S. Chu, and S. R. J. Brueck, J. Appl. Phys. 80, 6997 (1996).
8. S. D. Hersee, J. Ramer, K. Zheng, C. F. Kranenberg, K. Malloy, M. Banas, and M. Goorsky, J. Electron. Mater. 24, 1519 (1995).
9. A. Goldstein, Handbook of Nanophase Materials (Marcel Dekker, New York, 1997), pp. 3 and 4.