Field emission properties of GaN films on Si(111)

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 13, 1998, Pages 1808-1810

  Berishev, I ^a   Bensaoula, A ^a   Rusakova, I ^a   Karabutov, A ^b   Ugarov, M ^b   Ageev, V P ^b  

^a UNIVERSITY OF HOUSTON   (United States)

^b PROKHOROV GENERAL PHYSICS INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001134509     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122289     Document Type: Article

References (11)

1. J. L. Shaw, H. F. Gray, K. L. Jensen, and J. M. Jung, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2072 (1996).
2. R. Underwood, S. Keller, U. K. Mishra, D. Kapolnek, B. P. Keller, and S. P. DenBaars, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 822 (1998).
3. T. Kozawa, M. Suzuki, Y. Taga, Y. Gotoh, and J. Ishikwa, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 833 (1998).
4. M. W. Geis, J. C. Twichell, N. N. Efremow, K. Krohn, and T. M. Lyszczarz, Appl. Phys. Lett. 68, 2294 (1996).
5. A. T. Sowers, J. A. Christman, M. D. Bremser, B. L. Ward, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, Appl. Phys. Lett. 71, 2289 (1997).
6. S. N. Basu, T. Lei, and T. D. Moustakas, J. Mater. Res. 9, 2370 (1994).
7. J. W. Yang, C. J. Sun, Q. Chen, M. Z. Anwar, M. Asif Khan, S. A. Nikishin, G. A. Seryogin, A. V. Osinsky, L. Chernyak, H. Temkin, C. Hu, and S. Mahajan, Appl. Phys. Lett. 69, 3566 (1996).
8. I. Berishev, E. Kim, and A. Bensaoula, J. Vac. Sci. Technol. A (to be published).
9. K. C. Zeng, J. Y. Lin, H. X. Jiang, A. Salvador, G. Popovici, H. Tang, W. Kim, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 71, 1368 (1997).
10. S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 31, 2883 (1992).
11. X. Zhag, P. Kung, D. Walker, A. Saxler, and M. Razeghi, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 395, 625 (1996).