One-dimensional ZnO nanostructures

Journal of Nanoscience and Nanotechnology

Volumn 12, Issue 6, 2012, Pages 4409-4457

  Jayadevan, K P ^a   Tseng, T Y ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

Alloy; Anisotropy; Aspect Ratio; Atmosphere; Band Gap; Binding Energy; Carbothermal Reaction; Catalyst; Clusters; Dendrites; Dopants; Electromechanical Devices; Excitons; Field Emission; Field Effect Transistors; Growth; Growth Rate; Heterostructure; Hydrothermal Process; Morphology; Nanobelt; Nanorod; Nanostructures; Nanotube; Nanowire; Nucleation; Number Density; Orientation; Oriented Attachment; Oxide Assisted Growth; Photoluminescence; Pressure; Processing Microstructure Property; Quantum Confinement; Quantumwires Rod; Self Assembly; Semiconductor; Sensors; Single Crystal; Solution Liquid Solid (SLS); Solvothermal Process; Substrate; Supersaturation; Temperature; Template; Thermal Budget; Time; Ultra Violet (UV) Lasers; Vapor Liquid Solid (VLS); Vapor Solid (VS); ZnO

Indexed keywords

CARBOTHERMAL REACTIONS; CLUSTERS; HYDROTHERMAL PROCESS; NUMBER DENSITY; ORIENTED ATTACHMENT; OXIDE-ASSISTED GROWTHS; PROCESSING-MICROSTRUCTURE-PROPERTY; QUANTUMWIRES/ROD; SOLUTION-LIQUID-SOLID (SLS); SOLVOTHERMAL PROCESS; TEMPLATE; THERMAL BUDGET; TIME; ULTRA-VIOLET; VAPOR-LIQUID-SOLID; VAPOR-SOLID; ZNO;

ALLOYS; ANISOTROPY; ASPECT RATIO; BINDING ENERGY; CATALYSTS; CERIUM ALLOYS; CRYSTAL ORIENTATION; DENDRITES (METALLOGRAPHY); DOPING (ADDITIVES); EARTH ATMOSPHERE; ELECTROMECHANICAL DEVICES; ENERGY GAP; EXCITONS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; FIELD EMISSION; GROWTH (MATERIALS); GROWTH RATE; HETEROJUNCTIONS; LIQUID LASERS; LIQUIDS; MICROSTRUCTURE; MORPHOLOGY; NANORODS; NANOSTRUCTURES; NANOTUBES; NANOWIRES; NUCLEATION; PHOTOLUMINESCENCE; PRESSURE; QUANTUM CONFINEMENT; SELF ASSEMBLY; SEMICONDUCTOR GROWTH; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; SENSORS; SINGLE CRYSTALS; SOLID SOLUTIONS; SUBSTRATES; SUPERSATURATION; TEMPERATURE; VAPORS; ZINC OXIDE;

NANOBELTS;

NANOMATERIAL; ZINC OXIDE;

CHEMISTRY; CONFORMATION; CRYSTALLIZATION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; MACROMOLECULE; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY; PARTICLE SIZE; REVIEW; SURFACE PROPERTY; ULTRASTRUCTURE;

CRYSTALLIZATION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; MACROMOLECULAR SUBSTANCES; MOLECULAR CONFORMATION; NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; PARTICLE SIZE; SURFACE PROPERTIES; ZINC OXIDE;

EID: 84863972399     PISSN: 15334880     EISSN: 15334899     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/jnn.2012.6486     Document Type: Review

References (225)

1. S. Ijima, Nature 354, 56 (1991).
2. D. Wheeler, D. Jossel, and T. P. Moffat, Technical Proceedings of International Conference on Modeling and Simulation of Microsystems (Nanotech) (2002), Vol. 1, p. 422.
