Non-volatile ferroelectric memory with position-addressable polymer semiconducting nanowire

Small

Volumn 10, Issue 10, 2014, Pages 1976-1984

  Hwang, Sun Kak ^a   Min, Sung Yong ^b   Bae, Insung ^a   Cho, Suk Man ^a   Kim, Kang Lib ^a   Lee, Tae Woo ^b   Park, Cheolmin ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

Author keywords

electrohydrodynamic nanowire printing; ferroelectric polymer; field effect transistor memory; flexible memory; organic memory; polymer nanowire; semiconducting nanofiber

Indexed keywords

ELECTROHYDRODYNAMICS; ELECTRON DEVICES; FERROELECTRICITY; FIELD EFFECT TRANSISTORS; NANOWIRES; PRINTING;

FERROELECTRIC POLYMERS; FLEXIBLE MEMORY; NANOELECTRONIC DEVICES; NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORY; ORGANIC MEMORY; POLYMER NANOWIRES; SEMICONDUCTING NANOWIRES; SOURCE AND DRAIN ELECTRODES;

POLYMERS;

EID: 84901278317     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.201303814     Document Type: Article

References (50)

1. Y. J. Park, I. Bae, S. J. Kang, J. Chang, C. Park, IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 2010, 17, 1135.
2. S. J. Kang, Y. J. Park, I. Bae, K. J. Kim, H.-C. Kim, S. Bauer, E. L. Thomas, C. Park, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 2812.
3. R. C. G. Naber, C. Tanase, P. W. M. Bloom, G. H. Gelinck, A. W. Marsman, F. J. Touwslager, S. Setayesh, D. M. De Leeuw, Nat. Mater. 2005, 4, 243.
4. R. C. G. Naber, M. Mulder, B. de Boer, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, Org. Electron. 2006, 7, 132.
5. R. C. G. Naber, B. de Boer, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 203509.
6. S. K. Hwang, I. Bae, S. M. Cho, R. H. Kim, H. J. Jung, C. Park, Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 5484.
7. S. J. Kang, I. Bae, Y. J. Park, T. H. Park, J. Sung, S. C. Yoon, K. H. Kim, D. H. Choi, C. Park, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 1609.
8. S. Raghavan, I. Stolichnov, N. Setter, J.-S. Heron, M. Tosun, A. Kis, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 023507.
9. M. A. Khan, U. S. Bhansali, H. N. Alshareef, Adv. Mater. 2012, 24, 2165.
10. J. Y. Son, S. Ryu, Y.-C. Park, Y.-T. Lim, Y.-S. Shin, Y.-H. Shin, H. M. Jang, ACS. Nano 2010, 4, 7315.
11. K. H. Lee, G. Lee, K. Lee, M. S. Oh, S. Im, S.-M. Yoon, Adv. Mater. 2009, 21, 4287.
12. J. I. Sohn, S. S. Choi, S. M. Morris, J. S. Bendall, H. J. Coles, W. K. Hong, G. Jo, T. Lee, M. E. Welland, Nano Lett. 2010, 10, 4316.
13. A. K. Tripathi, A. J. J. M. Van Brremen, J. Shen, Q. Gao, M. G. Lvan, K. Reimann, E. R. Meinders, G. H. Gelinck, Adv. Mater. 2011, 23, 4146.
14. Y. Kaneko, Y. Nishitani, M. Ueda, E. Tokumitsu, E. Fujii, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 182902.
15. D. Lee, S. M. Yang, T. H. Kim, B. C. Jeon, Y. S. Kim, J. G. Yoon, H. N. Lee, S. H. Baek, C. B. Eom, T. W. Noh, Adv. Mater. 2012, 24, 402.
16. S. K. Hwang, I. Bae, R. H. Kim, C. Park, Adv. Mater. 2012, 24, 5910.
17. X. Zhang, K. Miyaji, M. Takahashi, K. Takeuchi, S. Sakai, in 3rd IEEE Int. Memory Workshop (IMW), 2011, IEEE, Piscataway NJ 2011, 155, DOI: 10.1109/IMW.2011.5873233.
18. S. Song, B. Cho, T.-W. Kim, Y. Ji, M. Jo, G. Wang, M. Choe, Y. H. Kahng, H. Hwang, T. Lee, Adv. Mater. 2009, 21, 3859.
19. Y. Cui, Z. Zhong, D. Wang, W. U. Wang, C. M. Lieber, Nano Lett. 2003, 3, 149.
