Ferroelectric nonvolatile nanowire memory circuit using a single ZnO nanowire and copolymer top layer

Advanced Materials

Volumn 24, Issue 22, 2012, Pages 3020-3025

  Lee, Young Tack ^a   Jeon, Pyo Jin ^a   Lee, Kwang H ^a   Ha, Ryong ^a   Choi, Heon Jin ^a   Im, Seongil ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

field effect transistors, ferroelectric (FeFETs); memory inverter circuit; nanowires; one dimensional (1D) electronics; zinc oxide

Indexed keywords

DYNAMIC PROGRAMS; FERROELECTRIC FIELD EFFECT TRANSISTORS; FERROELECTRIC POLYMERS; INVERTER CIRCUIT; MEMORY CIRCUITS; MEMORY WINDOW; NON-VOLATILE; NON-VOLATILE FERROELECTRIC MEMORIES; ZNO NANOWIRES;

FERROELECTRICITY; FIELD EFFECT TRANSISTORS; ZINC OXIDE;

NANOWIRES;

NANOWIRE; POLYMER; ZINC OXIDE;

ARTICLE; CHEMISTRY; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRICITY; SEMICONDUCTOR;

ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRICITY; NANOWIRES; POLYMERS; TRANSISTORS, ELECTRONIC; ZINC OXIDE;

EID: 84861837606     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201201051     Document Type: Article

References (29)

1. Y. Cui, Q. Wei, H. Park, C. M. Lieber, Science 2001, 293, 1289.
2. D. Wang, Q. Wang, A. Javey, R. Tu, H. Kim, P. C. Mclntyre, T. Krishnamohan, K. C. Saraswat, H. Dai, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2432.
3. J. Xiang, W. Lu, Y. Hu, Y. Wu, H. Yan, C. M. Lieber, Nature 2006, 441, 489.
4. Y. Li, F. Qian, J. Xiang, C. M. Lieber, Mater. Today 2006, 9, 18.
5. Y. Huang, X. Duan, Y. Cui, C. M. Lieber, Nano Lett. 2002, 2, 101.
6. E. P. A. M. Bakkers, J. A. V. Dam, S. D. Franceschi, L. P. Kouwenhoven, M. Kaiser, M. Verheijen, H. Wondergem, P. V. D. Sluis, Nat. Mater. 2004, 3, 769.
7. J. Goldberger, D. J. Sirbuly, M. Law, P. Yang, J. Phys. Chem. B 2005, 109, 9.
8. B. Ryu, Y. T. Lee, K. H. Lee, R. Ha, J. H. Park, H.-J. Choi, S. Im, Nano Lett. 2011, 11, 4246.
9. Q. H. Li, Q. Wan, Y. X. Liang, T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4556.
10. Y. W. Heo, D. P. Norton, L. C. Tien, Y. Kwon, B. S. Kang, F. Ren, S. J. Pearton, J. R. LaRoche, Mater. Sci. Eng. R 2004, 47, 1.
11. Y. T. Lee, R. Ha, H.-J. Choi, S. Im, Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 123506.
12. W.-K. Hong, B.-J. Kim, T.-W. Kim, G. Jo, S. Song, S.-S Kwon, A. Yoon, E. A. Stach, T. Lee, Colloids Surf., A 2008, 311-314, 378.
13. D. Yeom, K. Keem, J. Kang, D.-Y. Jeong, C. Yoon, D. Kim, S. Kim, Nanotechnology 2008, 19, 265202.
14. W. I. Park, J. S. Kim, H.-J. Lee, G.-C. Yi, Adv. Mater. 2005, 17, 1393.
15. Y. W. Heo, L. C. Tien, D. P. Norton, S. J. Pearton, B. S. Kang, F. Ren, J. R. LaRoche, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 3107.
16. L. Liao, H. J. Fan, B. Yan, Z. Zhang, L. L. Chen, B. S. Li, G. Z. Xing, Z. X. Shen, T. Wu, X. W. Sun, J. Wang, T. Yu, ACS Nano 2009, 3, 700.
17. D. Yeom, J. Kang, M. Lee, J. Jang, J. Yun, D.-Y. Jeong, C. Yoon, J. Koo, S. Kim, Nanotechnology 2008, 19, 395204.
18. C. Yoon, K. Cho, J.-H Lee, D. Whang, B.-M. Moon, S. Kim, Solid State Sci. 2010, 12, 745.
19. Q. Li, X. Zhu, H. D. Xiong, S.-M. Koo, D. E. Ioannou, J. J. Kopanski, J. S. Suehle, C. A. Richter, Nanotechnology 2007, 18, 235204.
20. J. Fu, N. Singh, K. D. Buddharaju, S. H. G. Teo, C. Shen, Y. Jiang, C. X. Zhu, M. B. Yu, G. Q. Lo, N. Balasubramanian, D. L. Kwong, E. Gnani, G. Baccarani, IEEE Electron Device Lett. 2008, 29, 518.
21. B. Lei, C. Li, D. Zhang, Q. F. Zhou, K. K. Shung, C. Zhou, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4553.
22. W. Fu, Z. Xu, X. Bai, C. Gu, E. Wang, Nano Lett. 2009, 9, 921.
23. N. Han, S. I. Kim, J.-D. Yang, K. Lee, H. Sohn, H.-M. So, C. W. Ahn, K.-H. Yoo, Adv. Mater. 2011, 23, 1871.
24. B. Yu, S. Ju, X. Sun, G. Ng, T. D. Nguyen, M. Meyyappan, D. B. Janes, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 133119.
25. K. Nagashima, T. Yanagida, K. Oka, M. Taniguchi, J.-S. Kim, B. H. Park, T. Kawai, Nano Lett. 2010, 10, 1359.
26. X. Duan, Y. Huang, C. M. Lieber, Nano Lett. 2002, 2, 487.
27. H. Yan, H. S. Choe, S. W. Nam, Y. Hu, S. Das, J. F. Klemic, J. C. Ellenbogen, C. M. Lieber, Nature 2011, 470, 240.
28. K. H. Lee, G. Lee, K. Lee, M. S. Oh, S.-M. Yoon, S. Im, Adv. Mater. 2009, 21, 1.
29. C. H. Park, G. Lee, K. H. Lee, B. H. Lee, M. M. Sung, S. Im, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 153502.