3. Z. Liu, J. Zhang, G. Yang, Y. Cheng, O. Zhou, and J. P. Lu, Rev. Sci. Instr. 77, 054302 (2006).
4. (a) T. Y. Tseng and S. M. Sze (eds.), Nonvolatile Memories: Materials, Devices and Applications, American Scientific Publishers, Los Angeles, California (2012), Vol. 1-2
5. (b) T. J. Zega, L. A. J. Garvie, I. Dodony, and P. R. Buseck, Earth Planetary Sci. Lett. 223, 141 (2004)
6. (c) I. C. Yao, P. Lin, and T. Y. Tseng, Adv. Sci. Lett. 3, 548 (2010)
7. (d) I. C. Yao, D. Y. Lee, T. Y. Tseng, and P. Lin, Nanotechnology 23, 145201 (2012)
8. (e) I. C. Yao, P. Lin, and T. Y. Tseng, Sensors and Actuators A 118, 26 (2012)
9. (f) A. H. Castro Neto and K. Novoselov, Mater. Express 1, 10 (2011)
10. (g) I. Srivastava, Z.-Z. Yu, and N. A. Koratkar, Adv. Sci. Eng. Med. 4, 10 (2012)
11. (h) M. Seetha, D. Mangalaraj, and Y. Masuda, Adv. Sci. Eng. Med. 3, 202 (2011)
12. (i) Y. Ishii, K. Okamura, T. Matsushita, and S. Kawasaki, Mater. Express 2, 23 (2012)
13. (j) J. Ramanujam, D. Shiri, and A. Verma, Mater. Express 1, 105 (2011)
14. (k) X. Ma, M. Tsige, S. Uddin, and S. Talapatra, Mater. Express 1, 183 (2011).
15. J. Ouellette, The Industrial Physicist 18 (2002/2003).
16. http://www.chemsoc.org/viselements/pages/pdf/zinc.PDF. Chemical Science Network, The Royal Society of Chemistry, UK (2004).
17. R. Viswanatha, S. Sapra, B. Satpati, B. Satyam, B. N. Dev, and D. D. Sarma, J. Mater. Chem. 14, 661 (2004).
18. (a) S. Y. Li, P. Lin, C. Y. Lee, and T. Y. Tseng, J. Appl. Phys. 95, 3711 (2004)
19. (b) A. Umar and Y.-B. Hahn (eds.), Metal Oxide Nanostructures and Their Applications, American Scientific Publishers, Los Angeles, California (2010), Vol. 1-5
20. (c) S. Y. Li, C. Y. Lee, P. Lin, and T. Y. Tseng, J. Vacuum Sci. Technol. 24, 147 (2006)
21. (d) C. Y. Lee, T. Y. Tseng, S. Y. Li, and P. Lin, J. Appl. Phys. 99, 024303 (2006)
22. (e) C. Y. Lee, S. Y. Li, P. Lin, and T. Y. Tseng, IEEE Trans. Nanotechnology 5, 216 (2006)
23. (f) I. C. Yao, P. Lin, and T. Y. Tseng, Nanotechnology 20, 125202 (2009)
24. (g) S. N. Bai, H. H. Tsai, and T. Y. Tseng, Thin Solid Films 516, 155 (2007)
25. (h) Y. S. Chen and T. Y. Tseng, Adv. Sci. Lett. 1, 123 (2008)
26. (i) Y. S. Chen and T. Y. Tseng, J. Nanosci. Nanotechnol. 8, 4514 (2008)
27. (j) C. Y. Yao, G. J. Chen, and T. Y. Tseng, J. Nanosci. Nanotechnol. 8, 4432 (2008)
28. (k) S. N. Bai and T. Y. Tseng, J. Mater. Sci.-Mater. Electronics 20, 604 (2009)
29. (l) P. K. Giri, S. Bhattacharyya, B. Chetia, S. Kumari, D. K. Singh, and P. K. Iye, J. Nanosci. Nanotechnol. 12, 201 (2012)
30. (m) T. Rakshit, S. Mandal, P. Mishra, A. Dhar, I. Manna, and S. K. Ray, J. Nanosci. Nanotechnol. 12, 308 (2012)
31. (n) K. S. Shin, H. J. Park, B. Kumar, K. Kim, S. H. Kim, and S. W. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol. 12, 1234 (2012)
32. (o) V. Srivastava, E. S. Babu, S. K. Han, H. S. Lee, D. S. Lim, H. Kim, D. Kim, and S. K. Hong, J. Nanosci. Nanotechnol. 12, 1328 (2012)
33. (p) J. P. Reddy, S. Kashyap, and A. K. Paul, Adv. Sci. Eng. Med. 4, 222 (2012)
34. (q) R. Vidya Sagar, Adv. Sci. Eng. Med. 4, 237 (2012)
35. (r) D. Kim, J. Yoon, and H. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol. 12, 1483 (2012)
36. (s) K. Y. Lee, B. Kumar, H. K. Park, W. M. Choi, J. Y. Choi, and S. W. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol. 12, 1551 (2012)
37. (t) T. Rakshit, S. Mandal, P. Mishra, A. Dhar, I. Manna, and S. K. Ray, J. Nanosci. Nanotechnol. 12, 308 (2012)
38. (u) A. S. G. Khalil, S. Hartner, M. Ali, H. Wiggers, and M. Winterer, J. Nanosci. Nanotechnol. 11, 10839 (2011)
39. (v) P. Joshi, S. Chakraborti, P. Chakrabarti, S. P. Singh, Z. A. Ansari, M. Husain, and V. Shanker, Sci. Adv. Mater. 4, 173 (2012)
40. (w) R. T. Sapkal, S. S. Shinde, A. R. Babar, A. V. Moholkar, K. Y. Rajpure, and C. H. Bhosale, Mater. Express 2, 64 (2012)
41. (x) D. Pradhan, S. K. Mohapatra, S. Tymen, M. Misra, and K. T. Leung, Mater. Express 1, 59 (2011).
