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Volumn 38, Issue 4 B, 1999, Pages 2646-2651

Reactive ion etching of GaN and AlxGa1-xN using Cl2/CH4/Ar plasma

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AlGaN; CH4; Dry etching; GaN; Reactive ion plasma

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EID: 0343747098     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.38.2646     Document Type: Article
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References (14)


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.