Selective growth of high quality GaN on Si(111) substrates

Applied Physics Letters

Volumn 76, Issue 14, 2000, Pages 1842-1844

  Seon, M ^a   Prokofyeva, T ^a   Holtz, M ^a   Nikishin, S A ^b   Faleev, N N ^b   Temkin, H ^b  

^a TEXAS TECH UNIVERSITY   (United States)

^b Department of Electrical and Computer Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000631636     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.126186     Document Type: Article

References (26)

1. S. Nakamura, in Semiconductors and Semimetals. Vol. 50, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, San Diego, 1998), p. 431.
2. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren. J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
3. K. S. Stevens, M. Kinniburgh, and R. Beresford. Appl. Phys. Lett. 66, 3518 (1995).
4. S. Guha and N. A. Bojarezuk, Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998).
5. D. Kuksenkov, H. Temkin, R. Gaska, and J. W. Yang. IEEE Electron Device Lett. 19, 222 (1998).
6. H. Marchand, N. Zhang, L. Zhao, Y. Golan, S. J. Rosner, G. Girolami, P. T. Fini, J. P. Ibbetson, S. Keller, S. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra. MRS Internet J. Nitride Semecond. Res. 4, 2 (1999) and references therein.
7. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, V. G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Peralta, G. A. Seryogin, H. Temkin, T. I. Prokofyeva, M. Holtz, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 75, 2073 (1999).
8. V. G. Antipov, S. A. Nikishin, and D. V. Sinyavskii. Tech. Phys. Lett. 17, 45 (1991).
9. E. Calleja, M. A. Sánchez-García, F. J. Sánchez, F. Calle, F. B. Naranjo, E. Muñoz, S. I. Molina, A. M. Sánchez, F. J. Pacheco, and R. García, J. Cryst. Growth 201/202, 296 (1999).
10. S. A. Nikishin and H. Temkin (unpublished).
11. S. A. Nikishin, V. G. Antipov, S. Francoeur, N. N. Faleev, G. A. Seryogin, V. A. Elyukhin, H. Temkin, T. I. Prokofyeva, M. Holtz, A. Konkar, and S. Zollner, Appl. Phys. Lett. 75, 484 (1999).
12. X. Zhang, S.-J. Chua, P. Li, K.-B. Chong, and Z.-C. Feng. Appl. Phys. Lett. 74, 1984 (1999).
13. S. Takagi, Acta Crytallogr. 15, 1311 (1962).
14. N. Grandjean, J. Massies, P. Vennéguès, M. Leroux, F. Demangeot, M. Renucci, and J. Frandon. J. Appl. Phys. 83, 1379 (1998).
15. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, Y. Taga, M. Hashimoto, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 75, 1098 (1994).
16. P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J. C. Chervin, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995).
17. T. Prokofyeva and V. Veena (unpublished).
18. H. Harima, K. Sakashita, and S. Nakashima, Mater. Sci. Forum 264-268, 1363 (1998).
19. A. Kaschner, A. Hoffmann, C. Thomsen, F. Bertram, T. Riemann, J. Christen, K. Hiramatsu, T. Shibata, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 74, 3320 (1999).
20. We also observe increased free-carrier concentration in the GaN deposited on the oxide mask region.
21. M. Holtz, M. Seon, T. Prokofyeva, H. Temkin, R. Singh, F. P. Dablowski, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 75, 1757 (1999).
22. M. A. Sánchez-García, E. Calleja, F. J. Sánchez, F. Calle, E. Monroy, D. Basak, E. Muñoz, C. Villar, A. Sanz-Hervas, M. Aguilar, J. J. Serrano, and J. M. Blanco, J. Electron. Mater. 27, 276 (1998).
23. C. Kisielowski, J. Krüger, S. Ruminov, T. Suski, J. W. Ager III, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E. R. Weber, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. B 54, 17 745 (1996).
24. I. Lee, I. Choi, C. Lee, E. Shin, D. Kim, S. Noh, S. Son, K. Lim, and H. Lee, J. Appl. Phys. 83, 5787 (1998).
25. J. Wang, R. S. Qhalid Farced, M. Hao, S. Mahanty, S. Tottori, Y. Ishikawa, T. Sugahara, Y. Morishima, K. Nishino, M. Osinski, and S. Sakai, J. Appl. Phys. 85, 1895 (1999).
26. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, H. Nagase, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 77, 4389 (1995).