42. J. C. Johnson, K. P. Knutsen, H. Yan. M. Law, Y. Zhang, P. Yang, and R. J. Saykally, Nano Lett. 4, 197 (2004).
43. Z. L. Wang, J. Phys.: Cond. Matter 16, R829 (2004).
44. Z. L. Wang, Materials Today 7, 26 (2004).
45. Y. Ding and Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 108, 12280 (2004).
46. Q. Tang, W. Zhou, J. Shen, W. Zhang, L. Kong, and Y. Qian, Chem. Commun. 6, 712 (2004).
47. K. Yu, Y. Zhang, L. Luo, W. Wang, Z. Zhu, J. Wang, Y. Cui, H. Ma, and W. Lu, Appl. Phys. A 79, 443 (2004).
48. J. H. Park and J. G. Park, Appl. Phys. A 80, 43 (2004).
49. S. Y. Li, C. Y. Lee, and T. Y. Tseng, J. Cryst. Growth 247, 357 (2003).
50. X. Wang, Q. Li, Z. Liu, J. Zhang, Z. F. Liu, and R. M. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 4941 (2004).
51. Z. W. Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
52. Y. F. Chen, R. M. Wang, H. Z. Zhang, X. C. Sun, Z. S. Zhang, Y. J. Xing, and D. P. Yu, Micron 35, 481 (2004).
53. J. S. Lee, K. Park, M. I. Kang, I. W. Park, S. W. Kim, W. K. Cho, H. S. Han, and S. Kim, J. Cryst. Growth 254, 423 (2003).
54. R. M. Wang, Y. J. Xing, J. Xu, and D. P. Yu, New. J. Phys. 5, 115 (2003).
55. X. H. Kong, X. M. Sun, X. L. Li, and Y. D. Li, Mater. Chem. Phys. 82, 997 (2003).
56. Y. Wu and P. Yang, J. Am. Chem. Soc. 123, 3165 (2001).
57. C. Y. Lee, T. Y. Tseng, S. Y. Li, and P. Lin, Tamkang J. Sci. Engg. 6, 127 (2003).
58. Y. Xia, P. Yang, Y. Sun, Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. Yin, F. Kim, and H. Yan, Adv. Mater. 15, 353 (2003).
59. C. N. R. Rao, F. L. Deepak, G. Gundiah, and A. Govindaraj, Prog. Solid State Chem. 31, 5 (2003).
60. J. Hu, T. W. Odom, and C. M. Lieber, Acc. Chem. Res. 32, 435 (1999).
61. Y. Wu, H. Yan, M. Huang, B. Messer, J. H. Song, and P. Yang, Chem. Eur. J 8, 1261 (2002).
62. S. Y. Li, P. Lin, C. Y. Lee, and T. Y. Tseng, J. Mater. Sci.: Materials in Electronics 15, 505 (2004).
63. R. S. Wagner and W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
64. B. J. Chen, X. W. Sun, C. X. Xu, and B. K. Tay, Physica E 21, 103 (2004).
65. J. Park, H. H. Choi, K. Seibein, and R. K. Singh, J. Cryst. Growth 258, 342 (2003).
66. Y. W. Wang, L. D. Zhang, G. Z. Wang, X. S. Peng, Z. Q. Chu, and C. H. Liang, J. Cryst. Growth 234, 171 (2002).
67. I. S. Kim and G. H. Lee, Solid State Commun. 123, 191 (2002).
68. H. J. Yuan. X. X. Xie, D. F. Liu, X. Q. Yan, Z. P. Zhou, L. J. Ci, J. X. Wang, Y. Gao, L. Song, L. F. Liu, W. Y. Zhou, and G. Wang, Chem. Phys. Lett. 371, 337 (2003).
69. K. Yamamoto, K. Nagasawa, and Y. Ohmori, Physica E 24, 129 (2004).
70. X. Wang, C. J. Summers, and Z. L. Wang, Nano Lett. 4, 423 (2004).
71. M. Haupt, A. Ladenburger, R. Sauer, K. Thonke, R. Glass, W. Roos, J. P. Spatz, H. Rauscher, S. Riethmuller, and M. Moller, J. Appl. Phys. 93, 6252 (2003).
