High performance multi-level non-volatile polymer memory with solution-blended ferroelectric polymer/high-k insulators for low voltage operation

Advanced Functional Materials

Volumn 23, Issue 44, 2013, Pages 5484-5493

  Hwang, Sun Kak ^a   Bae, Insung ^a   Cho, Suk Man ^a   Kim, Richard Hahnkee ^a   Jung, Hee Joon ^a   Park, Cheolmin ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

ferroelectric polymers; field effect transistor memory; multilevel memory; organic memory

Indexed keywords

FERROELECTRIC GATE INSULATORS; FERROELECTRIC POLYMERS; HIGH DENSITY DATA STORAGE; HIGH DIELECTRIC CONSTANTS; LOW VOLTAGE OPERATION; MULTI LEVEL CELL (MLC); MULTILEVEL MEMORY; ORGANIC MEMORY;

DATA STORAGE EQUIPMENT; DIELECTRIC MATERIALS; FERROELECTRICITY; FIELD EFFECT TRANSISTORS;

POLYMERS;

EID: 84888641965     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201300372     Document Type: Article

References (50)

1. Y. J. Park, I. Bae, S. J. Kang, J. Chang, C. Park, IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 2010, 17, 1135.
2. S. J. Kang, Y. J. Park, I. Bae, K. J. Kim, H.-C. Kim, S. Bauer, E. L. Thomas, C. Park, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 2812.
3. R. H. Kim, S. J. Kang, I. Bae, Y. S. Choi, Y. J. Park, C. Park, Org. Electron. 2012, 13, 491.
4. S. Das, J. Appenzeller, Nano Lett. 2011, 11, 4003.
5. S. Raghavan, I. Stolichnov, N. Setter, J.-S. Heron, M. Tosun, A. Kis, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 023507.
6. M. A. Khan, U. S. Bhansali, H. N. Alshareef, Adv. Mater. 2012, 24, 2165.
7. J. Y. Son, S. Ryu, Y.-C. Park, Y.-T. Lim, Y.-S. Shin, Y.-H. Shin, H. M. Jang, ACS Nano 2010, 4, 7315
8. K. H. Lee, G. Lee, K. Lee, M. S. Oh, S. Im, S.-M. Yoon, Adv. Mater. 2009, 21, 4287.
9. S. S. Nonnenmann, M. A. Islam, B. R. Beatty, E. M. Gallo, T. McGuckin, J. E. Spanier, Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 4957.
10. R. C. G. Naber, C. Tanase, P. W. M. Bloom, G. H. Gelinck, A. W. Marsman, F. J. Touwslager, S. Setayesh, D. M. De Leeuw, Nat. Mater. 2005, 4, 243.
11. J. I. Sohn, S. S. Choi, S. M. Morris, J. S. Bendall, H. J. Coles, W. K. Hong, G. Jo, T. Lee, M. E. Welland, Nano Lett. 2010, 10, 4316.
12. A. K. Tripathi, A. J. J. M. Van Brremen, J. Shen, Q. Gao, M. G. Lvan, K. Reimann, E. R. Meinders, G. H. Gelinck, Adv. Mater. 2011, 23, 4146.
13. Y. Kaneko, Y. Nishitani, M. Ueda, E. Tokumitsu, E. Fujii, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 182902.
14. D. Lee, S. M. Yang, T. H. Kim, B. C. Jeon, Y. S. Kim, J. G. Yoon, H. N. Lee, S. H. Baek, C. B. Eom, T. W. Noh, Adv. Mater. 2012, 24, 402.
15. S. K. Hwang, I. Bae, R. H. Kim, C. Park, Adv. Mater. 2012, 24, 5910.
16. R. C. G. Naber, M. Mulder, B. de Boer, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, Org. Electron. 2006, 7, 132.
17. K. Asadi, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 053306.
18. A. Gerber, M. Fitsilis, R. Waser, T. J. Reece, E. Rije, S. Ducharme, H. J. Kohlstedt, Appl. Phys. Lett. 2010, 107, 124119.
19. S. M. Yoon, S. Yang, C. Byun, S. H. Park, D. H. Cho, S. W. Jung, O. S. Kwon, C. S. Hwang, Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 921.
20. S. M. Yoon, S. Yang, S. W. Jung, C. W. Byun, S. H. K. Park, C. S. Hwang, G. G. Lee, E. Tokumitsu, H. Ishiwara, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 232903.
