Single-step formation of ZnO/ZnWOx bilayer structure via interfacial engineering for high performance and low energy consumption resistive memory with controllable high resistance states

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 5, Issue 16, 2013, Pages 7831-7837

  Lin, Shih Ming ^a   Huang, Jian Shiou ^a   Chang, Wen Chih ^a   Hou, Te Chien ^a   Huang, Hsin Wei ^a   Huang, Chi Hsin ^a   Lin, Su Jien ^a   Chueh, Yu Lun ^a  

^a NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

complementary resistive switching (CRS); resistive switching memory; sneak path; ZnO; ZnWOx interface engineering

Indexed keywords

INTERFACE ENGINEERING; RESISTIVE SWITCHING; RESISTIVE SWITCHING MEMORY; SNEAK PATH; ZNO;

PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; SWITCHING SYSTEMS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

ENERGY UTILIZATION;

NANOMATERIAL; ZINC OXIDE;

CHEMISTRY; IMPEDANCE; NANOTECHNOLOGY; PARTICLE SIZE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; ARTICLE;

ELECTRIC IMPEDANCE; MICROSCOPY, ELECTRON, TRANSMISSION; NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; PARTICLE SIZE; ZINC OXIDE;

EID: 84883309100     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am4016928     Document Type: Article

References (50)

