Integration process development for improved compatibility with organic non-porous ultralow-k dielectric fluorocarbon on advanced Cu interconnects

Japanese Journal of Applied Physics

Volumn 51, Issue 5 PART 2, 2012, Pages

  Gu, Xun ^a   Tomita, Yugo ^a   Nemoto, Takenao ^a,b   Miyatani, Kotaro ^b   Saito, Akane ^b   Kobayashi, Yasuo ^b   Teramoto, Akinobu ^a   Kuroda, Rihito ^a   Kuroki, Shin Ichiro ^a   Kawase, Kazumasa ^c   Nozawa, Toshihisa ^b   Matsuoka, Takaaki ^b   Sugawa, Shigetoshi ^a   Ohmi, Tadahiro ^a,c  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^b TOKYO ELECTRON LTD   (Japan)

^c MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARRIER LAYERS; CU-INTERCONNECTS; DAMASCENE INTERCONNECTS; DAMASCENE PROCESS; INTEGRATION PROCESS; NITROGEN PLASMA TREATMENT; PROTECTIVE LAYERS; TITANIUM-BASED; ULTRA-LOW-K DIELECTRICS;

DELAMINATION; ELECTRIC PROPERTIES; ETCHING; PLASMA APPLICATIONS; TANTALUM; TITANIUM;

ULSI CIRCUITS;

EID: 84860230131     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.51.05EC03     Document Type: Conference Paper

References (33)

