Synthesis and in situ characterization of low-resistivity Ta Nx films by remote plasma atomic layer deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 8, 2007, Pages

  Langereis, E ^a   Knoops, H C M ^a   MacKus, A J M ^a   Roozeboom, F ^b   Van De Sanden, M C M ^a   Kessels, W M M ^a  

^a EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

^b NXP SEMICONDUCTORS   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ABSORPTION; ATOMIC LAYER DEPOSITION; ELLIPSOMETRY; GROWTH RATE; OPTICAL EMISSION SPECTROSCOPY; SUBSTRATES; TANTALUM;

ATOMIC COMPOSITION; DIELECTRIC FUNCTION; HIGH MASS DENSITY; PLASMA EMISSION;

THIN FILMS;

EID: 35648983448     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2798598     Document Type: Article

References (45)

1. M. S. Akbar, S. Gopalan, H.-J. Cho, K. Onishi, R. Choi, R. Nieh, C. S. Kang, Y. H. Kim, J. Han, S. Krishnan, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 1757 (2003).
2. S.-J. Ding, Y.-J. Huang, Y. Li, D. W. Zhang, C. Zhu, and M.-F. Li, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 2518 (2006).
3. K. Holloway, P. M. Fryer, C. Cabral, Jr., J. M. E. Harper, P. J. Bailey, and K. H. Kelleher, J. Appl. Phys. 71, 5433 (1992).
4. H. Kim, C. Detavenier, O. van der Straten, S. M. Rossnagel, A. J. Kellock, and D.-G. Park, J. Appl. Phys. 98, 014308 (2005).
5. S. M. Rossnagel and H. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2550 (2003).
6. D. Edelstein, C. Uzoh, C. Cabral, Jr., P. DeHaven, P. Buchwalter, A. Simon, E. Cooney, S. Malhotra, D. Klaus, H. Rathore, B. Agarwala, and D. Nguyen, Proceedings of the IEEE 2001 International Interconnect Technology Conference, 2001 (unpublished), p. 9.
7. O. van der Straten, Y. Zhu, K. Dunn, E. T. Eisenbraun, and A. E. Kaloyeros, J. Mater. Res. 19, 447 (2004).
8. S. M. Rossnagel and H. Kim, Proceedings of the IEEE 2001 International Interconnect Technology Conference, 2001 (unpublished), p. 3.
9. J.-S. Park, H.-S. Park, and S.-W. Kang, J. Electrochem. Soc. 149, C28 (2002).
10. M. Ritala, P. Kalsi, D. Riihelä, K. Kukli, M. Leskelä, and J. Jokinen, Chem. Mater. 11, 1712 (1999).
11. T. Suntola, Mater. Sci. Rep. 4, 261 (1989).
12. M. Ritala and M. Leskelä, in Handbook of Thin Film Materials, edited by, H. S. Nalwa, (Academic, San Diego, CA, 2001), Vol. 1, p. 103.
13. H. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2231 (2003).
14. C. Stampfl and A. J. Freeman, Phys. Rev. B 71, 024111 (2005).
15. J.-S. Park, M. J. Lee, C. S. Lee, and S.-W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett. 4, C17 (2001).
16. J. W. Hong, K. I. Choi, Y. K. Lee, S. G. Park, S. W. Lee, J. M. Lee, S. B. Kang, G. H. Choi, S. T. Kim, U.-I. Chung, and J. T. Moon, Proceedings of the IEEE 2004 International Interconnect Technology Conference, 2004 (unpublished), p. 9.
17. J. Liu, J. Bao, M. Scharnberg, W. C. Kim, P. S. Ho, and R. Laxman, J. Vac. Sci. Technol. A 23, 1107 (2005).
18. H.-S. Chung, J.-D. Kwon, and S.-W. Kang, J. Electrochem. Soc. 153, C751 (2006).
19. Y. Travaly, J. Schuhmacher, A. M. Hoyas, M. Van Hove, K. Maex, T. Abell, V. Sutcliffe, and A. M. Jonas, J. Appl. Phys. 97, 084316 (2005).
20. R. Sreenivasan, T. Sugawara, K. C. Saraswat, and P. C. McIntrye, Appl. Phys. Lett. 90, 102101 (2007).
21. E. Langereis, S. B. S. Heil, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Appl. Phys. 100, 023534 (2006).
22. S. M. Aouadi and M. Debessai, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1975 (2004).
23. J. Mistrik, K. Takahashi, R. Antos, M. Aoyama, T. Yamaguchi, Y. Anma, Y. Fukuda, M. B. Takeyama, A. Noya, Z.-T. Jiang, S. M. Thurgate, and G. V. Riessen, Thin Solid Films 455-456, 473 (2004).
24. S. B. S. Heil, P. Kudlacek, E. Langereis, R. Engeln, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, Appl. Phys. Lett. 89, 131505 (2006).
25. S. B. S. Heil, E. Langereis, F. Roozeboom, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Electrochem. Soc. 153, G956 (2006).
26. L. Doolittle, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 9, 344 (1985).
27. J. A. Woollam, Co., Inc., 650 J' Street, Suite 39, Lincoln, NE 68508 (http://www.jawoollam. com).
28. P. Patsalas and S. Logothetidis, J. Appl. Phys. 93, 989 (2003).
29. G. E. Jellison, Jr. and F. A. Modine, Appl. Phys. Lett. 69, 371 (1996).
30. G. E. Jellison, Jr., V. I. Merkulov, A. A. Puretzky, D. B. Geohegan, G. Eres, D. H. Lowndes, and J. B. Caughman, Thin Solid Films 377-378, 68 (2000).
31. B. von Blanckenhagen, D. Tonova, and J. Ullmann, Appl. Opt. 41, 3137 (2002).
32. H. Chen and W. Z. Shen, Eur. Phys. J. B 43, 503 (2005).
33. N. V. Nguyen, C. A. Richter, Y. J. Cho, G. B. Alers, and L. A. Stirling, Appl. Phys. Lett. 77, 3012 (2000).
34. K. Baba and R. Hatada, Surf. Coat. Technol. 84, 429 (1996).
35. R. Puurunen, J. Appl. Phys. 97, 121301 (2005).
36. W. J. Maeng, S.-J. Park, and H. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 2276 (2006).
37. International Centre for Diffraction Data Powder Diffraction File No. 2 (PDF-2), 2006 (http://www.icdd.com).
38. A. Furuya, H. Tsuda, and S. Ogawa, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 979 (2005).
39. C. S. Kang, H.-J. Cho, Y. H. Kim, R. Choi, K. Onishi, A. Shahriar, and J. C. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 2026 (2003).
40. H. Kim, A. J. Kellock, and S. M. Rossnagel, J. Appl. Phys. 92, 7080 (2002).
41. F. A. Modine, R. W. Major, T. W. Haywood, G. R. Gruzalski, and D. Y. Smith, Phys. Rev. B 29, 836 (1984).
42. S. J. Henderson and A. L. Hector, J. Solid State Chem. 179, 3518 (2006).
43. Y. Y. Wu, A. Kohn, and M. Eizenberg, J. Appl. Phys. 95, 6167 (2004).
44. H. J. Coyne and R. N. Tauber, J. Appl. Phys. 39, 5585 (1968).
45. R. W. B. Pearse and A. G. Gaydon, The Identification of Molecular Spectra (Chapman and Hall, London, 1976).