Flexible multilevel resistive memory with controlled charge trap B- and N-doped carbon nanotubes

Nano Letters

Volumn 12, Issue 5, 2012, Pages 2217-2221

  Hwang, Sun Kak ^a   Lee, Ju Min ^a   Kim, Seungjun ^a   Park, Ji Sun ^a   Park, Hyung Il ^a   Ahn, Chi Won ^b   Lee, Keon Jae ^a   Lee, Takhee ^c   Kim, Sang Ouk ^a  

^a Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

^b National Nano Fab Center (NNFC)   (South Korea)

^c Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

carbon nanotube; charge trap; flexible memory; multilevel memory; Resistive memory

Indexed keywords

CHARGE TRAP; CHARGE TRAP LEVEL; DISPERSIBILITIES; ENDURANCE CYCLE; INTERMEDIATE STATE; MULTILEVEL MEMORY; N-DOPED; N-DOPING; NON-VOLATILE MEMORIES; NOVEL DESIGN; ON-OFF RATIO; POLYSTYRENE MATRIX; RESISTIVE MEMORIES; RESISTIVE SWITCHING; RETENTION TIME; SOLUTION PROCESSABLE; TRAPPING MATERIALS;

CARBON NANOTUBES; POLYSTYRENES;

CHARGE TRAPPING;

EID: 84861017679     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl204039q     Document Type: Article

References (40)

