Low-temperature, high-performance solution-processed thin-film transistors with peroxo-zirconium oxide dielectric

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 5, Issue 2, 2013, Pages 410-417

  Park, Jee Ho ^a   Yoo, Young Bum ^a   Lee, Keun Ho ^a   Jang, Woo Soon ^a   Oh, Jin Young ^a   Chae, Soo Sang ^a   Baik, Hong Koo ^a  

^a Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

hydrogen peroxide; indium zinc oxide; peroxo zirconium; solution process; thin film transistor; zirconium oxide

Indexed keywords

CHANNEL LAYERS; INDIUM ZINC OXIDES; LOW TEMPERATURES; MAXIMUM TEMPERATURE; OXIDE DIELECTRIC; PEROXO GROUP; PEROXO-ZIRCONIUM; POSITIVE GATE BIAS; SMOOTH SURFACE; SOLUTION PROCESS; SOLUTION-PROCESSED; THIN-FILM TRANSISTOR (TFTS); XPS ANALYSIS;

AMORPHOUS FILMS; HYDROGEN PEROXIDE; OXIDES; SEMICONDUCTING ORGANIC COMPOUNDS; THIN FILM TRANSISTORS; ZIRCONIA; ZIRCONIUM;

ZIRCONIUM ALLOYS;

EID: 84872869921     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am3022625     Document Type: Article

References (44)

