High-mobility field-effect transistors based on single-crystalline ZnO channels

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 44, Issue 37-41, 2005, Pages

  Nishh, Junya ^a,b   Ohtomo, Akira ^a   Ohtani, Keita ^b   Ohno, Hideo ^b   Kawasaki, Masashi ^a,c  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^b TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^c NONE   (Japan)

Author keywords

Field effect mobility; Field effect transistor; Laser molecular beam epitaxy; ScAlMgO4; ZnO

Indexed keywords

ALUMINA; ELECTRON BEAMS; EVAPORATION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SINGLE CRYSTALS; ZINC OXIDE;

FIELD-EFFECT MOBILITY; LASER MOLECULAR-BEAM EPITAXY; SCALMGO4; SURFACE STATES;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 32044445325     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.44.L1193     Document Type: Article

References (23)

1. K. Nomura, H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono: Science 300 (2003) 1269.
2. G.-C. Yi, C. Wang and W. I. Park; Semicond. Sci. Technol. 20 (2005) S22.
3. Y. W. Heo, D. P. Norton, L. C. Tien, Y. Kwon, B. S. Kang, F. Ren, S. J. Pearton and J. R. LaRoche: Mater. Sci. Eng. R 47 (2005) 1.
4. T. Minami: Semicond. Sci. Technol. 20 (2005) S35.
5. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert and D. Ferrand: Science 287 (2000) 1019.
6. D. Chiba, M. Yamanouchi, F. Matsukura and H. Ohno: Science 301 (2003) 943.
7. M. W. J. Prins, K.-O. Grosse-Holz, G. Müller, J. F. M. Cillessen, J. B. Giesbers, R. P. Weening and R. M. Wolf: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 3650.
8. R. L. Hoffman, B. J. Norris and J. F. Wager: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 733.
9. J. Nishii, F. M. Hossain, S. Takagi, T. Aita, K. Saikusa, Y. Ohmaki, I. Ohkubo, S. Kishimoto, A. Ohtomo, T. Fukumura, F. Matsukura, Y. Ohno, H. Koinuma, H. Ohno and M. Kawasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) L347.
10. T. Miyasako, M. Senoo and E. Tokumitsu: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 162902.
11. H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, J. Jeong and D. A. Keszler: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 013503.
12. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono: Nature 432 (2004) 488.
13. R. L. Hoffman: J. Appl. Phys. 95 (2004) 5813.
14. E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Gonçalves, A. J. S. Marques, R. F. P. Martins and L. M. N. Pereira: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 2541.
15. T. I. Suzuki, A. Ohtomo, A. Tsukazaki, F. Sato, J. Nishii, H. Ohno and M. Kawasaki: Adv. Mater. 16 (2004) 1887.
16. A. Ohtomo, H. Kimura, K. Saito, T. Makino, Y. Segawa, H. Koinuma and M. Kawasaki: J. Cryst. Growth 214-215 (2000) 284.
17. F. M. Hossain, J. Nishii, S. Takagi, A. Ohtomo, T. Fukumura, H. Fujioka, H. Ohno, H. Koinuma and M. Kawasaki: J. Appl. Phys. 94 (2003) 7768.
18. F. M. Hossain, J. Nishii, S. Takagi, T. Sugihara, A. Ohtomo, T. Fukumura, H. Koinuma, H. Ohno and M. Kawasaki: Physica E 21 (2004) 911.
19. A. Ohtomo, K. Tamura, K. Saikusa, K. Takahashi, T. Makino, Y. Segawa, H. Koinuma and M. Kawasaki: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 2635.
20. K. Ueno, I. H. Inoue, H. Akoh, M. Kawasaki, Y. Tokura and H. Takagi: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 1755.
21. Y. Margoninski and D. Eger: Surf. Sci. 80 (1979) 579.
22. N. Lustig and J. Kanicki: J. Appl. Phys. 65 (1989) 3951.
23. E. H. Snow, A. S. Grove, B. E. Deal and C. T. Sah: J. Appl. Phys. 36 (1965) 1664.