Exploiting memristive BiFeO3 bilayer structures for compact sequential logics

Advanced Functional Materials

Volumn 24, Issue 22, 2014, Pages 3357-3365

  You, Tiangui ^a   Shuai, Yao ^b   Luo, Wenbo ^b   Du, Nan ^a   Bürger, Danilo ^a,c   Skorupa, Ilona ^a,c   Hübner, René ^c   Henker, Stephan ^d   Mayr, Christian ^d   Schüffny, René ^d   Mikolajick, Thomas ^e   Schmidt, Oliver G ^a,f   Schmidt, Heidemarie ^a  

^a CHEMNITZ UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

^b UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE AND TECHNOLOGY OF CHINA   (China)

^c INSTITUTE OF ION BEAM PHYSICS AND MATERIALS RESEARCH   (Germany)

^d DRESDEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

^e NAMLAB GGMBH   (Germany)

^f IFW DRESDEN   (Germany)

Author keywords

Boolean logic functions; memristor; reconfigurable nonvolatile logics; resistive switching

Indexed keywords

BOOLEAN FUNCTIONS;

BOOLEAN LOGIC FUNCTIONS; MEMRISTOR; NON-VOLATILE; RESISTIVE SWITCHING;

SWITCHING SYSTEMS;

EID: 84902169423     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201303365     Document Type: Article

References (41)

