Low-voltage polymer field-effect transistors for nonvolatile memories

Applied Physics Letters

Volumn 87, Issue 20, 2005, Pages 1-3

  Naber, R C G ^a   De Boer, B ^a   Blom, P W M ^a   De Leeuw, D M ^b  

^a UNIVERSITY OF GRONINGEN   (Netherlands)

^b PHILIPS RESEARCH LABORATORIES   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOSITION; ELECTRIC POTENTIAL; FERROELECTRIC DEVICES; NONVOLATILE STORAGE; ORGANIC POLYMERS; ORGANIC SOLVENTS;

CYCLOHEXANONE; ORGANIC NONVOLATILE MEMORIES; SPIN-COATED POLYMERS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 27744512125     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2132062     Document Type: Article

References (21)

1. S. Möller, C. Perlov, W. Jackson, C. Taussig, and S. R. Forrest, Nature (London) 426, 166 (2003).
2. A. W. Marsman, C. M. Hart, G. H. Gelinck, T. C. T. Geuns, and D. M. de Leeuw, J. Mater. Res. 19, 2057 (2004).
3. J. Ouyang, C. Chu, C. R. Szmanda, L. Ma, and Y. Yang, Nat. Mater. 3, 918 (2004).
4. R. C. G. Naber, C. Tanase, P. W. M. Blom, G. H. Gelinck, A. W. Marsman, F. J. Touwslager, S. Setayesh, and D. M. de Leeuw, Nat. Mater. 4, 243 (2005).
5. K. N. N. Unni, R. de Bettignies, S. Dabos-Seignon, and J.-M. Nunzi, Appl. Phys. Lett. 85, 1823 (2004).
6. R. Schroeder, L. A. Majewski, M. Voigt, and M. Grell, IEEE Electron Device Lett. 26, 69 (2005).
7. T. B. Singh, N. Marjanović, G. J. Matt, N. S. Sariciftci, R. Schwödiauer, and S. Bauer, Appl. Phys. Lett. 85, 5409 (2004).
8. Y. Matsuo, T. Ijichi, H. Yamada, J. Hatori, and S. Ikehata, Cent. Eur. J. Phys. 2, 357 (2004).
9. Ferroelectric Polymers, edited by, H. S. Nalwa, (Dekker, New York, 1995).
10. G. H. Gelinck, H. E. A. Huitema, E. van Veenendaal, E. Cantatore, L. Schrijnemakers, J. B. P. H. van der Putten, T. C. T. Geuns, M. Beenhakkers, J. B. Giesbers, B. H. Huisman, E. J. Meijer, E. M. Benito, F. J. Touwslager, A. W. Marsman, B. J. E. van Rens, and D. M. de Leeuw, Nat. Mater. 3, 106 (2004).
11. Sigma-Aldrich Co. material safety data sheets (2005).
12. F. Xia and Q. M. Zhang, Appl. Phys. Lett. 85, 1719 (2004).
13. P. K. Wu, G.-R. Yang, X. F. Ma, and R.-M. Lu, Appl. Phys. Lett. 65, 508 (1994).
14. T. C. S. Chen and S. M. Mukhopadhyay, J. Appl. Phys. 78, 5422 (1995).
15. T. Furukawa, Phase Transitions 18, 143 (1989).
16. Z. Bao, A. Dodabalapur, and A. J. Lovinger, Appl. Phys. Lett. 69, 4108 (1996).
17. T. P. Ma and J.-P. Han, IEEE Electron Device Lett. 23, 386 (2002).
18. P. Wurfel and I. P. Batra, Phys. Rev. B 8, 5126 (1973).
19. M. J. W. Prins, S. E. Zinnemers, and J. B. Giesbers, Appl. Phys. Lett. 70, 458 (1997).
20. G. H. Gelinck, A. W. Marsman, F. J. Touwslager, S. Setayesh, D. M. de Leeuw, R. C. G. Naber, and P. W. M. Blom, Appl. Phys. Lett. 87, 092903 (2005).
21. F. J. Touwslager, N. P. Willard, and D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 80, 4556 (2002).