Efficient field emission from ZnO nanoneedle arrays

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 1, 2003, Pages 144-146

  Zhu, Y W ^a   Zhang, H Z ^a   Sun, X C ^a   Feng, S Q ^a   Xu, J ^a   Zhao, Q ^a   Xiang, B ^a   Wang, R M ^a   Yu, D P ^a  

^a PEKING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ARRAYS; ASPECT RATIO; CATHODES; CURRENT DENSITY; FIELD EMISSION DISPLAYS; GROWTH (MATERIALS); NANOSTRUCTURED MATERIALS;

NANONEEDLE ARRAYS;

ZINC OXIDE;

EID: 0041339632     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1589166     Document Type: Article

References (25)

1. D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, N. Wang, and X. S. Sun, Solid State Communications 105, 403 (1998); M. Morales, and C. M. Lieber, Science 279, 20 (1988); D. P. Yu, Z. G. Bai, Y. Ding, Q. L. Hang, H. Z. Zhang, and S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 72, 3458 (1998); D. P. Yu, Z. G. Bai, J. J. Wang, Y. H. Zou, W. Qian, J. S. Fu, and H. Z. Zhang, Phys. Rev. B 59, R2498 (1999); J. L. Costa-Kramer, N. Garcia, P. Garcia-Mochales, P. A. Serena, M. I. Marques, and A. Correia, Phys. Rev. B 55, 5416 (1997); S. Washburn and R. A. Webb, Rep. Prog. Phys. 55, 1311 (1992).
2. D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, N. Wang, and X. S. Sun, Solid State Communications 105, 403 (1998); M. Morales, and C. M. Lieber, Science 279, 20 (1988); D. P. Yu, Z. G. Bai, Y. Ding, Q. L. Hang, H. Z. Zhang, and S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 72, 3458 (1998); D. P. Yu, Z. G. Bai, J. J. Wang, Y. H. Zou, W. Qian, J. S. Fu, and H. Z. Zhang, Phys. Rev. B 59, R2498 (1999); J. L. Costa-Kramer, N. Garcia, P. Garcia-Mochales, P. A. Serena, M. I. Marques, and A. Correia, Phys. Rev. B 55, 5416 (1997); S. Washburn and R. A. Webb, Rep. Prog. Phys. 55, 1311 (1992).
3. D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, N. Wang, and X. S. Sun, Solid State Communications 105, 403 (1998); M. Morales, and C. M. Lieber, Science 279, 20 (1988); D. P. Yu, Z. G. Bai, Y. Ding, Q. L. Hang, H. Z. Zhang, and S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 72, 3458 (1998); D. P. Yu, Z. G. Bai, J. J. Wang, Y. H. Zou, W. Qian, J. S. Fu, and H. Z. Zhang, Phys. Rev. B 59, R2498 (1999); J. L. Costa-Kramer, N. Garcia, P. Garcia-Mochales, P. A. Serena, M. I. Marques, and A. Correia, Phys. Rev. B 55, 5416 (1997); S. Washburn and R. A. Webb, Rep. Prog. Phys. 55, 1311 (1992).
4. D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, N. Wang, and X. S. Sun, Solid State Communications 105, 403 (1998); M. Morales, and C. M. Lieber, Science 279, 20 (1988); D. P. Yu, Z. G. Bai, Y. Ding, Q. L. Hang, H. Z. Zhang, and S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 72, 3458 (1998); D. P. Yu, Z. G. Bai, J. J. Wang, Y. H. Zou, W. Qian, J. S. Fu, and H. Z. Zhang, Phys. Rev. B 59, R2498 (1999); J. L. Costa-Kramer, N. Garcia, P. Garcia-Mochales, P. A. Serena, M. I. Marques, and A. Correia, Phys. Rev. B 55, 5416 (1997); S. Washburn and R. A. Webb, Rep. Prog. Phys. 55, 1311 (1992).
5. D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, N. Wang, and X. S. Sun, Solid State Communications 105, 403 (1998); M. Morales, and C. M. Lieber, Science 279, 20 (1988); D. P. Yu, Z. G. Bai, Y. Ding, Q. L. Hang, H. Z. Zhang, and S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 72, 3458 (1998); D. P. Yu, Z. G. Bai, J. J. Wang, Y. H. Zou, W. Qian, J. S. Fu, and H. Z. Zhang, Phys. Rev. B 59, R2498 (1999); J. L. Costa-Kramer, N. Garcia, P. Garcia-Mochales, P. A. Serena, M. I. Marques, and A. Correia, Phys. Rev. B 55, 5416 (1997); S. Washburn and R. A. Webb, Rep. Prog. Phys. 55, 1311 (1992).