1. Yang, Y.; Ouyang, J.; Ma, L.; Tseng, R. J. H.; Chu, C. W. Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 1001-1014
2. Scott, J. C.; Bozano, L. D. Adv. Mater. 2007, 19, 1452-1463
3. Park, Y. J.; Bae, I.-S.; Kang, S. J.; Chang, J.; Park, C. IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 2010, 17, 1135-1162
4. Cho, B.; Song, S.; Ji, Y.; Kim, T. W.; Lee, T. Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 2806-2829
5. Waser, R.; Aono, M. Nat. Mater. 2007, 6, 833-840
6. Kwon, D. H.; Kim, K. M.; Jang, J. H.; Jeon, J. M.; Lee, M. H.; Kim, G. H.; Li, X. S.; Park, G. S.; Lee, G. S.; Lee, B.; Han., S.; Kim, M.; Hwang, C. S. Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 148-153
7. Li, Y.; Qiu, D.; Cao, L.; Shao, C.; Pan, L.; Pu, L.; Xu, J.; Shi, Y. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 133303
8. Fang, Y. K.; Liu, C. L.; Chen, W. C. J. Mater. Chem. 2011, 21, 4778-4786
9. Hahm, S. G.; Choi, S.; Hong, S. H.; Lee, T. J.; Park, S.; Kim, D. M.; Kwon, W. S.; Kim, K.; Kim, O.; Ree, M. Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 3276-3282
10. Liu, S. J.; Lin, Z. H.; Zhao, Q.; Ma, Y.; Shi, H. F.; Yi, M. D.; Ling, Q. D.; Fan, Q. L.; Zhu, C. X.; Kang, E. T.; Huang., W. Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 979-985
11. Patil, S.; Lai, Q.; Marchioni, F.; Jung, M.; Zhu, Z.; Chen, Y.; Wudl, F. J. Mater. Chem. 2006, 16, 4160-4164
12. Qiaxi, L.; Lei, L.; Zhiyong, L.; Stickle, W. F.; Williams, R. S.; Chen, Y. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 213503
13. Kang, S. J.; Bae, I.-S.; Shin, Y. J.; Park, Y. J.; Huh, J.; Park, S. M.; Kim, H. C.; Park, C. Nano Lett. 2011, 11, 138-144
14. Jeong, H. Y.; Kim, J. Y.; Kim, J. W.; Hwang, J. O.; Kim, J. E.; Lee, J. Y.; Yoon, T. H.; Cho, B. J.; Kim, S. O.; Ruoff, R. S.; Choi, S. Y. Nano Lett. 2010, 10, 4381-4386
15. Ouyang, J.; Chu, C. W.; Szmanda, C. R.; Ma, L.; Yang, Y. Nat. Mater. 2004, 3, 918-922
16. Kim, S.; Jeong, H. Y.; Kim, S. K.; Choi, S. Y.; Lee, K. J. Nano Lett. 2011, 11, 5438-5442
17. Tseng, R. J.; Huang, J.; Quyang, J.; Kaner, R. B.; Yang, Y. Nano Lett. 2005, 5, 1077-1080
18. White, S. I.; Vora, P. M.; Kikkawa, J. M.; Winey, K. I. Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 233-240
19. Song, S.; Cho, B.; Kim, T. W.; Ji, Y.; Jo, M.; Wang, G.; Choe, M.; Kahng, Y. H.; Hwang, H.; Lee, T. Adv. Mater. 2010, 22, 5048-5052
20. Pradhan, B.; Batabyal, S. K.; Pal, A. J. J. Phys. Chem. B 2006, 110, 8274-8277
21. Liu, G.; Ling, Q. D.; Teo, E. Y. H.; Zhu, C. X.; Chan, D. S. H.; Neoh, K. G.; Kang, E. T. ACS Nano. 2009, 3, 1929-1937
22. Ma, H.; Yip, H. L.; Huang, F. H.; Jen, A. K.-Y. Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 1371-1388
23. Yip, H. L.; Hau, S. K.; Baek, N. S.; Ma, H.; Jen, A. K.-Y. Adv. Mater. 2008, 20, 2376-2382
24. Chaudhary, S.; Lu, H.; Müller, A. M.; Bardeen, C. J.; Ozkan, M. Nano Lett. 2007, 7, 1973-1979
25. Park, J. G.; Nam, W. S.; Seo, S. H.; Kim, Y. G.; Oh, Y. H.; Lee, G. S.; Paik, U. G. Nano Lett. 2009, 9, 1713-1719
26. Nagashima, K.; Yanagida, T.; Oka, K.; Taniguchi, T. K.; Kim, J.; Park, B. H. Nano Lett. 2010, 10, 1359-1363
27. Berson, S.; Bettignies, R.; Bailly, S.; Guillerez, S.; Jousselme, B. Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 3363-3370
28. Lee, J. M.; Park, J. S.; Lee, S. H.; Kim, H.; Yoo, S.; Kim, S. O. Adv. Mater. 2011, 23, 629-633
29. Lee, S. H.; Lee, D. H.; Lee, W. J.; Kim, S. O. Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 1338-1354
30. Hwang, J. O.; Park, J. S.; Choi, D. S.; Kim, J. Y.; Lee, S. H.; Lee, K. E.; Kim, Y.-H.; Song, M. H.; Yoo, S.; Kim, S. O. ACS Nano 2012, 6, 159-167
31. Lee, D. H.; Lee, W. J.; Kim, S. O.; Kim, Y. -H. Phys. Rev. Lett. 2011, 106, 175502
32. Park, S. J.; Hu, Y.; Hwang, J. O.; Lee, E. -S.; Casabianca, L. B.; Cai, W.; Potts, J. R.; Ha, H.-W.; Chen, S.; Oh, J. H.; Kim, S. O.; Kim, Y. -H.; Ishii, Y.; Ruoff, R. S. Nat. Commun. 2012, 3, 638
33. Lee, D. H.; Lee, W. J.; Kim, S. O. Nano Lett. 2009, 9, 1427-1432
34. Yun, J. M.; Kim, K. N.; Kim, J. Y.; Shin, D. O.; Lee, W. J.; Lee, S. H.; Liberman, M.; Kim, S. O. Angew. Chem., Int. Ed. 2012, 124, 936-939
35. Kim, C.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Science 2007, 318, 76-80
36. Lampert, M. A.; Mark, P. Current Injection in Solids; Academic: New York, 1970.
37. Lin, H. T.; Pei, Z.; Chan, Y. J. IEEE. Electron Device Lett. 2007, 28, 569-571
38. Bozano, L. D.; Kean, B. W.; Deline, V. R.; Salem, J. R.; Scott, J. C. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 607-609
39. Duke, C. B; Fabish, T. J. Phys. Rev. Lett. 1976, 37, 1075-1077
40. Ouyang, J.; Yang, Y. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 063506