Polarity and its influence on growth mechanism during MOVPE growth of GaN sub-micrometer rods

Crystal Growth and Design

Volumn 11, Issue 5, 2011, Pages 1573-1577

  Li, S F ^a   Fuendling, S ^a   Wang, X ^a   Merzsch, S ^a   Al Suleiman, M A M ^a   Wei, J D ^a   Wehmann, H H ^a   Waag, A ^a   Bergbauer, W ^a,b   Strassburg, M ^b  

^a TECHNICAL UNIVERSITY OF BRAUNSCHWEIG   (Germany)

^b OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GROWTH MECHANISMS; LOW GROWTH RATE; MOVPE GROWTH; NITROGEN ATOM; PYRAMIDAL SHAPE; STABLE SURFACES; SUBMICROMETERS; SURFACE POLARITIES;

METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; MICROMETERS; MORPHOLOGY;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 79957938807     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg101537m     Document Type: Article

References (28)

1. Hersee, S. D.; Sun, X. Y.; Wang, X. Nano Lett. 2006, 6, 1808.
2. Kishino, K.; Sekiguchi, S.; Kikuchi, A. J. Cryst. Growth 2009, 311, 2063.
3. Ristic, J.; Calleja Fernández-Garrido, E.; Cerutti, L.; Trampert, A.; Jahn, U.; Ploog, K J. Cryst. Growth 2008, 310, 4035.
4. Li, S. F.; Fundling, S.; Sokmen, U.; Merzsch, S.; Neumann, R.; Hinze, P.; Weimann, T.; Jahn, U.; Trampert, A.; Riechert, H.; Peiner, E.; Wehmann, H.-H.; Waag, A. Phys. Status Solidi C 2010, 7, 84.
5. Qian, F.; Gradecak, D.; Li, Y.; Wen, C.-Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2005, 5, 2287.
6. Kim, H.-M.; Cho, Y.-H.; Lee, H.; Kim, S.-I.; Ryu, S.-R.; Kim, D. Y.; Kang, T. W.; Chung, K S. Nano Lett. 2004, 4, 1059.
7. Sekiguchi, H.; Kishino, K.; Kikuchi, A Electron. Lett. 2008, 44, 151.
8. Calarco, R.; Meijers, J.; Debnath, R. K.; Stoica, T.; Sutter, E.; Luth, H. Nano Lett. 2007, 7, 2248.
9. Wang, Y.-L.; Ren, F.; Zhang, U.; Sun, Q.; Yerino, C. D.; Ko, T. S.; Cho, Y. S.; Lee, I. H.; Han, J.; Pearton, S. J. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 212108.
10. Mastro, M. A.; Kryliouk, O. M.; Anderson, T. J.; Davydov, A.; Shapiro, A. J. Cryst. Growth 2005, 274, 38.
11. Bergbauer, W.; Strassburg, M.; Kopler, Ch.; Linder, N.; Roder, C.; Lahnemann, J.; Trampert, A.; Fundling, S.; Li, S. F.; Wehmann, H.-H.; Waag, A. Nanotechnology 2010, 21, 305201.
12. Bergbauer, W.; Strassburg, M.; Kopler, Ch.; Linder. N.; Roder, C.; Lähnemann, J.; Trampert, A.; Fündling, S.; Li, S. F.; Wehmann, H.-H.; Waag, A. J. Cryst. Growth 2010, doi: 10.1016/j.jcrysgro.2010.07.067.
13. Wei, J. D.; Li, S. F.; Atamuratov, A.; Wehmann, H.-H.; Waag, A. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 172111.
14. Fuindling, S.; Sokmen, U.; Peiner, E.; Weimann, T.; Hinze, P.; Jahn, U.; Trampert, A.; Riechert, H.; Bakin, A.; Wehmann, H.-H.; Waag, A Nanotechnology 2008, 19, 405301.
15. Hiramatsu, K.; Nishiyama, K.; Motogaito, A.; Miyake, H.; Iyechika, Y.; Maeda, T. Phys. Status Solidi B 1999, 176, 535.
16. Sumiya, M.; Fuke, S. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2004, 9, 1.
17. For example: Ng, H. M.; Weimann, N. G.; Chowdhury, A. J. Appl. Phys. 2003, 94, 650.
18. Feng, Z. C, Ed. III-nitride semiconductor materials; Imperial College Press: London, 2006; p 377.
19. Wei, J. D.; Wang, X.; Neumann, R.; Li, S. F.; Fundling, S.; Merzsch, S.; Suleiman, M.-A M.; Sökmen, Ü.; Wehmann, H.-H.; Waag, A Accepted by Phys. Status Solidi C.
20. Han, J.; Ng, T.-B.; Biefeld, R. M.; Crawford, M. H.; Follstaedt, D. M. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 3114.
21. Jain, A.; Weng, X. J.; Raghavan, S.; Van Mil, B. L.; Myers, T.; Redwing, J. M. J. Appl. Phys. 2008, 104, 053112.
22. Van Mil, B. L.; Guo, H. C.; Holbert, L. J.; Lee, K-N.; Myers, T. H.; Liu, T.; Korakakis, D. J. Vac. Sci. Technol. B 2004, 22, 2149.
23. Northrup, J. E.; Neugebauer, J. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 3429.
24. Feenstra, R M.; Dong, Y.; Lee, C. D.; Northrup, J. E. J. Vac. Sci. Technol. B 2005, 23, 1174.
25. Kelly, A.; Groves, G W.; Kidd, P. In Crystallography and crystal defects; Wiley & Sons Ltd: West Sussex, England, 2000; p 391.
26. Yakovlev, E. V.; Talalaev, R. A.; Segal, A. S.; Lobanova, A. V.; Lundin, W. V.; Zavarin, E. E.; Sinitsyn, M. A.; Tsatsulnikov, A. F.; Nikolaev, A. E. J. Cryst. Growth 2008, 310, 4862.
27. Koukitu, A.; Mayumi, M.; Kumagai, Y. J. Cryst. Growth 2002, 246, 230.
28. Imer, B. M.; Wu, F.; DenBaars, S. P.; Speck, J. S. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 061908.