6. D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, N. Wang, and X. S. Sun, Solid State Communications 105, 403 (1998); M. Morales, and C. M. Lieber, Science 279, 20 (1988); D. P. Yu, Z. G. Bai, Y. Ding, Q. L. Hang, H. Z. Zhang, and S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 72, 3458 (1998); D. P. Yu, Z. G. Bai, J. J. Wang, Y. H. Zou, W. Qian, J. S. Fu, and H. Z. Zhang, Phys. Rev. B 59, R2498 (1999); J. L. Costa-Kramer, N. Garcia, P. Garcia-Mochales, P. A. Serena, M. I. Marques, and A. Correia, Phys. Rev. B 55, 5416 (1997); S. Washburn and R. A. Webb, Rep. Prog. Phys. 55, 1311 (1992).
7. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001); K. Govender, D. S. Boyle, P. O'Brien, D. Binks, D. West, and D. Coleman, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 1221 (2002).
8. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001); K. Govender, D. S. Boyle, P. O'Brien, D. Binks, D. West, and D. Coleman, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 1221 (2002).
9. P. Poncharal, Z. L. Wang, D. Ugarte, and W. A. de Heer, Science 283, 1513 (1999).
10. V. T. Binh and S. T. Purcell, Appl. Surf. Sci. 111, 157 (1997).
11. Y. Saito and S. Uemura, Carbon 38, 169 (2000); J. M. Kim, W. B. Choi, N. S. Lee, and J. E. Jung, Diamond Relat. Mater. 9, 1184 (2000).
12. Y. Saito and S. Uemura, Carbon 38, 169 (2000); J. M. Kim, W. B. Choi, N. S. Lee, and J. E. Jung, Diamond Relat. Mater. 9, 1184 (2000).
13. J. Bonard, H. Kind, T. Stockli, and L. Nilsson, Solid-State Electron, (in press); W. A. de Heer, A. Châtelain, and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995).
14. J. Bonard, H. Kind, T. Stockli, and L. Nilsson, Solid-State Electron, (in press); W. A. de Heer, A. Châtelain, and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995).
15. D. Chung, S. H. Park, H. W. Lee, J. H. Choi, S. N. Cha, J. W. Kim, J. E. Jang, K. W. Min, S. H. Cho, M. J. Yoon, J. S. Lee, C. K. Lee, J. H. Yoo, J. Kim, J. E. Jung, Y. W. Jin, Y. J. Park, and J. B. You, Appl. Phys. Lett. 80, 4045 (2002).
16. D. Kim, H. Yang, H. Kang, and H. Lee, Chem. Phys. Lett. 368, 439 (2003).
17. Y. C. Kong, D. P. Yu, B. Zhang, W. Fang, and S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 78, 407 (2001); M. H. Huang, Y. Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, and P. D. Yang, Adv. Mater. 13, 113 (2001); C. J. Lee, T. J. Lee, S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 3648 (2002).
18. Y. C. Kong, D. P. Yu, B. Zhang, W. Fang, and S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 78, 407 (2001); M. H. Huang, Y. Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, and P. D. Yang, Adv. Mater. 13, 113 (2001); C. J. Lee, T. J. Lee, S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 3648 (2002).
19. Y. C. Kong, D. P. Yu, B. Zhang, W. Fang, and S. Q. Feng, Appl. Phys. Lett. 78, 407 (2001); M. H. Huang, Y. Y. Wu, H. Feick, N. Tran, E. Weber, and P. D. Yang, Adv. Mater. 13, 113 (2001); C. J. Lee, T. J. Lee, S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, and H. J. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 3648 (2002).
20. L. Dong, J. Jiao, D. W. Tuggle, J. M. Petty, S. A. Elliff, and M. Coulter, Appl. Phys. Lett. 82, 1096 (2003).
21. K. Ashihara, Y. Saito, S. Tsuchida, H. Nakane, and H. Adachi, Electron. Commun. Jpn., Part 2: Electron. 81, 52 (1998).
22. R. B. Marcus, T. S. Ravi, T. Gmitter, H. H. Busta, J. T. Niccum, K. K. Chin, and D. Liu, IEEE Trans. Electron Devices 38, 2289 (1991).
23. Y. Chen. S. Z. Deng, N. S. Xu, J. Chen, X. C. Ma, and E. G. Wang, Mater. Sci. Eng., A 327, 16 (2002); D. Y. Zhong, G. Y. Zhang, S. Liu, T. Sakurai, and E. G. Wang, Appl. Phys. Lett. 80. 506 (2002).
24. Y. Chen. S. Z. Deng, N. S. Xu, J. Chen, X. C. Ma, and E. G. Wang, Mater. Sci. Eng., A 327, 16 (2002); D. Y. Zhong, G. Y. Zhang, S. Liu, T. Sakurai, and E. G. Wang, Appl. Phys. Lett. 80. 506 (2002).
25. I. Alexandrou, E. Kymakis, and G. A. J. Amaratunga, Appl. Phys. Lett. 80, 1453 (2002).