72. Y. Y. Wu., H. Q. Yan, and P. D. Yang, Top. Catal. 19, 197 (2002).
73. P. X. Gao and Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 108, 7534 (2004).
74. Y. Ding, P. X. Gao, and Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 126, 2066 (2004).
75. G. Cao and S. J. Limmer, Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, edited by H. S. Nalwa, American Scientific Publishers, CA, USA (2004), Vol. 8, p. 377.
76. Y. K. Tseng, H. C. Hsu, W. F. Hsieh, K. S. Liu, and I. C. Chen, J. Mater. Res. 18, 2837 (2003).
77. H. S. Nalwa (ed.), Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, American Scientific Publishers, CA (2004), Vols. 1-10.
78. S. Y. Li, C. Y. Lee, and T. Y. Tseng (Unpublished results).
79. P. X. Gao and Z. L. Wang, J. Phys. Chem. B 106, 12653 (2002).
80. S. Y. Bae, H. W. Seo, H. C. Choi, J. G. Park, and J. C. Park, J. Phys. Chem B 108, 12318 (2004).
81. X. S. Peng, G. W. Meng, J. Zhang, X. F. Wang, Y. W. Wang, C. Z. Wang, and L. D. Zhang, J. Mater. Chem. 12, 1602 (2002).
82. B. P. Zhang, N. T. Binh, K. Wakatsuki, Y. Segawa, Y. Yamada, N. Usami, M. Kawasaki, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 84, 4098 (2004).
83. Y. Zhang, H. Jia, X. Luo, X. Chen, D. Yu, and R. Wang, J. Phys. Chem. B 107, 8289 (2003).
84. G. W. Sears, Acta Met. 4, 361 (1955).
85. Y. J. Xing, Z. H. Xi, X. D. Zhang, J. H. Song, R. M. Wang, J. Xu, Z. Q. Xue, and D. P. Yu, Appl. Phys. A 80, 1527 (2005).
86. J. Y. Lao, J. Y. Huang, D. Z. Wang, and Z. F. Ren, Nano Lett. 3, 235 (2003).
87. J. Y. Lao, J. G. Wen, and Z. F. Ren, Nano Lett. 2, 1287 (2002).
88. D. Banerjee, J. Y. Lao, D. Z. Wang, J. Y. Huang, D. Steeves, B. Kimball, and Z. F. Ren, Nanotechnology 15, 404 (2004).
89. H. C. Hsu, Y. K. Tseng, H. M. Cheng, J. H. Kuo, and W. F. Hsieh, J. Cryst. Growth 261, 520 (2004).
90. X. Y. Chen, C. H. An, J. W. Liu, X. Wang, and Y. T. Qian, J. Cryst. Growth 253, 357 (2003).
91. J. S. Lee, M. I. Kang, S. Kim, M. S. Lee, and Y. K. Lee, J. Cryst. Growth 249, 201 (2003).
92. B. Y. Geng, T. Xie, X. S. Peng, Y. Lin, X. Y. Yuan, G. W. Meng, and L. D. Zhang, Appl. Phys. A 77, 363 (2003).
93. C. N. R. Rao, G. Gundiah, F. L. Deepak, A. Govindaraj, and A. K. Cheetham, J. Mater. Chem. 14, 440 (2004).
94. J. H. Park, H. J. Choi, and J. G. Park, J. Cryst. Growth 263, 237 (2004).
95. G. Gundiah, F. L. Deepak, A. Govindaraj, and C. N. R. Rao, Top. Catal. 24, 137 (2003).
96. Z. Chen, Z. W. Shan, S. X. Li, C. B. Liang, and S. X. Mao, J. Cryst. Growth 265, 482 (2004).
97. X. H. Kong, X. M. Sun, and Y. D. Li, Chem. Lett. 32, 546 (2003).
98. H. T. Ng, B. Chen, J. Li, J. E. Han, M. Meyyappan, J. Wu. S. X. Li, and E. E. Haller, Appl. Phys. Lett. 82, 2023 (2003).
