Defects in ZnO thin films grown on ScAlMgO4 substrates probed by a monoenergetic positron beam

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 5, 2003, Pages 2481-2485

  Uedono, A ^a   Koida, T ^b   Tsukazaki, A ^c   Kawasaki, M ^c,f   Chen, Z Q ^a,g   Chichibu, S F ^a,b,d   Koinuma, H ^e,f  

^a UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

^b JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY   (Japan)

^c TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^d INST OF PHYS AND CHEMICAL RESEARCH   (Japan)

^e TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^f Combinatorial Mat Explor/Technol ^*  (Japan)

^g WUHAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPPLER EFFECT; LASER BEAMS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; POSITRON ANNIHILATION SPECTROSCOPY; SCANDIUM COMPOUNDS; SINGLE CRYSTALS; THIN FILMS;

MONOENERGETIC POSITRON BEAMS;

ZINC OXIDE;

EID: 0037349812     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1539915     Document Type: Article

References (27)

1. Z.-C. Jin, I. Hamberg, and C. G. Granqvist, J. Appl. Phys. 64, 5117 (1998).
2. Y. Segawa, A. Ohtomo, M. Kawasaki, H. Koinuma, Z. K. Tang, P. Yu, and G. K. L. Wang, Phys. Status Solidi B 202, 669 (1997).
3. M. Kawasaki, A. Ohtomo, I. Ohkubo, H. Koinuma, Z. K. Tang, P. Yu, G., K. L. Wong, B. P. Zhang, and Y. Segawa, Mater. Sci. Eng., B 56, 239 (1998).
4. S. F. Chichibu, A. Tsukazaki, M. Kawasaki, K. Tamura, Y. Segawa, T. Sota, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 80, 2860 (2002).
5. S. F. Chichibu, T. Sota, P. J. Fons, K. Iwata, A. Yamada, K. Matsubara, and S. Niki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 41, L935 (2002).
6. K. I. Hagemark, J. Solid State Chem. 16, 293 (1976).
7. G. D. Mahan, J. Appl. Phys. 54, 3825 (1983).
8. A. F. Kohan, G. Ceder, D. Morgan, and Chris G. Van de Walle, Phys. Rev. B 61, 15019 (2000).
9. F. Oba, S. R. Nishitani, S. Isotani, H. Adachi, and I. Tanaka, J. Appl. Phys. 90, 824 (2001).
10. K. Minegishi, Y. Koiwai, Y. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga, and A. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1453 (1997).
11. M. Joseph, H. Tabata, and T. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L2505 (1999).
12. T. Yamamoto and H. K. Yoshida, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L166 (1999).
13. R. Krause-Rehberg and H. S. Leipner, Positron Annihilation in Semiconductors, Solid-State Sciences Vol. 127 (Springer, Berlin, 1999).
14. T. K. Gupta, W. D. Straub, M. S. Ramanachalam, J. P. Schaffer, and A. Rohatgi, J. Appl. Phys. 66, 6132 (1989).
15. R. M. de la Cruz, R. Pareja, R. González, L. A. Boatner, and Y. Chen, Phys. Rev. B 45, 6581 (1992).
16. J. Zhong, A. H. Kitai, P. Mascher, and W. Puff, J. Electrochem. Soc. 140, 3644 (1993).
17. R. Krause-Rehberg, H. S. Leipner, T. Abgarjan, and A. Polity, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 66, 599 (1998).
18. S. Brunner, W. Puff, A. G. Balogh, and P. Mascher, Mater. Sci. Forum 363, 141 (2001).
19. A. Ohtomo, K. Tamura, K. Saikusa, K. Takahashi, T. Makino, Y. Segawa, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75, 2635 (1999).
20. A. van Veen, H. Schut, J. de Vries, R. A. Hakvoort, and M. R. Ijpma, AIP Conf. Proc. 218, 171 (1990).
21. A. Uedono, S. F. Chichibu, Z. Q. Chen, M. Sumiya, R. Suzuki, T. Ohdaira, T. Mikado, T. Mukai, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 90, 181 (2001).
22. P. Kirkegaard, M. Eldrup, O. E. Mogensen, and N. J. Pedersen, Comput. Phys. Commun. 23, 307 (1981).
23. A. Uedono, M. Watanabe, S. Takasu, T. Sabato, and S. Tanigawa, J. Phys.: Condens. Matter 12, 719 (2000).
24. A. Uedono, S. Tanigawa, and H. Sakairi, J. Nucl. Mater. 184, 191 (1991).
25. M. J. Puska, S. Mäkinen, M. Manninen, and R. M. Nieminen, Phys. Rev. B 39, 7666 (1989).
26. S. F. Chichibu, T. Sota, G. Cantwell, D. B. Eason, and C. W. Litton, J. Appl. Phys. 93, 756 (2003).
27. B. Gil, A. Lusson, V. Sallet, S. A. Hassani, R. Triboulet, and P. Bigenwald, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L1089 (2001).