Growth mode and surface morphology of a GaN film deposited along the N-face polar direction on c-plane sapphire substrate

Journal of Applied Physics

Volumn 88, Issue 2, 2000, Pages 1158-1165

  Sumiya, M ^a   Yoshimura, K ^a   Ito, T ^a   Ohtsuka, K ^a,c   Fuke, S ^a   Mizuno, K ^b   Yoshimoto, M ^b   Koinuma, H ^b   Ohtomo, A ^b   Kawasaki, M ^b  

^a SHIZUOKA UNIVERSITY   (Japan)

^b TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^c SANKEN ELECTRIC CO LTD   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 20244372086     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.373791     Document Type: Article

References (48)

1. H. P. Maruska and J. J. Tietjen, Appl. Phys. Lett. 15, 327 (1969).
2. J. I. Pankove, E. A. Miller, D. Richman, and J. E. Berkeyheiser, J. Lumin. 4, 63 (1971).
3. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 209 (1986).
4. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1705 (1991).
5. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L899 (1997).
6. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahara, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 4056 (1996).
7. For example, M. Sumiya, M. Kawasaki, J. Kocka, and H. Koinuma, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L97 (1995).
8. A. Bykhovski, B. Gelmont, and M. Shur, J. Appl. Phys. 74, 6734 (1993).
9. S. F. Chichibu, A. C. Abare, M. S. Minsky, S. Keller, S. B. Fleisher, J. E. Bowers, E. Hu, U. K. Mishra, L. A. Coldre, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 73, 2006 (1998).
10. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
11. C. Wetzel, H. Arnano, I. Akasaki, T. Suzuki, J. Ager, E. Weber, E. Haller, and B. K. Meyer, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 482, 489 (1998).
12. S. Imanaga and H. Kawai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 5906 (1998).
13. M. A. Khan, M. S. Shur, J. N. Kuzunia, Q. Chin, J. Burm, and W. Schaff, Appl. Phys. Lett. 66, 1083 (1995).
14. J. L. Rouviere, L. L. Weyher, M. Seelmann-Eggerbert, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 73, 668 (1998).
15. F. A. Ponce, D. P. Bour, W. T. Young, M. Saunders, and J. W. Steeds, Appl. Phys. Lett. 69, 337 (1996).
16. L. T. Romano, J. E. Northrup, and M. A. O'Keefe, Appl. Phys. Lett. 69, 2394 (1996).
17. B. Doudin, J. L. Rouviere, and M. Arley, Appl. Phys. Lett. 69, 2480 (1996).
18. C. J. Sun, P. Kung, A. Saxler, H. Ohsato, E. Bigan, and M. Razeghi, J. Appl. Phys. 6, 236 (1994).
19. M. Sumiya, M. Tanaka, K. Ohtuska, S. Fuke, T. Ohnishi, I. Ohkubo, M. Yoshimoto, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 75, 647 (1999).
20. S. Fuke, H. Teshigawara, K. Kuwahara, Y. Takano, T. Ito, M. Yanagihara, and K. Ohtsuka, J. Appl. Phys. 83, 764 (1998).
21. A. Bykhovski, B. Gelmont, and M. Shur, J. Appl. Phys. 74, 6734 (1993).
22. X. H. Wu, P. Fini, E. J. Taesa, B. Heying, S. Keller, U. K. Mishra, S. P. Denbaars, and J. S. Speck, J. Cryst. Growth 189/190, 231 (1998).
23. T. Ito, M. Sumiya, Y. Takano, K. Ohtsuka, and S. Fuke, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 649 (1999).
24. T. Ohnishi, A. Ohtomo, M. Kawasaki, K. Takahashi, M. Yoshimoto, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 72, 824 (1998).
25. T. Ohnishi, A. Ohtomo, I. Ohkubo, M. Kawasaki, M. Yoshimoto, and H. Koinuma, Mater. Sci. Eng., B 56, 256 (1998).
26. T. Akasaka, T. Nishida, S. Ando, and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 7B, L842 (1998).
27. Y. Kato, S. Kitamura, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 144, 133 (1994).
28. H. Morchant, J. P. Ibbetson, P. T. Fini, S. Keller, S. P. Denbaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Cryst. Growth 195, 328 (1998).
29. W. Qian, G. S. Rohrer, and M. Skowronski, Appl. Phys. Lett. 67, 2284 (1995).
30. K. Uchida, A. Watanabe, F. Yano, M. Kouguchi, T. Tanaka, and S. Minagawa, J. Appl. Phys. 79, 3487 (1996).
31. T. Hashimoto, Y. Terakoshi, M. Ishida, M. Yuri, O. Imafuji, T. Sugino, A. Yoshikawa, and K. Itoh, J. Cryst. Growth 189/190, 254 (1998).
32. M. Sumiya, T. Ohnishi, H. Teshigawara, M. Tanaka, I. Ohkubo, M. Kawasaki, M. Yoshimoto, K. Ohtsuka, H. Koinuma, and S. Fuke, Proceedings of the 2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba, Japan, 1998, p. 339.
33. S. Shimizu, Y. Suzuki, T. Nishihara, S. Hayashi, and M. Shinohara, in Ref. 32, p. 349; S. Shimizu (personal communication).
34. S. Shimizu, Y. Suzuki, T. Nishihara, S. Hayashi, and M. Shinohara, in Ref. 32, p. 349; S. Shimizu (personal communication).
35. H. Angerer, O. Ambacher, R. Dimitrov, Th. Metzger, W. Rieger, and M. Stutsmann, Mem. R. Astron. Soc. 1, 15 (1996).
36. L. T. Romano, B. S. Krusor, R. Singh, and T. D. Moustakas, J. Electron. Mater. 26, 285 (1997).
37. J. M. Van Hove, G. J. Cosimini, E. Nelson, A. M. Wocchak, and P. P. Chow, J. Cryst. Growth 150, 908 (1995).
38. Z. Sitar, M. J. Paisly, B. Yan, J. Ruan, W. J. Choye, and R. F. Davis, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 316 (1990).
39. R. Held, G. Nowak, B. E. Ishaug, S. M. Seutter, A. Parkhomovsky, A. M. Dabrian, P. I. Cohen, I. Grzegory, and S. Porowski, J. Appl. Phys. 85, 7697 (1999).
40. L. L. Chao, G. S. Cargill III, C. Kothandaraman, D. Cyr, G. Flynn, E. S. Hellman, D. Wiesmann, D. N. E. Buchanan, and I. Brener, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 7 (1997).
41. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M.-S. Shin, M. Skowronski, J. Neubauer, and J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 72, 2114 (1998).
42. T. H. Myers, L. S. Hirsh, L. T. Romano, and M. R. Richards-Babb, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2261 (1998).
43. S. Shimizu, Y. Suzuki, T. Nishihara, S. Hayashi, and M. Shonohara, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L703 (1998).
44. For example, J. Nishizawa and M. Kimura, J. Cryst. Growth 74, 331 (1986).
45. T. Zywiets, J. Nuegebauer, and M. Scheffler, Appl. Phys. Lett. 73, 487 (1998).
46. E. J. Tarsa, B. Heying, X. H. Wu, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 82, 5472 (1997).
47. Z. Liliental-Weber, Y. Chen, S. Ruvimov, and J. Washburn, Phys. Rev. Lett. 79, 2835 (1997).
48. M. Sumiya, K. Yoshimura, K. Ohtsuka, and S. Fuke, Appl. Phys. Lett. 76, 2098 (2000).