1. Banger, K. K.; Yamashita, Y.; Mori, K.; Peterson, R. L.; Leedham, T.; Rickard, J.; Sirringhaus, H. Nat. Mater. 2011, 10, 45-50
2. Kim, M. G.; Kanatzidis, M. G.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Nat. Mater. 2011, 10, 382-388
3. Park, J. H.; Choi, W. J.; Oh, J. Y.; Chae, S. S.; Jang, W. S.; Lee, S. J.; Song, K. M.; Baik, H. K. Jpn. J. Appl. Phys. 2011, 50, 070201
4. Meyers, S. T.; Anderson, J. T.; Hung, C. M.; Thompson, J.; Wager, J. F.; Keszler, D. A. J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 17603-9
5. Kim, G. H.; Shin, H. S.; Ahn, B. D.; Kim, K. H.; Park, W. J.; Kim, H. J. J. Electrochem. Soc. 2009, 156, H7-H9
6. Kim, K. M.; Kim, C. W.; Heo, J. S.; Na, H.; Lee, J. E.; Park, C. B.; Bae, J. U.; Kim, C. D.; Jun, M.; Hwang, Y. K.; Meyers, S. T.; Grenville, A.; Keszler, D. A. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 242109
7. Rim, Y. S.; Jeong, W. H.; Kim, D. L.; Lim, H. S.; Kim, K. M.; Kim, H. J. J. Mater. Chem. 2012, 22, 12491-12497
8. Lee, M. S.; An, C. H.; Lim, J. H.; Joo, J. H.; Lee, H. J.; Kim, H. J. Electrochem. Soc. 2010, 157, G142-G146
9. Pal, B. N.; Dhar, B. M.; See, K. C.; Katz, H. E. Nat. Mater. 2011, 10, 45-50
10. Adamopoulos, G.; Thomas, S.; Bradley, D. D. C.; McLachlan, M. A.; Anthopoulos, T. D. Appl. Phys. Lett. 2011, 98, 123503
11. Meyers, S. T.; Anderson, J. T.; Hong, D.; Hung, C. M.; Wager, J. F.; Keszler, D. A. Chem. Mater. 2007, 19, 4023-4029
12. Jiang, K.; Anderson, J. T.; Hoshino, K.; Li, D.; Wager, J. F.; Keszler, D. A. Chem. Mater. 2011, 23, 945-952
13. Avis, C.; Jang, J. J. Mater. Chem. 2011, 21, 10649-10652
14. Kim, S. J.; Yoon, D. H.; Rim, Y. S.; Kim, H. J. Electrochem. Solid-State Lett. 2011, 14, E35-E37
15. Zhu, L. Q.; Fang, Q.; He, G.; Liu, M.; Zhang, L. D. Mater. Lett. 2006, 60, 888-891
16. Goedicke, K.; Liebig, J. S.; Zywitzki, U. O.; Sahm, H. Thin Solid Films 2000, 37, 377-378
17. Scholes, F. H.; Hughes, A. E.; Hardin, S. G.; Lynch, P.; Miller, P. R. Chem. Mater. 2007, 19, 2321-2330
18. Picquart, M.; López, T.; Gómez, R.; Torres, E.; Moreno, A.; Garcia, J. J. Therm. Anal. Calorim. 2004, 76, 755-761
19. Zhu, M.; Chen, P.; Fu, R. K.Y.; Liu, W.; Lin, C.; Chu, P. K. Thin Solid Films 2005, 476, 312-316
20. Lu, C. H.; Raitano, J. M.; Khalid, S.; Zhang, L.; Chan, S. W. J. Appl. Phys. 2008, 103, 124303
21. Anderson, J. T.; Munsee, C. L.; Hung, C. M.; Phung, T. M.; David, G. S. H.; Johnson, C.; Wager, J. F.; Keszler, D. A. Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 2117-2124
22. Venkataraj, S.; Kappertz, O.; Weis, H.; Drese, R.; Wuttig, M. J. Appl. Phys. 2002, 92, 3599
23. Mergel, D. Thin Solid Films 2001, 397, 216-222
24. Ochando, I. M.; Vila, M.; Prieto, C. Vacuum 2007, 81, 1484-1488
25. Niinistö, J.; Putkonen, M.; Niinisto, L.; Kukli, K.; Ritala, M.; Leskela, M. J. Appl. Phys. 2004, 95, 84
26. Socrates, G. Infrared Characteristic Group Frequencies: Tables and Charts, 3 rd ed.; John Wiley & Sons: New York, 1994; Vol. 6, p 94.
27. Shearer, J.; Scarrow, R. C.; Kovacs, J. A. J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 11709-11717
28. Powers, D. A.; Gray, H. B. Inorg. Chem. 1973, 12, 2721-2726
29. Agarwal, M.; Guire, M. R. D.; Heuer, A. H. J. Am. Ceram. Soc. 1997, 80, 2967-2981
30. Valov, I.; Stoychev, D.; Marinova, T. Electrochim. Acta 2002, 47, 4419-4431
31. Yang, B. L.; Lai, P. T.; Wong, H. Microelectron. Reliab. 2007, 44, 709-718
32. Mead, C. A. Phys. Rev. 1962, 128, 2088-2093
33. Cheong, K. Y.; Moon, J. H.; Kim, H. J.; Bahng, W.; Kim, N. J. Appl. Phys. 2008, 103, 084113
34. Chiu, F.; Wang, J.; Lee, J. Y.; Wu, S. C. J. Appl. Phys. 1997, 81, 6911
35. Zhao, Y. P.; Wang, G. C.; Lu, T. M. Phys. Rev. B 1999, 60, 9157-9164
36. Haspert, L. C.; Lee, S. B.; Rubloff, G. W. ACS Nano 2012, 6, 3528-3536
37. Niahii, J.; Ohtomo, A.; Ohtani, K.; Ohno, H.; Kawasaki, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, L1193-L1195
38. Snow, E. H.; Grove, A. S.; Deal, B. E.; Sah, C. T. J. Appl. Phys. 1965, 36, 1664-1673
39. Chanthaphan., A.; Hosoi, T.; Mitani, S.; Nakano, Y.; Nakamura, T.; Shimura, T.; Watanabe, H. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 252103
40. Liu, J.; Buchholz, D. B.; Hennek, J. W.; Chang, R. P. H.; Facchetti, A.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2010, 132, 11934-11942
41. Nayak, P. K.; Hedhili, M. N.; Cha, D.; Alshareef, H. N. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 202106
42. Wang, L.; Yoon, M. H.; Lu, G.; Yang, Y.; Facchetti, A.; Marks, T. J. Nat. Mater. 2006, 5, 893-900
43. Adamopoulos, G.; Thomas, S.; Wöbkenberg, P. H.; Bradley, D. D. C.; McLachlan, M. A.; Anthopoulos, T. D. Adv. Mater. 2011, 23, 1894-1898
44. Schaeffer, J. K.; Gilmer, D. C.; Samavedam, S.; Raymond, M.; Haggag, A.; Kalpat, S.; Steimle, B.; Capasso, C.; White, B. E. J. Appl. Phys. 2007, 102, 074511