High-temperature operating non-volatile memory of printable single-wall carbon nanotubes self-assembled with a conjugate block copolymer

Small

Volumn 9, Issue 6, 2013, Pages 831-837

  Hwang, Sun Kak ^a   Choi, Jae Ryung ^a   Bae, Insung ^a   Hwang, Ihn ^a   Cho, Suk Man ^a   Huh, June ^a   Park, Cheolmin ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

block copolymers; carbon nanotubes; non volatile memory; printable memory; transfer printing

Indexed keywords

HIGH TEMPERATURE; NON DESTRUCTIVE; NON-VOLATILE MEMORY; PERFORMANCE DEGRADATION; POLYMER MEMORY; SELF-ASSEMBLED; SOLUTION-PROCESSED; TRANSFER PRINTING;

BLOCK COPOLYMERS; DATA STORAGE EQUIPMENT; INTERNET PROTOCOLS; STYRENE;

CARBON NANOTUBES;

EID: 84875256220     PISSN: 16136810     EISSN: 16136829     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/smll.201202038     Document Type: Article

References (35)

1. Y. Yang, J. Quyang, L. Ma, R. J. H. Tseng, C. W. Chu, Adv. Funct. Mater. 2006, 16, 1001.
2. J. C. Scott, L. D. Bozano, Adv. Mater. 2007, 19, 1452.
3. R. Waser, M. Aono, Nat. Mater. 2007, 6, 833.
4. B. Cho, S. Song, Y. Ji, T. W. Kim, T. Lee, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 2806.
5. Y. K. Fang, C. L. Liu, W. C. Chen, J. Mater. Chem. 2011, 21, 4778.
6. S. G. Hahm, N. G. Kang, W. Kwon, K. Kim, Y. G. Ko, S. Ahn, B. G. Kang, T. Chang, J. S. Lee, M. Ree, Adv. Mater. 2012, 24, 1062.
7. S. J. Liu, Z. H. Lin, Q. Zhao, Y. Ma, H. F. Shi, M. D. Yi, Q. D. Ling, Q. L. Fan, C. X. Zhu, E. T. Kang, W. Huang, Adv. Funct. Mat. 2011, 21, 979.
8. N. G. Kang, B. Cho, B. G. Kang, S. Song, T. Lee, J. S. Lee, Adv. Mater. 2012, 24, 385.
9. R. J. Tseng, J. Huang, J. Quyang, R. B. Kaner, Y. Yang, Nano. Lett. 2005, 5, 1077.
10. H. T. Lin, Z. Pei, Y. J. Chan, IEEE. Electron Device Lett. 2007, 28, 569.
11. B. C. Das, S. K. Batabyal, A. J. Pal, Adv. Mater. 2007, 19, 4172.
12. D. I. Son, C. H. You, J. H. Jung, T. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 013304.
13. Y. C. Ju, S. Kim, T. G. Seong, S. Nahm, H. Chung, K. Hong, W. Kim, Small 2012, DOI: 10.1002/smll.201200488.
14. Z. L. Tseng, P. C. Kao, M. F. Shih, H. H. Huang, J. Y. Wang, S. Y. Chu, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 212103.
15. C. W. Lin, T. S. Pan, M. C. Chen, Y. J. Yang, Y. Tai, Y. F. Chen, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 023303.
16. S. I. White, P. M. Vora, J. M. Kikkawa, K. I. Winey, Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 233-240.
17. Z. M. Liao, C. Hou, Q. Zhao, D. S. Wang, Y. D. Li, D. P. Yu, Small 2012, 5, 2377.
18. S. Song, B. Cho, T. W. Kim, Y. Ji, M. Jo, G. Wang, M. Choe, Y. H. Kahng, H. Hwang, T. Lee, Adv. Mater. 2010, 22, 5048.
19. D. I. Son, T. W. Kim, J. H. Shim, J. H. Jung, D. U. Lee, J. M. Lee, W. I. Park, W. K. Choi, Nano. Lett. 2010, 10, 2441.
20. T. W. Kim, D. F. Zeigler, O. Acton, H. L. Yip, H. Ma, A. K.-Y. Jen, Adv. Mater. 2012, 24, 828.
21. H. Y. Jeong, J. Y. Kim, J. W. Kim, J. O. Hwang, J. E. Kim, J. Y. Lee, T. H. Yoon, B. J. Cho, S. O. Kim, R. S. Ruoff, S. Y. Choi, Nano Lett. 2010, 10, 4381.
22. C. Wu, F. Li, Y. Zhang, T. Guo, T. Chen, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 042108.
23. B. Pradhan, S. K. Batabyal, A. J. Pal, J. Phys. Chem. B 2006, 110, 8274.
24. G. Liu, Q. D. Ling, E. Y. H. Teo, C. X. Zhu, D. S. H. Chan, K. G. Neoh, E. T. Kang, ACS Nano 2009, 3, 1929.
25. S. K. Hwang, J. M. Lee, S. K. Kim, J. S. Park, H. I. Park, C. W. Ahn, K. J. Lee, T. Lee, S. O. Kim, Nano Lett. 2012, 12, 2217.
26. Y. Song, Q. D. Ling, S. L. Lim, E. Y. H. Teo, Y. P. Tan, L. Li, E. T. Kang, D. S. H. Chan, C. Zhu, IEEE. Electron Device Lett. 2007, 28, 107.
27. T. W. Kim, S. H. Oh, H. Choi, G. Wang, H. Hwang, D. Y. Kim, T. Lee, IEEE. Electron Device Lett. 2008, 29, 852.
28. J. S. Sung, J. Huh, J. H. Choi, S. J. Kang, Y. S. Choi, G. T. Lee, J. Cho, J. M. Myoung, C. Park, Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 4305.
29. B. Cho, S. Song, Y. Ji, T. Lee, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 063305.
30. H. Y. Jeong, J. Y. Lee, S. Y. Choi, Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 3912.
31. J. M. Lee, J. S. Park, S. H. Lee, H. Kim, S. Yoo, S. O. Kim, Adv. Mater. 2011, 23, 629.
32. L. D. Bozano, B. W. Kean, V. R. Deline, J. R. Salem, J. C. Scott, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 607.
33. J. Brewer, M. Gill, in Nonvolatile Memory Technologies with Empahsis on Flash, John Wiley & Sons, Inc., New York 2007, 467.
34. Z. Fang, Y. Yu, J. Liu, Z. R. Wang, X. A. Tran, B. Gao, J. F. Kang, IEEE. Electron Device Lett. 2010, 31, 476.
35. S. J. Kang, Y. J. Park, I. Bae, K. J. Kim, H. C. Kim, S. Bauser, E. L. Thomas, C. Park, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 2812.