Oxygen plasma and humidity dependent surface analysis of silicon, silicon dioxide and glass for direct wafer bonding

ECS Journal of Solid State Science and Technology

Volumn 2, Issue 12, 2013, Pages

  Alam, A U ^a   Howlader, M M R ^a   Deen, M J ^a  

^a MCMASTER UNIVERSITY   (Canada)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 84887758366     PISSN: 21628769     EISSN: 21628777     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.007312jss     Document Type: Article

References (55)

1. Y. Huang, A. Sai Sarathi Vasan, R. Doraiswami, M. Osterman, and M. Pecht, IEEE Trans. Device Mater. Reliab., 12, 482 (2012)
2. A. G. Darrin and R. Osiander, MEMS Materials and Processes Handbook, p. 879, Springer, Boston (2011)
3. M. W. Shinwari, M. J. Deen, and D. Landheer, Microelectron. Reliab., 47, 2025 (2007)
4. M. M. R. Howlader, P. R. Selvaganapathy,M. J. Deen, and T. Suga, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 17, 689 (2011)
5. M. W. Shinwari, D. Zhitomirsky, I. A. Deen, P. R. Selvaganapathy, M. J. Deen, and D. Landheer, Sensors, 10, 1679 (2010)
6. G. Krauter, A. Schumacher, and U. Gosele, Sens. Actuators, A, 70, 271 (1998)
7. H. Takagi, R. Maeda, T. R. Chung, and T. Suga, Sens. Actuators, A, 70, 164 (1998)
8. J. Wei, S. M. L. Nai, C. K. Wong, and L. C. Lee, Thin Solid Films, 462-463, 487 (2004)
9. T. Suni, K. Henttinen, A. Lipsanen, J. Dekker, H. Luoto, and M. Kulawski, J. Electrochem. Soc., 153, G78 (2006)
10. F. Zhang, M. Kibria, K. Cormier, and M. M. R. Howlader, ECS Trans., 33, 329 (2010)
11. R. H. Esser, K. D. Hobart, and F. J. Kub, J. Electrochem. Soc., 150, G228 (2003)
12. M. K. Weldon and J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct., 14, 3095 (1996)
13. R. Joyce, K. Singh, H. Sharma, S. Varghese, and J. Akhtar, Microsyst. Technol., 19(6) (2013)
14. A. Sanz-Velasco, P. Amirfeiz, S. Bengtsson, and C. Colinge, J. Electrochem. Soc., 150, G155 (2003)
15. X. Ma, C. Chen, W. Liu, X. Liu, X. Du, Z. Song, and C. Lin, J. Electrochem. Soc., 156, H307 (2009)
16. M. M. R. Howlader, F. Zhang, and M. G. Kibria, J. Micromech. Microeng., 20, 065012 (2010)
17. T. Suni, K. Henttinen, I. Suni, and J. Makinen, J. Electrochem. Soc., 149, G348 (2002)
18. Q.-Y. Tong, J. Electrochem. Soc., 144, 384 (1997)
19. T. L. Barr, Appl. Surf. Sci., 15, 1 (1983)
20. K. Y. Byun, P. Fleming, N. Bennett, F. Gity, P. McNally, M. Morris, I. Ferain, and C. Colinge, J. Appl. Phys., 109, 123529 (2011)
21. S. N. Farrens, J. R. Dekker, K. Smith, K. Jason, and B. E. Roberds, J. Electrochem. Soc., 142, 3949 (1995)
22. V. A. Labunov and P. V. Protasevich, Nucl. Instruments Methods Phys. Res., B39, 466 (1989)
23. S. Vepiek, Z. Iqbal, H. R. Oswald, and A. P. Webb, J. Phys. C Solid State Phys., 14, 295 (1981)
24. K. T. Sung, J. Vac. Sci. Technol., B, 10, 2211 (1992)
25. K. J. Trevino, J. C. Shearer, B. D. Tompkins, and E. R. Fisher, Plasma Process. Polym., 8, 951 (2011)
