High-density plasma etching of compound semiconductors

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 15, Issue 3, 1997, Pages 633-637

  Shul, R J ^a   McClellan, G B ^a   Briggs, R D ^a   Rieger, D J ^a   Pearton, S J ^b   Abernathy, C R ^b   Lee, J W ^b   Constantine, C ^c   Barratt, C ^c  

^a SANDIA NATIONAL LABORATORIES   (United States)

^b J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

^c Qualtx Technology Inc   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0004740138     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.580696     Document Type: Article

References (18)

1. C. Constantine, D. Johnson, C. Barratt, R. J. Shul, G. B. McClellan, R. D. Briggs, D. J. Rieger, R. F. Karlicek, Jr., J. W. Lee, and S. J. Pearton, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 421, 431 (1996).
2. R. J. Shul, A. G. Baca, R. D. Briggs, G. B. McClellan, S. J. Pearton, and C. Constantine, Electrochem. Soc. Proc. 96-15, 84 (1996).
3. R. Cheung, Y. H. Lee, K. Y. Lee, T. P. Smith III, D. P. Kein, S. P. Beaumont, and C. D. W. Wilkinson, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 1462 (1989).
4. S. W. Pang, J. Electrochem. Soc. 133, 784 (1986).
5. S. J. Pearton, F. Ren, A. Katz, J. R. Lothian, T. R. Fullowan, and B. Tseng, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 152 (1993).
6. E. L. Hu and R. E. Howard, Appl. Phys. Lett. 37, 1022 (1980).
7. J. Werking, J. Schramm, C. Nguyen, E. L. Hu, and H. Kroemer, Appl. Phys. Lett. 58, 2003 (1991).
8. R. J. Shul, A. J. Howard, C. B. Vartuli, P. A. Barnes, and S. Weng. J. Vac. Sci. Technol. A 14, 1102 (1996).
9. S. J. Pearton, U. K. Chakrabarti, A. P. Perley, and W. S. Hobson, J. Electrochem. Soc. 138, 1432 (1991).
10. V. J. Law, M. Tewordt, S. G. Ingram, and G. A. C. Jones, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1449 (1991).
11. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 64, 2294 (1994).
12. C. Constantine, C. Barratt, S. J. Pearton, F. Ren. and J. R. Lothian, Appl. Phys. Lett. 61, 2899 (1992).
13. C. Constantine, C. Barratt, S. J. Pearton, F. Ren, and J. R. Lothian, Electron. Lett. 28, 1749 (1992).
14. S. Thomas III, K. K Ko, and S. W Pang, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 894 (1995).
15. J. W. Lee, J. Hong, and S. J. Pearton. Appl. Phys. Lett. 68, 847 (1996).
16. F. Ren, J. R. Lothian, J. M. Kuo, W. S. Hobson, J. Lopata, J. A. Caballero, S. J. Pearton, and M. W. Cole, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1 (1995).
17. F. Ren, W. S. Hobson, J. R. Lothian, J. Lopata, J. A. Caballero, S. J. Pearton, and M. W. Cole, Appl. Phys. Lett. 67, 2497 (1995).
18. R. J. Shul, A. G. Baca, D. J. Rieger, H. Hou, S. J. Pearton, and F. Ren, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 421, 245 (1996).