21. K. Takahashi, K. Aizawa, B. E. Park, H. Ishiwara, Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, 6218.
22. S. J. Kang, I. Bae, Y. J. Park, T. H. Park, J. Sung, S. C. Yoon, K. H. Kim, D. H. Choi, C. Park, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 1609.
23. S. H. Noh, W. Choi, M. S. Oh, D. K. Hwang, K. Lee, S. Im, S. Jang, E. Kim, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 253504.
24. J. Chang, C. H. Shin, Y. J. Park, S. J. Kang, H. J. Jeong, K. J. Kim, C. J. Hawker, T. P. Russell, D. Y. Ryu, C. Park, Org. Electron. 2009, 10, 849.
25. K.-J. Baeg, Y.-Y. Noh, H. Sirringhaus, D.-Y. Kim, Adv. Funct. Mater. 2010, 20, 224.
26. Y. J. Park, S. J. Kang, C. Park, B. Lotz, A. Thierry, K. J. Kim, J. Huh, Macromolecules 2008, 41, 109.
27. H. J. Jung, J. Chang, Y. J. Park, S. J. Kang, B. Lotz, J. Huh, C. Park, Macromolecules 2009, 42, 4148.
28. H. Sirringhaus, P. J. Brown, R. H. Friend, M. M. Nielsen, K. Bechgaard, B. M. W. Langeveld-Voss, A. J. H. Spiering, R. A. J. Janssen, E. W. Meijer, P. Herwig, D. M. de Leeuw, Nature 1999, 401, 685.
29. R. P. Ortiz, A. Facchetti, T. J. Marks, Chem. Rev. 2010, 110, 205.
30. F. Xia, Q. M. Zhang, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 1719.
31. S. J. Kang, I.-S. Bae, Y. J. Shin, Y. J. Park, J. Huh, S. M. Park, H. C. Kim, C. Park, Nano Lett. 2011, 11, 138.
32. I. Bae, S. J. Kang, Y. J. Shin, Y. J. Park, R. H. Kim, F. Mathevet, C. Park, Adv. Mater. 2012, 23, 3398.
33. T. P. Ma, J.-P. Han, IEEE Trans. Electron Devices 2002, 23, 386.
34. P. Wurfel, I. P. Batra, Phys. Rev. B. 1973, 8, 5126.
35. R. R. Mehta, B. D. Silverman, J. T. Jacobs, J. Appl. Phys. 1973, 44, 3379.
36. D. J. Kim, J. Y. Jo, Y. S. Kim, Y. J. Chang, J. S. Lee, J.-G. Yoon, T. K. Song, T. W. Noh, Phys. Rev. Lett. 2005, 95, 237602
37. Y. G. Xiao, Y. Xiong, M. H. Tang, J. C. Li, X. C. Gu, C. P. Cheng, B. Jiang, Z. H. Tang, X. S. Lv, H. Q. Cai, J. He, Solid-State Electron. 2012, 73, 84.
38. S. K. Hwang, J. M. Lee, S. K. Kim, J. S. Park, H. I. Park, C. W. Ahn, K. J. Lee, T. Lee, S. O. Kim, Nano Lett. 2012, 12, 2217.
39. Y.-C. Chung, J. S. Park, C. H. Shin, J. W. Choi, B. C. Chun, Macromol. Res. 2012, 20, 66.
40. S.-J. Kim, J.-S. Lee, Nano Lett. 2010, 10, 2884.
41. Q. Wei, Y. Lin, E. R. Anderson, A. L. Briseno, S. P. Gido, J. J. Watkins, ACS Nano 2012, 6, 1188.
42. T.-W. Kim, Y. Gao, O. Acton, H.-L. Yip, H. Ma, H. Chen, A. K.-Y. Jen, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 023310.
43. S. K. Hwang, J. R. Choi, I. Base, I. Hwang, S. M. Cho, J. Huh, C. Park, Small 2013, 9, 831.
44. X. Pan, T. P. Ma, Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 013505.
45. I. Bae, S. J. Kang, Y. J. Park, T. Furukawa, C. Park, Curr. Appl. Phys. 2010, 10, 54.
46. A. V. Bune, V. M. Fridkin, S. Ducharme, L. M. Blinov, S. P. Palto, A. V. Sorokin, S. G. Yudin, A. Zlatkin, Nature 1998, 391, 874.
47. S. Hashimoto, H. Orihara, Y. Ishibashi, J. Phys. Soc. Jpn. 1994, 63, 1601.
48. H. Xu, J. Zhong, X. Liu, J. Chen, D. Shen, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 092903.
49. G. H. Gelinck, A. W. Marsman, F. J. Touwslager, S. Setayesh, D. M. de Leeuw, R. C. G. Naber, P. W. M. Blom, Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 092903.
50. F. Bauer, IEEE Trans. Dielectr. Electr. Insul. 2010, 17, 1107.