26. T. Hattori, H. Yamagishi, N. Koike, K. Imai, and K. Yamabe, Appl. Surf. Sci., 41, 416 (1989)
27. S. A. Nelson, H. D. Hailen, and R. A. Buhrman, J. Appl. Phys., 63, 5027 (1988)
28. A. Mekki, D. Holland, C. F. McConville, and M. Salim, J. Non. Cryst. Solids, 208, 267 (1996)
29. Y. C. Araujo, P. G. Toledo, V. Leon, and H. Y. Gonzalez, J. Colloid Interface Sci., 176, 485 (1995)
30. J. Park and A. Tseng, Proceedings of 2004 JUSFA, pp. 1-7, 2004.)
31. A. A. Tseng, J.-S. Park, G. P. Vakanas, H. Wu, M. Raudensky, and T. P. Chen, Microsyst. Technol., 13, 49 (2006)
32. T. Miura, Y. Benino, R. Sato, and T. Komatsu, J. Eur. Ceram. Soc., 23, 409 (2003)
33. S. Bengtsson and P. Amirfeiz, J. Electron. Mat., 29, 909 (2000)
34. M. M. R. Howlader, G. Kagami, S. H. Lee, J. G.Wang,M. J. Kim, and A. Yamauchi, J. Microelectromech. Syst., 19, 840 (2010)
35. M. G. Kibria, F. Zhang, T. H. Lee, M. J. Kim, and M. M. R. Howlader, Nanotechnology, 21, 134011 (2010)
36. M. M. R. Howlader, S. Suehara, and T. Suga, Sens. Actuators, A, 127, 31 (2006)
37. S. Luo and C. P. Wong, IEEE Trans. Components Packag. Technol., 28, 88 (2005)
38. H. Khlyap, V. Laptev, L. Pankiv, and V. Tsmots, Crystalline Silicon - Properties and Uses, p. 43, InTech, Rijeka, Croatia (2011)
39. M. M. R. Howlader, M. G. Kibria, F. Zhang, and M. J. Kim, Talanta, 82, 508 (2010)
40. A. U. Alam, M. M. R. Howlader, andM. J. Deen, Unpublished Manuscript, October, 2013.)
41. JEOL, "Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy", pp. 10-20, Japan, 1991.)
42. D.-I. Kim, K.-H. Kim, and H.-S. Ahn, Int. J. Precis. Eng. Manuf., 11, 741 (2010)
43. M. Grundner and H. Jacob, Appl. Phys., A, 39, 73 (1986)
44. S. P. Kobeleva, T. G. Sergeeva, B. M. Leiferov, and a. L. Ivanova, Phys. A Stat. Mech. its Appl., 241, 398 (1997)
45. A. Verdaguer, C. Weis, G. Oncins, G. Ketteler, H. Bluhm, and M. Salmeron, Langmuir, 23, 9699 (2007)
46. F. Leisenberger, R. Duschek, R. Czaputa, F. P. Netzer, G. Beamson, and J. a. D. Matthew, Appl. Surf. Sci., 108, 273 (1997)
47. W. Kern, J. Electrochem. Soc., 137, 1887 (1990)
48. J. R. Ligenza, J. Phys. Chem., 65, 2011 (1961)
49. R. E. Oosterbroek, J. W. Berenschot, H. V. Jansen, A. J. Nijdam, G. Pandraud, A. van den Berg, and M. C. Elwenspoek, J. Microelectromech. Syst., 9, 390 (2000)
50. T. Plach, K. Hingerl, S. Tollabimazraehno, G. Hesser, V. Dragoi, and M.Wimplinger, J. Appl. Phys., 113, 094905 (2013)
51. M. M. R. Howlader, T. Suga, H. Itoh, T. H. Lee, andM. J. Kim, J. Electrochem. Soc., 156, H846 (2009)
52. M. M. R. Howlader, F. Zhang, and M. J. Kim, J. Microelectromech. Syst., 20, 17 (2011)
53. O. Guaitella,M. Hubner, S.Welzel, D.Marinov, J. Ropcke, and a. Rousseau, Plasma Sources Sci. Technol., 19, 045026 (2010)
54. M. M. R. Howlader, F. Zhang, and M. Jamal Deen, Nanotechnology, 24, 315301 (2013)
55. J.-W. He, X. Xu, J. S. Corneille, and D. W. Goodman, Surf. Sci., 279, 119 (1992)