Polarity control in 3D GaN structures grown by selective area MOVPE

Crystal Growth and Design

Volumn 12, Issue 5, 2012, Pages 2552-2556

  Wang, Xue ^a   Li, Shunfeng ^a   Fündling, Sönke ^a   Wei, Jiandong ^a   Erenburg, Milena ^a   Wehmann, Hergo H ^a   Waag, Andreas ^a   Bergbauer, Werner ^b   Strassburg, Martin ^b   Jahn, Uwe ^c   Riechert, Henning ^c  

^a TECHNICAL UNIVERSITY OF BRAUNSCHWEIG   (Germany)

^b OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH   (Germany)

^c PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CORE-SHELL; GROWTH METHOD; KELVIN PROBE FORCE MICROSCOPY; METAL-ORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MICROCOLUMNS; N-POLAR; POLARITY CONTROL; SELECTIVE AREA GROWTH; SELECTIVE AREAS; SELECTIVE ETCHING; SURFACE POLARITIES; TRUNCATED PYRAMIDS; YELLOW LUMINESCENCE;

LIGHT EMITTING DIODES; SAPPHIRE;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 84860451317     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg3001637     Document Type: Article

References (35)

1. Li, S. F.; Waag, A. J. Appl. Phys. 2012, 111, 071101-1-071101-23
2. Qian, F.; Li, Y; Gradecak, S.; Wang, D.; Barrelet, C. J.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2004, 4, 1975-1979
3. Waag, A.; Wang, X.; Fündling, S.; Ledig, J.; Erenburg, M.; Neumann, R; Al-Suleiman, M. A. M.; Wei, J. D.; Li, S. F.; Wehmann, H.-H.; Bergbauer, W.; Straßburg, M.; Trampert, A.; Riechert, H. Phys. Stat. Sol. (c) 2011, 7-8, 2296-2301
4. Waltereit, P.; Brandt, O.; Trampert, A.; Grahn, H. T.; Menniger, J.; Ramsteiner, M.; Reiche, M.; Ploog, K. H. Nature 2000, 406, 865-868
5. Takeuchi, T.; Amano, H.; Akasaki, I. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, 413-416
6. Kouno, T.; Kishino, K.; Yamano, K.; Kikuchi, A. Optics Express 2009, 17, 20440-20447
7. Consonni, V.; Knelangen, M.; Geelhaar, L.; Trampert, A.; Riechert, H. Phys. Review B 2010, 81, 1-10
8. Hersee, S. D.; Sun, X. Y.; Wang, X. Nano Lett. 2006, 6, 1808-1811
9. Chen, X. J.; Merceroz, G. P.; Giao, D. S.; Durand, C.; Eymery, J. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 151909-1-151909-3
10. Bergbauer, W.; Strassburg, M.; Kölper, Ch.; Linder, N.; Roder, C.; Lähnemann, J.; Trampert, A.; Fündling, S.; Li, S. F.; Wehmann, H.-H.; Waag, A. J. Cryst. Growth 2011, 315, 164-167
11. Li, S. F.; Fuendling, S.; Wang, X.; Merzsch, S.; Al-Suleiman, M. A. M.; Wei, J. D.; Wehmann, H.-H.; Waag, A.; Bergbauer, W.; Strassburg, M. Cryst. Growth Des. 2011, 11, 1573-1577
12. Lu, H.; Cao, D. S.; Xiu, X. Q.; Xie, Z. L.; Zhang, R.; Zheng, Y. D.; Li, Z. H. Solid-State Electron. 2008, 52, 817-823
13. Feenstra, R. M.; Dong, Y.; Lee, C. D.; Northrup, J. E. J. Vac. Sci. Technol. B 2005, 23, 1174-1180