1. M. Ueki, M. Tagami, F. Ito, T. Onodera, I. Kume, N. Furutake, H. Yamamoto, J. Kawahara, N. Inoue, K. Hijioka, T. Takeuchi, S. Saito, N. Okada, and Y. Hayashi: IEDM Tech. Dig., 2008, p. 26.7.
2. B. White, A. Knorr, W. Engbrecht, B. Kastenmeier, S. Das, R. McGowan, S. Satyanarayana, and M. Gallagher: Microelectron. Eng. 82 (2005) 348.
3. B. U. Yoon, S. Kondo, S. Tokitoh, A. Namiki, K. Misawa, K. Inukai, N. Ohashi, and N. Kobayashi: Proc. Int. Interconnect Technology Conf., 2004, p. 13.3.
4. T. Yoda, K. Fujita, H. Miyajima, R. Nakata, N. Miyashita, and N. Hayasaka: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 3872.
5. T. Yoda, Y. Nakasaki, H. Hashimoto, K. Fujita, H. Miyajima, M. Shimada, R. Nakata, N. Kaji, and N. Hayasaka: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) 75.
6. A. Ishikawa, Y. Shishida, T. Yamanishi, N. Hata, T. Nakayama, N. Fujii, H. Tanaka, H. Matsuo, K. Kinoshita, and T. Kikkawa: J. Electrochem. Soc. 153 (2006) 692.
7. T. Ohmi, M. Hirayama, and A. Teramoto: J. Phys. D 39 (2006) 1.
8. A. Itoh, A. Inokuchi, S. Yasuda, A. Teramoto, T. Goto, M. Hirayama, and T. Ohmi: Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 2515.
9. X. Gu, T. Nemoto, Y. Tomita, K. Miyatani, A. Saito, Y. Kobayashi, A. Teramoto, S. Kuroki, T. Nozawa, T. Matsuoka, S. Sugawa, and T. Ohmi: Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 05EB02.
10. X. Gu, T. Nemoto, Y. Tomita, A. Shirotori, R. Duyos-Mateo, K. Miyatani, A. Saito, Y. Kobayashi, A. Teramoto, S. Kuroki, T. Nozawa, T. Matsuoka, S. Sugawa, and T. Ohmi: Proc. Int. Interconnects Technology Conf., 2011, p. 1.
11. X. Gu, T. Nemoto, Y. Tomita, A. Teramoto, R. Kuroda, S. Kuroki, K. Kawase, S. Sugawa, and T. Ohmi: to be published in IEEE Trans. Electron Devices [DOI: 10.1109/TED.2012.2187659].
12. H. Tanaka, Z. Chuanjie, Y. Hayakawa, M. Hirayama, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 1911.
13. T. Goto, M. Hirayama, H. Yamauchi, M. Moriguchi, S. Sugawa, and T. Ohmi: Jpn. J. Appl. Phys. 42 (2003) 1887.
14. T. Goto, H. Yamauchi, T. Kato, M. Terasaki, A. Teramoto, M. Hirayama, S. Sugawa, and T. Ohmi: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) 1784.
15. K. Endo and T. Tatsumi: J. Appl. Phys. 78 (1995) 1370.
16. K. Endo, T. Tatusmi, Y. Matusbara, and T. Horiuchi: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) 1809.
17. US 7,288,205 B2, Oct. 30, 2007.
18. X. Gu, T. Nemoto, Y. Sampurno, J. Cheng, S. Theng, A. Philipossian, Y. Zhuang, A. Teramoto, T. Ito, S. Sugawa, and T. Ohmi: MRS Proc. 1157 (2009) 1157-E13-03.
19. Y. Sampurno, X. Gu, T. Nemoto, Y. Zhuang, A. Teramoto, A. Philipossian, and T. Ohmi: Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 05FC01.
20. X. Gu, T. Nemoto, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi: Proc. Int. Conf. Planarization/CMP Technology, 2009, p. 22.
21. X. Gu, T. Nemoto, A. Teramoto, T. Ito, and T. Ohmi: J. Electrochem. Soc. 156 (2009) 409.
22. X. Gu, T. Nemoto, A. Teramoto, R. Hasebe, T. Ito, and T. Ohmi: Solid State Phenom. 145-146 (2009) 381.
23. X. Gu, T. Nemoto, A. Teramoto, T. Ito, S. Sugawa, and T. Ohmi: ECS Trans. 19 [7] (2009) 103.
24. X. Gu, T. Nemoto, A. Teramoto, M. Sakuragi, S. Sugawa, and T. Ohmi: J. Electrochem. Soc. 158 (2011) H1145.
25. X. Gu, T. Nemoto, Y. Tomita, A. Teramoto, S. Sugawa, and T. Ohmi: Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 05EC07.
26. T. Aratani, M. Higuchi, S. Sugawa, E. Ikenaga, J. Ushio, H. Nohira, T. Suwa, A. Teramoto, T. Ohmi, and T. Hattori: J. Appl. Phys. 104 (2008) 114112.
27. T. Suwa, A. Teramoto, Y. Kumagai, K. Abe, X. Li, Y. Nakao, M. Yamamoto, Y. Kato, T. Muro, T. Kinoshita, T. Ohmi, and T. Hattori: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 173103.
28. S. H. Yang, H. Kim, and J. K. Park: J. Vac. Sci. Technol. A 20 (2002) 1769.
29. J. P. Chang, H. W. Krautter, W. Zhu, R. L. Opila, and C. S. Pai: J. Vac. Sci. Technol. A 17 (1999) 2969.
30. J. Noguchi: IEEE Trans. Electron Devices 52 (2005) 1743.
31. X. Gu, T. Nemoto, Y. Tomita, R. D. Mateo, A. Tetamoto, S. Kuroki, S. Sugawa, and T. Ohmi: ECS Trans. 34 [1] (2011) 653.
32. X. Gu, T. Nemoto, Y. Tomita, A. Teramoto, R. Kuroda, S. Sugawa, and T. Ohmi: J. Electrochem. Soc. 159 (2012) H407.
33. X. Gu, T. Nemoto, Y. Tomita, R. D. Mateo, A. Teramoto, S. Kuroki, S. Sugawa, and T. Ohmi: Proc. Int. Conf. Planarization/CMP Technology, 2010, p. 51.