Reaction mechanisms of atomic layer deposition of TaN x from Ta(NMe 2) 5 precursor and H 2-based plasmas

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 30, Issue 1, 2012, Pages

  Knoops, H C M ^a,b   Langereis, E ^b   Van De Sanden, M C M ^b   Kessels, W M M ^b  

^a MATERIALS INNOVATION INSTITUTE M2I   (Netherlands)

^b EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

H2 PLASMA; MATERIAL COMPOSITIONS; PLASMA EXPOSURE; PLASMA EXPOSURE STEP; PLASMA-SURFACE INTERACTIONS; QUADRUPOLE MASS SPECTROMETRY; REACTION MECHANISM; SURFACE GROUPS;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; MASS SPECTROMETRY; PLASMA INTERACTIONS; PULSED LASER DEPOSITION; REACTION PRODUCTS; SURFACE REACTIONS; SURFACES; TANTALUM; TANTALUM COMPOUNDS;

PLASMA DEPOSITION;

EID: 84855571049     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.3625565     Document Type: Article

References (41)

1. International Technology Roadmap for Semiconductors, 2009 ed., www.itrs.net.
2. H. Kim, Surf. Coat. Technol. 200, 3104 (2006).
3. K. S. Chang, M. L. Green, I. Levin, J. R. Hattrick-Simpers, C. Jaye, D. A. Fischer, I. Takeuchi, and S. De Gendt, Appl. Phys. Lett. 96, 192114 (2010).
4. R. Sreenivasan, T. Sugawara, K. C. Saraswat, and P. C. McIntyre, Appl. Phys. Lett. 90, 102101 (2007).
5. C. Stampfl and A. J. Freeman, Phys. Rev. B 67, 064108 (2003).
6. C. Stampfl and A. J. Freeman, Phys. Rev. B 71, 024111 (2005).
7. J. S. Park, M. J. Lee, C. S. Lee, and S. W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett. 4, C17 (2001).
8. J. S. Park, H. S. Park, and S. W. Kang, J. Electrochem. Soc. 149, C28 (2002).
9. H. Kim, C. Detavenier, O. van der Straten, S. M. Rossnagel, A. J. Kellock, and D. G. Park, J. Appl. Phys. 98, 014308 (2005).
10. E. Langereis, H. C. M. Knoops, A. J. M. Mackus, F. Roozeboom, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Appl. Phys. 102, 083517 (2007).
11. H. C. M. Knoops, L. Baggetto, E. Langereis, M. C. M. van de Sanden, J. H. Klootwijk, F. Roozeboom, R. A. H. Niessen, P. H. L. Notten, and W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc. 155, G287 (2008).
12. C. Hossbach et al., J. Electrochem. Soc. 156, H852 (2009).
13. Q. Xie, D. Deduytsche, J. Musschoot, R. L. V. Meirhaeghe, C. Detavernier, S. F. Ding, and X. P. Qu, Microelectron. Eng. 88, 646 (2011).
14. S. B. S. Heil, P. Kudlacek, E. Langereis, R. Engeln, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, Appl. Phys. Lett. 89, 131505 (2006).
15. S. B. S. Heil, J. L. van Hemmen, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Appl. Phys. 103, 103302 (2008).
16. V. R. Rai, V. Vandalon, and S. Agarwal, Langmuir 26, 13732 (2010).
17. V. R. Rai and S. Agarwal, J. Phys. Chem. C 113, 12962 (2009).
18. S. B. S. Heil, F. Roozeboom, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A 26, 472 (2008).
19. H. Kim and S. M. Rossnagel, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 802 (2002).
20. W. J. Maeng, S. J. Park, and H. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 2276 (2006).
21. G. B. Rayner and S. M. George, J. Vac. Sci. Technol. A 27, 716 (2009).
22. R. Matero, A. Rahtu, and M. Ritala, Chem. Mater. 13, 4506 (2001).
23. R. Matero, A. Rahtu, and M. Ritala, Langmuir 21, 3498 (2005).
24. L. Henn-Lecordier, W. Lei, M. Anderle, and G. W. Rubloff, J. Vac. Sci. Technol. B 25, 130 (2007).
25. NIST Chemistry WebBook, http://webbook.nist.gov/chemistry/.
26. J. H. van Helden, R. A. B. Zijlmans, D. C. Schram, and R. Engeln, Plasma Sources Sci. Technol. 18, 025020 (2009).
27. J. H. van Helden, W. Wagemans, G. Yagci, R. A. B. Zijlmans, D. C. Schram, R. Engeln, G. Lombardi, G. D. Stancu, and J. Ropcke, J. Appl. Phys. 101, 043305 (2007).
28. P. Violet, I. Nuta, C. Chatillon, and E. Blanquet, Rapid Commun. Mass Spectrom.24, 2949 (2010).
29. B. O. Cho, J. J. Wang, and J. P. Chang, J. Appl. Phys.92, 4238 (2002).
30. B. B. Burton, A. R. Lavoie, and S. M. George, J. Electrochem. Soc. 155, D508 (2008).
31. A. J. M. Mackus, S. B. S. Heil, E. Langereis, H. C. M. Knoops, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A 28, 77 (2010).
32. S. D. Elliott, Langmuir 26, 9179 (2010).
33. E. Langereis, J. Keijmel, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, Appl. Phys. Lett. 92, (2008).
34. D. P. Liu, I. T. Martin, J. Zhou, and E. R. Fisher, Pure Appl. Chem. 78, 1187 (2006).
35. F. A. Londry, A. J. Slavin, and P. R. Underhill, Surf. Sci. 140, 521 (1984).
36. J. Perrin, M. Shiratani, P. Kae-Nune, H. Videlot, J. Jolly, and J. Guillon, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 278 (1998).
37. A. von Keudell and W. Jacob, Prog. Surf. Sci. 76, 21 (2004).
38. M. F. A. M. van Hest, A. de Graaf, M. C. M. van de Sanden, and D. C. Schram, Plasma Sources Sci. Technol. 9, 615 (2000).
39. G. Lombardi, K. Hassouni, G. D. Stancu, L. Mechold, J. Ropcke, and A. Gicquel, J. Appl. Phys. 98, 053303 (2005).
40. G. H. Cho and S. W. Rhee, Electrochem. Solid-State Lett. 13, H426 (2010).
41. S. H. Kim, M. K. Song, and S. W. Rhee, J. Electrochem. Soc. 157, H652 (2010).