99. R. Q. Zhang, Y. Lifshitz, and S. T. Lee, Adv. Mater. 15, 635 (2003).
100. T. W. Kim. T. Kawazoe, S. Yamazaki, M. Ohtsu, and T. Sekiguchi, Appl. Phys. Lett. 84, 3358 (2004).
101. H. Y. Dang, J. Wang, and S. S. Fan, Nanotechnology 14, 738 (2003).
102. M. Kawakami, A. B. Hartanto, Y. Nakada, and T. Okada, Jpn. J. Appl. Phys. 42, L33 (2003).
103. S. C. Lyu, Y. Zhang, C. J. Lee, H. Ruh, and H. J. Lee, Chem. Mater. 15, 3294 (2003).
104. C. C. Tang, S. S. Fan, M. L. de la Chapelle, and P. Li, Chem. Phys. Lett. 333, 12 (2001).
105. C. Tang, Y. Bando, and T. Sato, J. Phys. Chem B 106, 7479 (2002).
106. J. C. Hulteen and C. R. Martin, J. Mater. Chem. 7, 1075 (1997).
107. A. Huczko, Appl. Phys. A 70, 365 (2000).
108. K.-K. Lew, C. Reuther, A. H. Carim, J. M. Redwing, and B. R. Martin, J. Vac. Sci. Tech. B 20, 389 (2002).
109. M. J. Zheng, L. D. Zhang, G. H. Li, and W. Z. Shen, Chem. Phys. Lett. 363, 123 (2002).
110. M. Izaki and T. Omi, Appl. Phys. Lett. 68, 2439 (1996).
111. Th. Pauporte and D. Lincot, Appl. Phys. Lett. 75, 3817 (1999).
112. Y. Li, G. W. Meng, L. D. Zhang, and F. Phillip, Appl. Phys. Lett. 76, 2011 (2000).
113. Z. R. Tian, J. A. Voigt, B. Mckenzie, M. J. Mcdermott, M. A. Rodriguez, H. Konishi, and H. Xu, Nature Materials 2, 821 (2003).
114. B. B. Lakshmi, P. K. Dorhout, and C. R. Martin, Chem. Mater. 9, 857 (1997).
115. S. Shingubara, J. Nanoparticle Res. 5, 17 (2003).
116. X. H. Zhang, S. Y. Xie, Z. Y. Jiang, X. Zhang, Z. Q. Tian, Z. X. Xie, R. B. Huang, and L. S. Zheng, J. Phys. Chem. B 107, 10114 (2003).
117. J. Jie, G. Wang, Q. Wang, Y. Chen, X. Han, X. Wang, and J. G. Hou, J. Phys. Chem. B 108, 11976 (2004).
118. H. Chik, J. Liang, S. G. Cloutier, N. Kouklin, and J. M. Xu, Appl. Phys. Lett. 84, 3376 (2004).
119. H. Kim and W. Sigmund, Appl. Phys. Lett. 81, 2085 (2002).
120. H. Q. Wu, X. W. Wei, M. W. Shao, and J. S. Gu, J. Cryst. Growth 265, 184 (2004).
121. Z. R. Tian, J. A. Voigt, J. Liu, B. Mckenzie, and M. J. Mcdermott, J. Am. Chem Soc. 124, 12954 (2002).
122. J. J. Trentler, S. C. Goel, K. M. Hickman, A. M. Viano, P. C. Gibbons, W. E. Buhro, Science 270, 1791 (1995).
123. L. Manna, E. C. Scher, and A. P. Alivisatos, J. Am. Chem. Soc. 122, 12700 (2000).
124. C. C. Chen, C. Y. Chao, and Z. H. Lang, Chem. Mater. 12, 1516 (2000).
125. Y. Liu, Z. Liu, and G. Wang, J. Cryst. Growth 252, 313 (2003).
126. C. K. Xu, Z. Liu, S. Liu, and G. Wang, Scripta Mater. 48, 1367 (2003).
127. B. Liu and C. Zeng, Langmuir 20, 4196 (2004).
128. B. L. Cushing, V. L. Kolesnichenko, and C. J. O' Connor, Chem. Rev. 104, 3893 (2004).
129. H. Seto, D. Okuhara, Y. Kawabata, T. Takeda, M. Nagao, J. Suzuki, H. Kamikubo, and Y. Amemiya, J. Chem. Phys. 112, 10608 (2000).
130. J. Zhang, L. D. Sun, H. Pan, C. S. Liao, and C. H. Yan, New J. Chem. 26, 33 (2002).
131. J. Zhang, L. D. Sun, X. C. Jiang, C. S. Liao, and C. H. Yan, Cryst. Growth & Des. 4, 309 (2004).
132. S. M. Lee, S. N. Cho, and J. W. Cheon, Adv. Mater. 15, 441 (2003).
133. H. Zhang, D. Yang, Y. Ji, X. Ma, J. Xu, and D. Que, J. Phys. Chem. B 108, 3955 (2004).
134. J. H. Choy, E. S. Jang, J. H. Won, J. H. Jung, D. J. Jang, and Y. W. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 287 (2004).