20. H. Liu, C. H. Reccius, H. G. Craighead, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 253106.
21. J. H. Kim, D. H. Lee, D. S. Yang, D. U. Heo, K. H. Kim, J. Shin, H.-J. Kim, K.-Y. Baek, K. Lee, H. Baik, M. J. Cho, D. H. Choi, Adv. Mater. 2013, 25, 4102.
22. S. W. Lee, H. J. Lee, J. H. Choi, W. G. Koh, J. M. Myoung, J. H. Hur, J. J. Park, J. H. Cho, U. Jeong, Nano Lett. 2010, 10, 347.
23. F. S. Kim, S. A. Jenekhe, Macromolecules 2012, 45, 7514.
24. J. A. Lim, J.-H. Kim, L. Qiu, W. H. Lee, H. S. Lee, D. Kwak, K. Cho, Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 3292.
25. C.-J. Kim, S.-J. Choi, J.-H. Ahn, J.-W. Han, H. Kim, S. Yoo, Y.-K. Choi, ACS Nano 2012, 6, 1449.
26. C. M. Hangarter, M. Bangar, A. Mulchandani, N. V. Myung, J. Mater. Chem. 2010, 20, 3131.
27. A. Menzel, K. Subannajui, F. Guder, D. Moser, O. Paul, M. Zacharias, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 4342.
28. X. Zou, J. Wang, X. Liu, C. Wang, Y. Jiang, Y. Wang, X. Xiao, J. C. Ho, J. Li, C. Jiang, Y. Fang, W. Liu, L. Liao, Nano Lett. 2013, 13, 3287.
29. H.-C. Chang, C.-L. Liu, W.-C. Chen, Adv. Funct. Mater. 2013, 23, 4874.
30. J. Fu, N. Singh, K. D. Buddharaju, S. H. G. Teo, C. Shen, Y. Jiang, C. X. Zhu, M. B. Yu, G. Q. Lo, N. Balasubramanian, D. L. Kwong, E. Gnani, G. Baccarani, IEEE Electron Device Lett. 2008, 29, 518.
31. J. B. K. Law, J. T. L. Thong, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 133114.
32. F. Gu, L. Zhang, X. Yin, L. Tong, Nano Lett. 2008, 8, 2757.
33. L. Hu, J. Yan, M. Liao, L. Wu, X. Fang, Small 2011, 7, 1012.
34. S. Das, J. Appenzeller, Nano Lett. 2011, 11, 4003.
35. Y. T. Lee, P. J. Jeon, K. H. Lee, R. Ha, H.-J. Choi, S. Im, Adv. Mater. 2012, 24, 3020.
36. S. H. Ko, I. Park, H. Pan, N. Misra, M. S. Rogers, C. P. Grigoropoulos, A. P. Pisano, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 154102.
37. S.-Y. Min, T.-S. Kim, B. J. Kim, H. Cho, Y.-Y. Noh, H. Yang, J. H. Cho, T.-W. Lee, Nat. Commun. 2013, 4, 1773.
38. S. K. Hwang, J. M. Lee, S. K. Kim, J. S. Park, H. I. Park, C. W. Ahn, K. J. Lee, T. Lee, S. O. Kim, Nano Lett. 2012, 12, 2217.
39. C. Wu, F. Li, Y. Zhang, T. Guo, T. Chen, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 042108.
40. S.-J. Kim, J.-S. Lee, Nano Lett. 2010, 10, 2884.
41. Q. Wei, Y. Lin, E. R. Anderson, A. L. Briseno, S. P. Gido, J. J. Watkins, ACS Nano 2012, 6, 1188.
42. T.-W. Kim, Y. Gao, O. Acton, H.-L. Yip, H. Ma, H. Chen, A. K.-Y. Jen, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 023310.
43. S. K. Hwang, J. R. Choi, I. Base, I. Hwang, S. M. Cho, J. Huh, C. Park, Small 2013, 9, 831.
44. A. V. Bune, V. M. Fridkin, S. Ducharme, L. M. Blinov, S. P. Palto, A. V. Sorokin, S. G. Yudin, A. Zlatkin, Nature 1998, 391, 874.
45. S. Hashimoto, H. Orihara, Y. Ishibashi, J. Phys. Soc. Jpn. 1994, 63, 1601.
46. H. Xu, J. Zhong, X. Liu, J. Chen, D. Shen, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 092903.
47. G. H. Gelinck, A. W. Marsman, F. J. Touwslager, S. Setayesh, D. M. de Leeuw, R. C. G. Naber, P. W. M. Blom, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 092903.
48. K.-H. Lee, J. S. Jung, K. S. Son, J. S. Park, T. S. Kim, R. Choi, J. K. Jeong, J.-Y. Kwon, B. Koo, S. Lee, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 232106.
49. H. Sirringhaus, Adv. Mater. 2009, 21, 3859.
50. T. P. Ma, J.-P. Han, IEEE Trans. Electron Devices. 2002, 23, 386.