1. Waser, R.; Dittmann, R.; Staikov, G.; Szot, K. Adv. Mater. 2009, 21, 2632-2663
2. Kim, K. M.; Song, S. J.; Kim, G. H.; Seok, J. Y. Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 1587-1592
3. Kim, K. H.; Gaba, S.; Wheeler, D.; Hussain, T.; Lu, W. Nano Lett. 2012, 12, 389-395
4. Lee, J.; Lee, D.; Lee, W.; Kim, S.; Park, S.; Hwang, H. IEEE Int. Electron Devices Meeting 2010, 5703393, 19.5.1-19.5.4
5. Kim, K. IEEE Int. Electron Devices Meeting 2010, 5703274, 1.1.1-1.1.9
6. Flocke, A.; Noll, T. G.; Proceedings of the 33rd European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC); IEEE: Piscataway, NJ, 2007; pp 328-331
7. Snider, G.; Kuekes, P.; Hogg, T.; Williams, R. S. Appl. Phys. A 2005, 80, 1183-1195
8. Luyken, R. J.; Hofmann, F. Nanotechnology 2003, 14, 273-276
9. Lee, M. J.; Seo, S.; Kim, D. C.; Ahn, S. E.; Park, B. H. Adv. Mater. 2007, 19, 3919-3923
10. Lee, M. J.; Park, Y.; Kang, B. S.; Ahn, S. E.; Lee, C.; Yoo, I. K. IEEE Int. Electron Devices Meeting 2007, 4419061, 771-774
11. Huang, C. H.; Huang, J. S.; Lai, C. C.; Huang, H. W.; Lin, S. J.; Chueh, Y. L. ACS Appl. Mater. Interfaces 2013, 5, 6017-6023
12. Shin, Y. C.; Song, J. W.; Kim, K. M.; Choi, B. J.; Choi, S.; Hwang, C. S. Appl. Phys. Lett. 2008, 92 (162904) 1-3
13. Linn, E.; Rosezin, R.; Kügeler, C.; Waser, R. Nat. Mater. 2010, 9, 403-406
14. Seo, J. W.; Baik, S. J.; Kang, S. J.; Hong, Y. H.; Yang, J. H.; Lim, K. S. Appl. Phys. Lett. 2011, 98 (233505) 1-3
15. Jeong, H. Y.; Lee, J. Y.; Choi, S. Y. Adv. Func. Mater. 2010, 20, 3912-3917
16. Huang, C. H.; Huang, J. S.; Lin, S. M.; Chang, W. Y.; He, J. H.; Chueh, Y. L. ACS Nano 2012, 6, 8407-8414
17. Huang, J. S.; Lee, C. Y.; Chin, T. S. Electrochim. Acta 2013, 91, 62-68
18. Seo, S.; Lee, M. J.; Seo, D. H.; Joung, Y. S.; Yoo, I. K. Appl. Phys. Lett. 2005, 86 (093509) 1-3
19. Djurisic, A. B.; Leung, Y. H. Small 2006, 2, 944-961
20. Sun, W.; Zhang, K.; Wang, F.; Sun, K.; Miao, Y.; Zhao, J. ECS Trans. 2013, 52 (1) 1009-1014
21. Lin, C. C.; Tseng, Z. L.; Lo, K. Y.; Huang, C. Y.; Hong, C. S. Appl. Phys. Lett. 2012, 101 (203501) 1-5
22. Biju, K. P.; Liu, X.; Siddik, M.; Kim, S.; Shin, J. J. Appl. Phys. 2011, 110 (064505) 1-7
23. Selcuk, C.; Wood, J. V. J. Mater. Process Technol. 2005, 170, 471-476
24. Schmalzried, H.; Navrotsky, A. Festkorper Thermodynamic; Verlag Chemie: Weinheim, Germany, 2004; p 122.
25. Liu, X.; Biju, K. P.; Shin, J.; Sadaf, S. M.; Hwang, H. Appl. Phys. Lett. 2011, 99 (113518) 1-3
26. Biju, K. P.; Liu, X.; Kim, S.; Lee, J.; Hwang, H. Current Appl. Phys. 2011, 11, e62-e65
27. Lee, S.; Kim, H.; Park, J.; Yong, K. J. Appl. Phys. 2010, 108 (76101) 1-3
28. Chang, W. Y.; Lai, Y. C.; Wang, S. F.; Wu, T. B. Appl. Phys. Lett. 2008, 92 (022110) 1-3
29. Peng, H. Y.; Li, G. P.; Ye, J. Y.; Wei, Z. P.; Zhang, Z. Appl. Phys. Lett. 2010, 96 (192113) 1-3
30. Thermadam, S. P.; Bhagat, S. K.; Alford, T. L.; Sakaguchi, Y.; Kozicki, M. N.; Mitkova, M. Thin Solid Films 2009, 518, 3293-3298
31. Syu, Y. E.; Chang, T. C.; Tsai, T. M.; Chang, G. W.; Chang, K. C. Appl. Phys. Lett. 2012, 100 (022904) 1-4
32. Lin, T. Y.; Chen, L. M.; Chang, S. C.; Chin, T. S. Appl. Phys. Lett. 2009, 95 (162105) 1-3
33. Schindler, C.; Weides, M.; Kozicki, M. N.; Waser, R. Appl. Phys. Lett. 2008, 92 (122910) 1-3
34. Hou, T. H.; Lin, K. L.; Shieh, J.; Lin, J. H.; Chou, C. T. Appl. Phys. Lett. 2011, 98 (103511) 1-3
35. Walczyk, C.; Wenger, C.; Walczyk, D.; Lukosius, M.; Costina, I. J. Vac. Sci. Technol. B 2011, 29 (01AD02) 1-7
36. Lee, H. Y.; Chen, P. S.; Wu, T. Y.; Chen, Y. S.; Wang, C. C.; Tzeng, P. J.; Lin, C. H.; Chen, F.; Lien, C. H.; Tsai, M. J. IEEE Int. Electron Devices Meeting 2008, 4796677, 1-4
37. Lin, K. L.; Hou, T. H.; Lee, Y. J.; Lin, J. H.; Chang, J. W.; Shieh, J.; Chou, C. T.; Chang, W. H. Proceedings of the 2011 International Semiconductor Device Research Symposium; Electron Devices Society, IEEE: Piscataway, NJ, 2011; Vol. 6135404, pp 1-2
38. Sedghi, N.; Davey, W.; Mitrovic, I. Z.; Hall, S. J. Vac. Sci. Technol. 2011, B 29 (01AB10) 1-8
39. Atanassova, E.; Paskaleva, A. J. Appl. Phys. 2005, 97 (094104) 1-11
40. Skeparovski, A.; Novkovski, N.; Atanassova, E.; Spassov, D.; Paskaleva, A. J. Phys. D: Appl. Phys. 2009, 42 (095302) 1-8
41. Yeargan, J. R.; Taylor, H. L. J. Appl. Phys. 1968, 39 (5600) 1-5
42. Yeh, P. Optical Waves in Layered Media; Wiley: New York, 1988.
43. Chang, W. Y.; Peng, C. S.; Lin, C. H.; Tsai, J. M.; Chiu, F. C.; Chueh, Y. L. J. Electrochem. Soc. 2011, 158, H872-H875
44. Kim, K. M.; Choi, B. J.; Lee, M. H.; Kim, G. H.; Song, S. J.; Seok, J. Y.; Yoon, J. H.; Han, S. W.; Hwang, C. S. Nanotechnology 2011, 22 (254010) 1-8
45. Govoreanu, B.; Blomme, P.; Rosmeulen, M.; Houdt, J.; Van Meyer, K. D. IEEE Electron Device Lett. 2003, 24, 99-101
46. Zhou, M. X.; Li, Z. W.; Chen, B.; Wan, J. G.; Liu, J. M. J. Phys D: Appl. Phys. 2013, 46 (165304) 1-8
47. Voora, V. M.; Hofmann, T.; Brandt, M.; Lorenz, M.; Groundman, M.; Ashkenov, N.; Schubert, M. Appl. Phys. Lett. 2009, 94 (142904) 1-3
48. Djurisic, A. B.; Chen, X.; Leunga, Y. H.; Ng, A. M. C. J. Mater. Chem. 2012, 22, 6526-6535
49. Fang, L.; Baik, S. J.; Kim, J. W.; Kang, S. J.; Seo, J. W.; Jeon1, J. W.; Kim, Y. H.; Lim, K. S. J. Appl. Phys. 2011, 109 (104501) 1-4
50. Lee, M. J.; Lee, C. B.; Lee, D.; Lee, S. R.; Chang, M.; Hur, J. H.; Kim, Y. B.; Kim, C. J.; Yoo, I. K.; Kim, K. Nat. Mater. 2011, 10, 625-630