Electrical transport properties of single ZnO nanorods

Applied Physics Letters

Volumn 85, Issue 11, 2004, Pages 2002-2004

  Heo, Y W ^a   Tien, L C ^a   Norton, D P ^a   Kang, B S ^a   Ren, F ^a   Gila, B P ^a   Pearton, S J ^a  

^a University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

NANORODS; ROOM TEMPERATURE (RT); SELECTED AREA DIFFRACTION (SAD); SPIN POLARIZATION (SP);

ACTIVATION ENERGY; ALUMINA; CATALYSTS; CHEMICAL SENSORS; COATING TECHNIQUES; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; GOLD; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NANOSTRUCTURED MATERIALS; OHMIC CONTACTS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; THIN FILMS; TRANSPORT PROPERTIES;

ZINC OXIDE;

EID: 5444271055     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1792373     Document Type: Article

References (42)

1. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B 80, 383 (2001).
2. M. Wraback, H. Shen, S. Liang, C. R. Gorla, and Y. Lu, Appl. Phys. Lett. 76, 507 (1999).
3. C. R. Gorla, N. W. Emanetoglu, S. Liang, W. E. Mayo, Y. Lu, M. Wraback, and H. Shen, J. Appl. Phys. 85, 2595 (1999).
4. S. Krishnamoorthy, A. A. Iliadis, A. Inumpudi, S. Choopun, R. D. Vispute, and T. Venkatesan, Solid-State Electron. 46, 1631 (2002).
5. S. Liang, H. Sheng, Y. Liu, Z. Huo, Y. Lu, and H. Shen, J. Cryst. Growth 225, 110 (2001).
6. S. O. Kucheyev, J. E. Bradley, J. S. Williams, C. Jageadish, and M. V. Swain, Appl. Phys. Lett. 80, 956 (2002).
7. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, and P. Yang, Science 292, 1897 (2001).
8. Q. H. Li, Q. Wan, Y. X. Liang, and T. H. Wang, Appl. Phys. Lett. 84, 4556 (2004).
9. K. Keem, H. Kim, G. T. Kim, J. S. Lee, B. Min, K. Cho, M. Y. Sung, and S. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 4376 (2004).
10. B. H. Kind, H. Yan, B. Messer, M. Law, and P. Yang, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 158 (2002).
11. C. H. Liu, W. C. Liu, F. C. K. Au, J. X. Ding, C. S. Lee, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 83, 3168 (2003).
12. W. I. Park, G. C. Yi, J. W. Kim, and S. M. Park, Appl. Phys. Lett. 82, 4358 (2003).
13. J. J. Wu and S. C. Liu, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 215 (2002).
14. H. T. Ng, J. Li, M. K. Smith, P. Nguygen, A. Cassell, J. Han, and M. Meyyappan, Science 300, 1249 (2003).
15. J. Q. Hu and Y. Bando, Appl. Phys. Lett. 82, 14019 (2003).
16. W. I. Park, G. C. Yi, M. Y. Kim, and S. J. Pennycook, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 526 (2003).
17. Y. W. Heo, V. Varadarjan, M. Kaufman, K. Kim, D. P. Norton, F. Ren, and P. H. Fleming, Appl. Phys. Lett. 81, 3046 (2002).
18. P. J. Poole, J. Lefebvre, and J. Fraser, Appl. Phys. Lett. 83, 2055 (2003).
19. M. He, M. M. E. Fahmi, S. Noor Mohammad, R. N. Jacobs, L. Salamanca-Riba, F. Felt, M. Jah, A. Sharma, and D. Lakins, Appl. Phys. Lett. 82, 3749 (2003).
20. X. C. Wu, W. H. Song, W. D. Huang, M. H. Pu, B. Zhao, Y. P. Sun, and J. J. Du, Chem. Phys. Lett. 328, 5 (2000).
21. M. J. Zheng, L. D. Zhang, G. H. Li, X. Y. Zhang, and X. F. Wang, Appl. Phys. Lett. 79, 839 (2001).
22. S. C. Lyu, Y. Zhang, H. Ruh, H. J. Lee, H. W. Shim, E. K. Suh, and C. J. Lee, Chem. Phys. Lett. 328, 48 (2000).
23. B. P. Zhang, N. T. Binh, Y. Segawa, K. Wakatsuki, and N. Usami, Appl. Phys. Lett. 83, 1635 (2003).
24. W. I. Park, Y. H. Jun, S. W. Jung, and G. Yi, Appl. Phys. Lett. 82, 964 (2003).
25. B. D. Yao, Y. F. Chan, and N. Wang, Appl. Phys. Lett. 81, 757 (2002).
26. Z. W. Pan, Z. R. Dai, and Z. L. Wang, Science 291, 1947 (2001).
27. J. Y. Lao, J. Y. Huang, D. Z. Wang, and Z. F. Ren, Nano Lett. 3, 235 (2003).
28. X. W. Sun, S. F. Yu, C. X. Xu, C. Yuen, B. J. Chen, and S. Li, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, L1229 (2003).
29. D. P. Norton, S. J. Pearton, A. F. Hebard, N. Theodoropoulou, L. A. Boatner, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 82, 239 (2003).
30. S. W. Jung, S.-J. An, G.-C. Yi, C. U. Jung, S.-I. Lee, and S. Cho, Appl. Phys. Lett. 80, 4561 (2002).
31. K. Ip, M. E. Overberg, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, C. E. Stutz, B. Luo, F. Ren, D. C. Look, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 82, 385 (2003).
32. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999).
33. B. J. Jin, S. H. Bae, S. Y. Lee, and S. Im, Matei. Sci. Eng., B 71, 301 (2000).
34. D. M. Hofmann, A. Hofstaetter, F. Leiter, Huijuan Zhou, F. Henecker, B. K. Meyer, S. B. Orlinskii, J. Schmidt, and P. G. Baranov, Phys. Rev. Lett. 88, 045564 (2002).
35. C. G. Van de Walle, Phys. Status Solidi B 229, 221 (2002).
36. S. F. J. Cox, E. A. Davis, P. J. C. King, J. M. Gil, H. V. Alberto, R. C. Vilao, J. Piroto Duarte, N. A. De Campos, and R. L. Lichti, J. Phys.: Condens. Matter 13, 9001 (2001).
37. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 85, 1012 (2000).
38. K. D. Mitzner, J. Sternhagen, and D. W. Galipeau, Sens. Actuators B 93, 92 (2003).
39. P. Mitra, A. P. Chatterjee, and H. S. Maiti, Mater. Lett. 35, 33 (1998).
40. J. F. Chang, H. H. Kuo, I. C. Leu, and M. H. Hon, Sens. Actuators B 84, 258 (1994).
41. Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. Wang, X. L. He, J. P. Li, and C. L. Lin, Appl. Phys. Lett. 84, 3654 (2004).
42. Q. Wan, Q. H. Li, Y. J. Chen, T. H. Wang, X. L. He, X. G. Gao, and J. P. Li, Appl. Phys. Lett. 84, 3654 (2004).