135. J. Wang and L. Gao, Solid State Commun. 132, 269 (2004).
136. C. Y. Lee, T. Y. Tseng S. Y. Li, and P. Lin, J. Appl. Phys. 99, Art No. 024303 (2006).
137. M. D. Sacks and T. Y. Tseng, J. Am. Ceram. Soc. 67, 526 (1984).
138. C. Pacholski, A. Kornowski, and H. Weller, Angew. Chem. Int. Ed. 41, 1188 (2002).
139. K. Govender, D. S. Boyle, P. O'Brien, D. Binkes, D. West, and D. Coleman, Adv. Mater. 14, 1221 (2002).
140. J. H. Choy, E. S. Jang, J. H. Won, J. H. Chung, D. J. Jang, and Y. W. Kim, Adv. Mater. 15, 1911 (2003).
141. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1892 (2001).
142. H. C. Hsu and W. F. Hsieh, Solid State Commun. 131, 371 (2004).
143. D. Wang, F. Qian, C. Yang, Z. Zhong, and C. M. Leiber, Nano Lett. 4, 871 (2004).
144. J. G. Wen, J. Y. Lao, D. Z. Wang, T. M. Kyaw, Y. L. Foo, and Z. F. Ren, Chem. Phys. Lett. 372, 717 (2003).
145. S. Y. Li, P. Lin, C. Y. Lee, T. Y. Tseng, and C. J. Huang, J. Phys. D: Appl. Phys. 37, 2274 (2004).
146. L. Vayssieres, Adv. Mater. 15, 464 (2003).
147. Y. W. Heo, C. Abernathy, K. Pruessner, W. Sigmund, D. P. Norton, M. Overberg, F. Ren, and M. F. Chisholm, J. Appl. Phys. 96, 3424 (2004).
148. W. I. Park, G. C. Yi, J. W. Kim, and S. M. Park, Appl. Phys. Lett. 82, 4358 (2003).
149. S. W. Jung, W. I. Park, G. C. Yi, and M. Kim, Adv. Mater. 15, 1358 (2003).
150. J. W. Chiou, J. C. Jan, H. M. Tsai, C. W. Bao, W. F. Pong, M. H. Tsai, I. H. Hong, R. Klauser, J. F. Lee, J. J. Wu, and S. C. Liu, Appl. Phys. Lett. 84, 3462 (2004).
151. J. W. Chiou, S. Mookerjee, K. V. R. Rao, J. C. Jan, H. M. Tsai, K. Asokan, W. F. Pong, F. Z. Chien, M. H. Tsai, Y. K. Chang, Y. Y. Chen, J. F. Lee, C. C. Lee, and G. C. Chi, Appl. Phys. Lett. 81, 3389 (2002).
152. J. H. Guo, L. Vayssieres, C. Persson, R. Ahuja, B. Johansson, and R. Nordgren, J. Phys. Condens. Matter 14, 6969 (2002).
153. R. Klauser, I. H. Hong, T. H. Lee, G. C. Yin, D. H. Wei, K. L. Tsang, T. J. Chuang, S. C. Wang, S. Gwo, M. Zharnikov, ans J. D. Liao, Surf. Rev. Lett. 9, 213 (2002).
154. V. V. Ursaki, I. M. Tiginyanu, V. V. Zalamai, E. V. Rusu, G. A. Emelchenko, V. M. Masalov, and E. N. Samarov, Phys. Rev. B 70, 155204 (2004).
155. Y. Zhang, H. Jia, R. Wang, C. Chen. X. Luo, D. Yu, and C. Lee, Appl. Phys. Lett. 83, 4631 (2003).
156. R. P. Wang, G. Xu, and J. Lin, Phys. Rev. B 69, 113303 (2004).
157. J. Tauc, Optical Properties of Solids, edited by F. Abeles, North-Holland, Amsterdam (1972).
158. J. Wang and L. Gao, J. Mater. Chem. 13, 2551 (2003).
159. Q. X. Zhao, M. Willander, R. E. Morjan, Q. H. Hu, and E. E. B. Campbell, Appl. Phys. Lett. 83, 165 (2003).
160. B. D. Yao, Y. F. Chan, and N. Wang, Appl. Phys. Lett. 81, 757 (2002).
161. S. H. Jo, D. Banerjee, and Z. F. Ren, Appl. Phys. Lett. 85, 1407 (2004).
162. S. H. Jo, Y. Tu, Z. P. Huang, D. L. Carnahan, D. Z. Wang, and Z. F. Ren, Appl. Phys. Lett. 82, 3520 (2003).
163. S. H. Yang and M. Yokoyama, Mater. Chem. Phys. 51, 6 (1997).
164. S. H. Jo, J. Y. Lao, Z. F. Ren, R. A. Farrer, T. Baldacchini, and J. T. Fourkas, Appl. Phys. Lett. 83, 4821 (2003).
165. Y. W. Zhu, H. Z. Zhang, X. C. Sun, S. Q. Feng, J. Xu, Q. Zhao, B. Xiang, R. M. Wang, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 83, 144 (2003).