1. E. M. Vogel, Nat. Nanotechnol. 2007, 2, 25.
2. M. Tanaka, S. Sugahara, IEEE Trans. Electron Devices 2007, 54, 961.
3. Q. Xia, W. Robinett, M. W. Cumbie, N. Banerjee, T. J. Cardinali, J. J. Yang, W. Wu, X. Li, W. M. Tong, D. B. Strukov, G. S. Snider, G. Medeiros-Ribeiro, R. S. Williams, Nano Lett. 2009, 9, 3640.
4. J. J. Yang, J. Borghetti, D. Murphy, D. Stewart, R. S. Williams, Adv. Mater. 2009, 21, 3754.
5. T. N. Theis, P. M. Solomon, Science 2010, 327, 1600.
6. P. J. Kuekes, D. R. Stewart, R. S. Williams, J. Appl. Phys. 2005, 97, 034301.
7. J. Borghetti, G. S. Snider, P. J. Kuekes, J. J. Yang, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nature 2010, 464, 873.
8. L. O. Chua, IEEE Trans. Circuit Theory 1971, 18, 507.
9. D. B. Strukov, G. S. Snider, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nature 2008, 453, 80.
10. J. J. Yang, M. D. Pickett, X. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, R. S. Williams, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 429.
11. C. D. Wright, P. Hosseini, J. A. V. Diosdado, Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 2248.
12. E. Lehtonen, J. H. Poikonen, M. Laiho, Electron. Lett. 2010, 46, 239.
13. S. Yu, J. Liang, Y. Wu, H. P. Wong, Nanotechnology 2010, 21, 465202.
14. S. C. Puthentheradam, D. K. Schroder, M. N. Kozicki, Appl. Phys. A 2011, 102, 817.
15. Y. Chai, Y. Wu, K. Takei, H. Y. Chen, S. Yu, P. C. H. Chan, A. Javey, H. S. P. Wong, IEEE Trans. Electron Devices 2011, 58, 3933.
16. X. Liu, S. M. Sadaf, M. Son, J. Shin, J. Park, J. Lee, S. Park, H. Hwang, Nanotechnology 2011, 22, 475702.
17. R. S. Shenoy, K. Gopalakrishnan, B. Jackson, V. Kirwani, G. W. Burr, C. T. Rettner, A. Padilla, D. S. Bethune, R. M. Shelby, A. J. Kellock, M. Breitwisch, E. A. Joseph, R. Dasaka, R. S. King, K. Nguyen, A. N. Bowers, M. Jurich, A. M. Friz, T. Topuria, P. M. Rice, B. N. Kurdi, 2011 IEEE Symp. VLSI Technology, Tech. Dig. 2011, 94.
18. S. Tappertzhofen, E. Linn, L. Nielen, R. Rosezin, F. Lentz, R. Bruchhaus, I. Valov, U. Böttger, R. Waser, Nanotechnology 2011, 22, 395203.
19. M. J. Lee, C. B. Lee, D. Lee, S. R. Lee, M. Chang, J. H. Hur, Y. B. Kim, C. J. Kim, D. H. Seo, S. Seo, U. I. Chung, I. K. Yoo, K. Kim, Nat. Mater. 2011, 10, 625.
20. O. Kavehei, S. Al-Sarawi, K. R. Cho, K. Eshraghian, D. Abbott, IEEE Trans. Nanotechnol. 2012, 11, 374-385.
21. E. Linn, R. Rosezin, S. Tappertzhofen, U. Böttger, R. Waser, Nanotechnology 2012, 23, 305205.
22. Y. Shuai, X. Ou, W. Luo, A. Mücklich, D. Bürger, S. Zhou, C. Wu, Y. Chen, W. Zhang, M. Helm, T. Mikolajick, O. G. Schmidt, H. Schmidt, Sci. Rep. 2013, 3, 2208.
23. M. A. Neto, Q. Fan, E. Rereira, Diamond Related Mater. 2001, 10, 316.
24. G. Bersuker, P. Zeitzoff, G. Brown, H. R. Huff, Mater. Today 2004, 7, 26.
25. S. Balatti, S. Larentis, D. C. Gilmer, D. Lelmini, Adv. Mater. 2013, 25, 1474.
26. I. G. Baek, M. S. Lee, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D.-S. Suh, J. C. Park, H. S. Kim, I. K. Yoo, U-In Chung, J. T. Moon, IEDM Tech. Dig. 2004, 587.
27. H. Sim, H. Choi, D. Lee, M. Chang, D. Choi, Y. Son, E.-H. Lee, W. Kim, Y. Park, I.-K. Yoo, H. Hwang, IEDM Tech. Dig. 2005, 758.
28. R. Meyer, L. Schloss, J. Brewer, R. Lambertson, W. Kinney, J. Sanchez, D. Rinerson, in Proc. Non-Volatile Memory Technol. Symp. 2008, 1.
29. C. Wang, K. Jin, Z. Xu, L. Wang, C. Ge, H. Lu, H. Guo, M. He, G. Yang, Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 192901.
30. A. Q. Jiang, C. Wang, K. J. Jin, X. B. Liu, J. F. Scott, C. S. Hwang, T. A. Tang, H. B. Lu, G. Z. Yang, Adv. Mater. 2011, 23, 1277.
31. J. Blanc, D. L. Staebler, Phys. Rev. B 1971, 4, 3548.
32. D. B. Strukov, R. S. Williams, App. Phys. A 2009, 94, 515.
33. X. Y. Chen, T. Yu, F. Gao, H. T. Zhang, L. F. Liu, Y. M. Wang, Z. S. Li, Z. G. Zou, J. M. Liu, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 022114.
34. C. Ge, K. J. Jin, C. Wang, H. B. Lu, C. Wang, G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 063509.
35. N. M. Murari, R. Thomas, R. E. Melgarejo, S. P. Pavunny, R. S. Katiyar, J. Appl. Phys. 2009, 106, 014103.
36. Y. H. Gu, Y. Wang, F. Chen, H. L. W. Chan, W. P. Chen, J. Appl. Phys. 2010, 108, 094112.
37. Y. Shuai, S. Zhou, D. Bürger, M. Helm, H. Schmidt, J. Appl. Phys. 2011, 109, 124117.
38. Y. Shuai, N. Du, X. Ou, W. Luo, S. Zhou, O. G. Schmidt, H. Schmidt, Phys. Status Solidi C 2013, 10, 636.
39. Y. Shuai, X. Ou, W. Luo, N. Du, C. Wu, W. Zhang, D. Bürger, C. Mayr, R. Schüffny, S. Zhou, M. Helm, H. Schmidt, IEEE Electron Device Lett. 2013, 34, 54.
40. X. Ou, Y. Shuai, W. Luo, P. F. Siles, R. Kögler, J. Fiedler, H. Reuther, S. Zhou, R. Hübner, S. Facsko, M. Helm, T. Mikolajick, O. G. Schmidt, H. Schmidt, App. Mater. Interfaces DOI: 10.1021/am404144c.
41. K. -T Cheng, D. B. Strukov, ACM Int. Symp. Phys. Design 2012, 33.