Nonpolar and semipolar GaN heteroepitaxy on sapphire for LED application

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering

Volumn 7617, Issue , 2010, Pages

  Sun, Qian ^a   Han, Jung ^a  

^a Yale University   (United States)

Author keywords

Dislocation; GaN; Heteroepitaxy; Nonpolar; Pit; Semipolar; Stacking fault; Surface striation

Indexed keywords

A-PLANE GAN; BULK SUBSTRATES; DEFECT REDUCTION; EX SITU; FOREIGN SUBSTRATES; GAN MATERIAL; HETEROEPITAXY; HIGH BRIGHTNESS; IN-SITU; MATERIAL RESEARCH; MICROSTRUCTURAL DEVELOPMENT; MORPHOLOGICAL EVOLUTION; NON-POLAR; OPTICAL REFLECTANCE; SEMIPOLAR; TWO-STEP GROWTH; TWO-STEP GROWTH TECHNIQUE;

DEFECT DENSITY; DEFECTS; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMISSION; LIGHT EMITTING DIODES; LIGHT TRANSMISSION; LIGHTING; MATERIALS; SAPPHIRE; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; SOLID STATE DEVICES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 77951665084     PISSN: 0277786X     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1117/12.847425     Document Type: Conference Paper

References (38)

1. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
2. M. R. Krames, O. B. Shchekin, R. Mueller-Mach, G. O. Mueller, L. Zhou, G. Harbers and M. G. Craford, J. Disp. Technol. 3, 160 (2007).
3. P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, M. Ramsteiner, M. Reiche and K. H. Ploog, Nature (London) 406, 865 (2000).
4. T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 39, 413 (2000).
5. M. C. Schmidt, K. C. Kim, H. Sato, N. Fellows, H. Masui, S. Nakamura, S. P. DenBaars and J. S. Speck, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 46, L126 (2007).
6. H. Sato, R. B. Chung, H. Hirasawa, N. Fellows, H. Masui, F. Wu, M. Saito, K. Fujito, J. S. Speck, S. P. DenBaars and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 92, 221110 (2008).
7. N. Fellows, H. Sato, H. Masui, S. P. DenBaars and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 7854 (2008).
8. K. Okamoto, J. Kashiwagi, T. Tanaka and M. Kubota, Appl. Phys. Lett. 94, 071105 (2009).
9. X. Ni, Y. Fu, Y. T. Moon, N. Biyikli and H. Morko, J. Cryst. Growth 290, 166 (2006).
10. Q. Sun, C. D. Yerino, T. S. Ko, Y. S. Cho, I. H. Lee, J. Han and M. E. Coltrin, J. Appl. Phys. 104, 093523 (2008).
11. Q. Sun, B. H. Kong, C. D. Yerino, T.-S. Ko, B. Leung, H. K. Cho and J. Han, J. Appl. Phys. 106, 123519 (2009).
12. D. N. Zakharov, Z. Liliental-Weber, B. Wagner, Z. J. Reitmeier, E. A. Preble and R. F. Davis, Phys. Rev. B 71, 235334 (2005).
13. Q. Sun, S. Y. Kwon, Z. Y. Ren, J. Han, T. Onuma, S. F. Chichibu and S. Wang, Appl. Phys. Lett. 92, 051112 (2008).
14. Q. Sun, C. D. Yerino, Y. Zhang, Y. S. Cho, S.-Y. Kwon, B. H. Kong, H. K. Cho, I.-H. Lee and J. Han, J. Cryst. Growth 311, 3824 (2009).
15. T. Y. Liu, A. Trampert, Y. J. Sun, O. Brandt and K. H. Ploog, Philos. Mag. Lett. 84, 435 (2004).
16. Y. J. Sun, O. Brandt, U. Jahn, T. Y. Liu, A. Trampert, S. Cronenberg, S. Dhar and K. H. Ploog, J. Appl. Phys. 92, 5714 (2002).
17. A. Trampert, T. Y. Liu, O. Brandt and K. H. Ploog, J. Phys. IV 132, 221 (2006).
18. P. Vennegues, Z. Bougrioua and T. Guehne, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 46, 4089 (2007).
19. Q. Sun, Y. S. Cho, I. H. Lee, J. Han, B. H. Kong and H. K. Cho, Appl. Phys. Lett. 93, 131912 (2008).
20. J. L. Hollander, M. J. Kappers, C. McAleese and C. J. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 92, 101104 (2008).
21. Q. Sun, T. S. Ko, C. D. Yerino, Y. Zhang, I. H. Lee, J. Han, T.-C. Lu, H.-C. Kuo and S.-C. Wang, Jpn. J. Appl. Phys 48, 071002 (2009).
22. M. B. McLaurin, A. Hirai, E. Young, F. Wu and J. S. Speck, Jpn. J. Appl. Phys 47, 5429 (2008).
23. T. J. Baker, B. A. Haskell, F. Wu, J. S. Speck and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 45, L154 (2006).
24. T. Wernicke, C. Netzel, M. Weyers and M. Kneissl, Phys. Stat. Sol. C 5, 1815 (2008).
25. Q. Sun, B. Leung, C. D. Yerino, Y. Zhang and J. Han, Appl. Phys. Lett. 95, 231904 (2009).
26. M. A. Moram, C. F. Johnston, J. L. Hollander, M. J. Kappers and C. J. Humphreys, J. Appl. Phys. 105, 113501 (2009).
27. X. Ni, U. Ozgur, A. A. Baski, H. Morkoc, L. Zhou, D. J. Smith and C. A. Tran, Appl. Phys. Lett. 90, 182109 (2007).
28. S. C. Cruz, S. Keller, T. E. Mates, U. K. Mishra and S. P. DenBaars, J. Crys. Growth 311, 3817 (2009).
29. C. F. Johnston, M. J. Kappers, M. A. Moram, J. L. Hollander and C. J. Humphreys, J. Cryst. Growth 311, 3295 (2009).
30. C. F. Johnston, M. A. Moram, M. J. Kappers and C. J. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 94, 161109 (2009).
31. T. Guhne, Z. Bougrioua, P. Vennegues, M. Leroux and M. Albrecht, J. Appl. Phys. 101, 113101 (2007).
32. B. A. Haskell, F. Wu, M. D. Craven, S. Matsuda, P. T. Fini, T. Fujii, K. Fujito, S. P. DenBaars, J. S. Speck and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 83, 644 (2003).
33. B. A. Haskell, T. J. Baker, M. B. McLaurin, F. Wu, P. T. Fini, S. P. DenBaars, J. S. Speck and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 86, 111917 (2005).
34. N. Okada, Y. Kawashima and K. Tadatomo, Appl. Phys. Express 1, 111101 (2008).
35. K. Okuno, Y. Saito, S. Boyama, N. Nakada, S. Nitta, R. G. Tohmon, Y. Ushida and N. Shibata, Appl. Phys. Express 2, 031002 (2009).
36. Y. Saito, K. Okuno, S. Boyama, N. Nakada, S. Nitta, Y. Ushida and N. Shibata, Appl. Phys. Express 2, 041001 (2009).
37. N. Okada, A. Kurisu, K. Murakami and K. Tadatomo, Appl. Phys. Express 2, 091001 (2009).
38. N. Sawaki, T. Hikosaka, N. Koide, S. Tanaka, Y. Honda and M. Yamaguchi, J. Cryst. Growth 311, 2867 (2009).