166. Y. B. Li, Y. Bando, and D. Goldberg, Appl. Phys. Lett. 84, 3603 (2004).
167. L. Dong, J. Jiao, D. W. Tuggle, J. M. Petty, S. A. Ellif, and M. Coulter, Appl. Phys. Lett. 82, 1096 (2003).
168. C. J. Lee, T. J. Lee, S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 3648 (2002).
169. Y. Gu, I. L. Kuskovsky, M. Yin, S. O'Brien, and G. F. Neumark, Appl. Phys. Lett. 85, 3833 (2004).
170. S. Ciraci, A. Buldum, and I. P. Batra, J. Phys.: Condens. Matter 13, R537 (2001).
171. Y. W. Heo, L. C. Tien, D. P. Norton, B. S. Kang, F. Ren, B. P. Gila, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 85, 2002 (2004).
172. M. Yin, Y. Gu, I. L. Kuskovsky, T. Andelman, Y. Zhu, G. F. Neumark, and S. O'Brien, J. Am. Chem. Soc. 126, 6206 (2004).
173. T. Yatsui, J. Lim, M. Ohtsu, S. J. An, and G. C. Yi, Appl. Phys. Lett. 85, 727 (2004).
174. W. I. Park, G. C. Yi, M. Kim, and S. J. Pennycook, Adv. Mater. 15, 526 (2004).
175. Y. W. Heo, L. C. Tien, Y. Kwon, D. P. Norton, S. J. Pearton, B. S. Kang, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 85, 2274 (2004).
176. H. T. Ng, J. Han, T. Yamada, P. Nguyen, Y. P. Chen, and M. Meyyappan, Nano Lett. 4, 1247 (2004).
177. C. Ronning, P. X. Gao, Y. Ding, Z. L. Wang, and D. Schwen, Appl. Phys. Lett. 84, 783 (2004).
178. N. I. Kovtyukhova, B. R. Martin, J. K. N. Mbindyo, T. E. Mallouk, M. Cabassi, and T. S. Mayer, Mater. Sci. Eng. C 19, 255 (2002).
179. C. H. Yan, J. Zhang, and L. D. Sun, Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, edited by H. S. Nalwa, American Scientific Publishers, CA, USA (2004), Vol. 10, p. 767.
180. Y. P. Wang, W. I. Lee, and T. Y. Tseng, Appl. Phys. Lett. 69, 1807 (1996).
181. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999).
182. D. C. Look, C. Coskun, B. Clafin, and G. C. Farlow, Physica B 340-342, 32 (2003).
183. A. Uedono, T. Koida, A. Tsukazaki, M. Kawasaki, Z. Q. Chen, S. F. Chichibu, and H. Koinuma, J. Appl. Phys. 93, 2481 (2003).
184. Y. Ma, G. T. Du, S. R. Yang, Z. T. Li, B. J. Zhao, X. T. Yang, T. P. Yang, Y. T. Zhang, and D. L. Liu, J. Appl. Phys. 95, 6268 (2004).
185. A. V. Singh, R. M. Mehra, A. Yoshida, and A. Wakahara, J. Appl. Phys. 95, 3640 (2004).
186. T. B. Hur, Y. H. Hwang, and H. K. Kim, J. Appl. Phys. 96, 1507 (2004).
187. C. C. Lin, C. S. Hsiao, S. Y. Chen, and S. Y. Cheng, J. Electrochem. Soc. 151, G285 (2004).
188. A. C. S. Sabioni, M. J. F. Ramos, and W. B. Ferraz, Mater. Res. (Brazil) 6, 173 (2003).
189. K. Lott, S. Shinkarenko, T. Kirsanova, L. Türn, E. Gorohova, A. Grebennik, and A. Vishnjakov, Phys. Stat. Soidi (c) 1, 2237 (2004).
190. F. Leiter, H. Alves, D. Pfisterer, N. G. Romanov, D. M. Hofman, and B. K. Meyer, Physica B 340-342, 201 (2003).
191. V. B. Shenoy, Appl. Phys. Lett. 85, 2376 (2004).
192. M. Yan, Z. T. Zhang, E. J. Widjaja, and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 94, 5240 (2003).
193. J. Zhong, S. Muthukumar, Y. Chen, Y. Lu, H. M. Ng, W. Jiang, and E. L. Garfunkel, Appl. Phys. Lett. 83, 3401 (2003).