14. Wei, J. D.; Neumann, R.; Wang, X.; Li, S. F.; Fündling, S.; Merzsch, S.; Al-Suleiman, M. A. M.; Sökmen, Ü.; Wehmann, H.-H.; Waag, A. Phys. Stat. Sol. (c) 2011, 7-8, 2157-2159
15. Liu, F.; Collazo, R.; Mita, S.; Sitar, Z.; Duscher, G.; Pennycook, S. J. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 203115-1-203115-3
16. Chen, X. J.; Hwang, J. S.; Perillat-Merceroz, G.; Landis, S.; Martin, B.; Dang, D. Le Si; Eymery, J.; Durand, C. J. Cryst. Growth 2011, 322, 15-22
17. Li, S. F.; Fündling, S.; Wang, X.; Erenburg, M.; Al-Suleiman, M. A. M.; Wei, J. D.; Bergbauer, W.; Strassburg, M.; Wehmann, H.-H.; Waag, A. Phys. Stat. Sol. (c) 2011, 7-8, 2318-2320
18. Li, S. F.; Wang, X.; Fündling, S.; Al-Suleiman, M. A. M.; Erenburg, M.; Wei, J. D.; Wehmann, H.-H.; Waag, A.; Mandl, M.; Bergbauer, W.; Strassburg, M. Proceedings of XIV European Workshop on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (EW-MOVPE); Wroclaw, Poland, June 5-8 2011; D18.
19. Pakuła, K; Boz̀ek, R.; Baranowski, J M.; Jasinski, J.; Liliental-Weber, Z. J. Cryst. Growth 2004, 267, 1-7
20. Ng, H. M.; Weimann, N. G.; Chowdhury, A. J. Appl. Phys. 2003, 94, 650-653
21. Hiramatsu, K.; Nishiyama, K.; Onishi, M.; Mizutani, H.; Narukawa, M.; Motogaito, A.; Miyake, H.; Iyechika, Y.; Maeda, T. J. Cryst. Growth 2000, 221, 316-326
22. Wulff, G. Z. Kristallogr. Mineral 1901, 34, 449-530
23. Wei, J. D.; Li, S. F.; Atamuratov, A.; Wehmann, H.-H.; Waag, A. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 172111-1-172111-3
24. Wu, F.; Craven, M. D.; Lim, S.-H.; Speck, J. S. J. Appl. Phys. 2003, 94, 942-947
25. Collazo, R.; Mita, S.; Aleksov, A.; Schlesser, R.; Sitar, Z. J. Cryst. Growth 2006, 287, 586-590
26. Ambacher, O.; Angerer, H.; Dimitrov, R.; Rieger, W.; Stutzmann, M.; Dollinger, G.; Bergmaier, A. Phys. Stat. Sol. (a) 1997, 159, 105-119
27. Ambacher, O. J. Phys. D 1998, 31, 2653-2710
28. Hiramatsu, K.; Nishiyama, K.; Motogaito, A.; Miyake, H.; Iyechika, Y.; Maeda, T. Phys. Stat. Sol. (a) 1999, 176, 535-543
29. Sekiguchi, H.; Kishino, K.; Kikuchi, A. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 231104-1-231104-3
30. Mierry, P.; De; Ambacher, O.; Kratzer, H.; Stutzmann, M. Phys. Stat. Sol. (a) 1996, 158, 587-597
31. Reshchikov, M. A.; Morkoc, H. J. Appl. Phys. 2005, 97 061301
32. Sun, Q.; Cho, Y. S.; Lee, I.-H.; Han, J.; Kong, B. H.; Cho, H. K. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 131912-1-131912-3
33. Du, D. C.; Zhang, J. C.; Ou, X. X.; Wang, H.; Chen, K.; Xue, J. S.; Xu, S. R.; Hao, Y. Chin. Phys. B 2011, 20, 037805-1-037805-5
34. Zywietz, T.; Neugebauer, J.; Scheffler, M. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 487-489
35. Sumiya, M.; Yoshimura, K.; Ito, T.; Ohtsuka, K.; Fuke, S. J. Appl. Phys. 2000, 88, 1158-1165