Optical recombination of ZnO nanowires grown on sapphire and Si substrates

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 1, 2003, Pages 165-167

  Zhao, Q X ^a   Willander, M ^a   Morjan, R E ^a   Q H Hu, ^a,b   Campbell, E E B ^a  

^a CHALMERS UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Sweden)

^b LightLab AB (publ)   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BINDING ENERGY; CATALYSIS; ENERGY GAP; GROWTH (MATERIALS); PHOTOLUMINESCENCE; SAPPHIRE; SILICON; SUBSTRATES; ULTRAVIOLET RADIATION; ZINC OXIDE;

NANOWIRES;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 0042341503     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1591069     Document Type: Article

References (22)

1. M. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
2. P. Zu, Z. K. Tang, G. K. L. Wong, M. Kawasakki, A. Ohtomo, H. Koinuma, and Y. Segawa, Solid State Commun. 103, 459 (1997).
3. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 70, 2230 (1997).
4. H. Cao, J. Y. Xu, D. Z. Zhang, S.-H. Chang, S. T. Ho, E. W. Seelig, X. Liu, and R. P. H. Chang, Phys. Rev. Lett. 84, 5584 (2000).
5. W. I. Park, D. H. Kim, S. W. Jung, and G.-C. Yi, Appl. Phys. Lett. 80, 4232 (2002).
6. H. Kim and W. Sigmund, Appl. Phys. Lett. 81, 2085 (2002).
7. S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, H.-J. Lee, H.-W. Shim, E.-K. Suh, and C. J. Lee, Chem. Phys. Lett. 363, 134 (2002).
8. Y. W. Wang, L. D. Zhang, G. Z. Wang, X. S. Peng, Z. Q. Chu, and C. H. Liang, J. Cryst. Growth 234, 171 (2002).
9. S.-S. Chang, S. O. Yoon, H. J. Park, and A. Sakai, Mater. Lett. 53, 432 (2002).
10. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
11. T. Aoki, Y. Shimizu, A. Miyake, A. Nakamura, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, Phys. Status Solidi B 229, 911 (2002).
12. Yanfa Yan, S. B. Zhang, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 86, 5723 (2001).
13. S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205 (2001).
14. C. H. Park, S. B. Zhang, and S. H. Wei, Phys. Rev. B 66, 073202 (2002).
15. T. Aoki, Y. Hatanaka, and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 76, 3257 (2000).
16. E. C. Lee, Y. S. Kim, Y. G. Jin, and K. J. Chang, Phys. Rev. B 64, 085120 (2001).
17. J. Hu, T. W. Odom, and C. M. Lieber, Acc. Chem. Res. 332, 435 (1999).
18. J. M. Hvam, Phys. Status Solidi B 63, 511 (1974).
19. C. Kligshirn, Phys. Status Solidi B 71, 547 (1975).
20. H. J. Ko, Y. F. Chen, Z. Zhu, and T. Yao, Appl. Phys. Lett. 76, 1905 (2000).
21. K. A. Dhese, P. Devine, D. E. Ashenford, J. E. Nicholls, C. G. Scott, D. Sands, and B. Lunn, J. Appl. Phys. 76, 5423 (1994).
22. S. J. Chen, Y. C. Liu, J. G. Ma, D. X. Zhao, Z. Z. Zhi, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Cryst. Growth 240, 467 (2002).