194. J. Jie, G. Wang, X. Han, and J. G. Hou, J. Phys. Chem. B 108, 17027 (2004).
195. T. Nobis, E. M. Kaidashev, A. Rahm, M. Lorenz, J. Lenzner, and M. Grundmann, Nano Lett. 4, 797 (2004).
196. Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. Wang, X. L. He, X. G. Gao, and J. P. Li, Appl. Phys. Lett. 84, 3085 (2004).
197. Y. Q. Chang, D. B. Wang, X. H. Luo, X. Y. Xu, X. H. Chen, L. Li, C. P. Chen, R. M. Wang, J. Xu, and D. P. Yu, Appl. Phys. Lett. 83, 4020 (2003).
198. S. Y. Bae, H. W. Seo, and J. Park, J. Phys. Chem. B 108, 5206 (2004).
199. B. Y. Geng, G. Z. Wang, Z. Jiang, T. Xie, S. H. Sun, G. W. Meng, and L. D. Zhang, Appl. Phys. Lett. 82, 4791 (2003).
200. P. C. Chang, Z. Fan, D. Wang, W. Y. Tseng, W. A. Chiou, J. Hong, and J. G. Lu, Chem. Mater. 16, 5133 (2004).
201. X. Liu, X. Wu, H. Cao, and R. P. H. Chang, J. Appl. Phys. 95, 3141 (2004).
202. S. Yamauchi, T. Ashiga, A. Nagayama, and T. Hairu, J. Cryst. Growth 214/215, 63 (2000).
203. J. A. Voigt, Characterization of Ceramics, edited by R. E. Loehman and L. E. Fitzpatrck, Butterworth-Heinemann MA, USA (1993).
204. J. Zhang, L. D. Sun, J. Yin, H. Su, C. S. Liao, and C. H. Yan, Chem. Mater. 14, 4172 (2002).
205. F. H. Chen, H. S. Koo, and T. Y. Tseng, J. Am. Ceram. Soc. 75, 96 (1992).
206. L. E. Greene, M. Law, J. Goldberger, F. Kim, J. C. Johnson, Y. Zhang, R. J. Saykally, and P. Yang, Angew. Chem. Int. Ed. 42, 3031 (2003).
207. W. Lee, M. C. Jeong, and J. M. Myoung, Nanotechnology 15, 1441 (2004).
208. K. P. Jayadevan and T. Y. Tseng, Encyclopedia of Nanoscience and Nanotechnology, edited by H. S. Nalwa, American Scientific Publishers, CA, USA (2004), Vol. 8, p. 333.
209. V. A. L. Roy, A. B. Djurisic, W. K. Chan, J. Gao, H. F. Lui, and C. Surya, Appl. Phys. Lett. 83, 141 (2003).
210. T. Y. Kim, J. Y. Kim, M. Senthil Kumar, E. K. Suh, and K. S. Nahm, J. Cryst. Growth 270, 491 (2004).
211. S. Y. Li, P. Lin, C. Y. Lee, M. S. Ho, and T. Y. Tseng, J. Nanosci. Nanotechnol. 4, 968 (2004).
212. J. Rybczinski, D. Banerjee, A. Kosiorek, M. Giergsig, and Z. F. Ren, Nano Lett. 4, 2037 (2004).
213. H. J. Fan, F. Bertram, A. Dadgar, J. Christen, A. Krost, and M. Zacharias, Nanotechnology 15, 1401 (2004).
214. W. Lee, M. C. Jeong, and J. M. Myoung, Nanotechnology 15, 254 (2004).
215. J. Johnson. H. Yan, P. Yang, and R. Saykally, J. Phys. Chem. B 107, 8816 (2003).
216. H. Yan. J. Johnson, M. Law, R. He, K. Knutsen, J. R. McKinney, J. Pham, R. Saykally, and P. Yang, Adv. Mater. 15, 1907 (2003).
217. S. F. Yu, C. Yuen, S. P. Lau, W. I. Park, and G. C. Yi, Appl. Phys. Lett. 84, 3241 (2004).
218. W. I. Park and G. C. Yi, Adv. Mater. 16, 87 (2004).
219. C. H. Liu, W. C. Yiu, F. C. K. Au, J. X. Ding, C. S. Lee, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 83, 3168 (2003).
220. R. Könenkamp, L. Dloczik, K. Ernst, and C. Olesch, Physica E 14, 219 (2002)
221. C. L. Clement, A. Katty, S. Bastide, F. Zenia, I. Mora, and V. M. Sanjose, Physica E 14, 229 (2002).
222. Q. H. Li, Q. Wan, Y. X. Liang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 4556 (2004)
223. Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. Wang, X. L. He, and J. P. Li, Appl. Phys. Lett. 84, 3654 (2004).
224. Q. Wan, C. L. Lin, X. B. Yu, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 124 (2004).
225. W. L. Hughes and Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 82, 2886 (2003).