Characterization of planar semipolar gallium nitride films on sapphire substrates

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 45, Issue 4-7, 2006, Pages

  Baker, Troy J ^a   Haskell, Benjamin A ^a   Wu, Feng ^a   Speck, James S ^a   Nakamura, Shuji ^a,b  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b University of California   (United States)

Author keywords

GaN; Nonpolar; Sapphire; Semipolar

Indexed keywords

DENSITY (SPECIFIC GRAVITY); SAPPHIRE; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SUBSTRATES; VAPOR PHASE EPITAXY;

DISLOCATION DENSITY; NONPOLAR; SEMIPOLAR;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 32044473082     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.45.L154     Document Type: Article

References (28)

1. S. Nakamura, G. Fasol and S. J. Pearton: The Blue Laser Diode (Springer, New York, 2000).
2. L. F. Eastman and U. K. Mishra: IEEE Spectrum 39 (2002) 28.
3. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa. Y. Yamaoka and N. Yamada: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 1691.
4. I. Jin Seo, H. Kollmer, J. Off, A. Sohmer, F. Scholz and A. Hangleiter: Phys. Rev. B 57 (1998) R9435.
5. R. Langer, J. Simon, V. Ortiz, N. T. Pelekanos, A. Barski, R. Andre and M. Godlewski: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 3827.
6. P. Lefebvre, J. Allegre, B. Gil, H. Mathieu, N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies and P. Bigenwald: Phys. Rev. B 59 (1999) 15363.
7. P. Lefebvre, A. Morel, M. Gallart, T. Taliercio, J. Allegre, B. Gil, H. Mathieu, B. Damilano, N. Grandjean and J. Massies: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 1252.
8. P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, M. Ramsteiner, M. Reiche and K. H. Ploog: Nature 406 (2000) 865.
9. R. Vanfleet, J. Simmons, H. Maruska, D. Hill, M. Chou and B. Chai: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 1139.
10. N. Gardner, J. Kim, J. Wierer, Y. Shen and M. Krames: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 111101.
11. B. A. Haskell, T. J. Baker, M. McLaurin, F. Wu, P. T. Fini, S. P. Denbaars, J. S. Speck and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 111917.
12. H. Ng: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 4369.
13. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu. J. S. Speck and S. P. Denbaars: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 469.
14. B. A. Haskell, F. Wu, S. Matsuda, M. D. Craven, P. T. Fini, S. P. Denbaars, J. S. Speck and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 1554.
15. S. H. Park and S. L. Chuang: Phys. Rev. B 59 (1999) 4725.
16. T. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki: Jpn. J Appl. Phys. 39 (2000) 413.
17. A. E. Romanov, T. J. Baker, S. Nakamura and J. S. Speck: submitted to J. Appl. Phys. (2005).
18. X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, J. S. Speck and S. Rosner: Appl. Phys. Lett. 72 (1998) 692.
19. B. Heying, R. Averbeck, L. F. Chen, E. Haus, H. Riechert and J. S. Speck: J. Appl. Phys. 88 (2000) 1855.
20. B. A. Haskell: Ph. D. Thesis, Materials Department, University of California, Santa Barbara, 2005.
21. A. E. Romanov, P. Fini and J. S. Speck: Appl. Phys. Lett. 93 (2003) 106.
22. M. D. Craven, F. Wu, A. Chakraborty, B. Imer, U. K. Mishra, S. P. DenBaars and J. S. Speck: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 1281.
23. T. Baker, B. Haskell, F. Wu, P. Fini, J. Speck and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L920.
24. T. Matsuoka and E. Hagiwara: Phys. Status Solidi A 188 (2001) 485.
25. K. Nishizuka, M. Funato, Y. Kawakami and Sg. Fujita: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 3122.
26. K. Iwata, H. Asahi, K. Asami, R. Kuroiwa and S. Gonda: Jpn J. Appl. Phys. 36 (1997) L661.
27. A. Chakraborty, T. J. Baker, B. A. Haskell, F. Wu, J. S. Speck, S. Denbaars, S. Nakamura and U. K. Mishra: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L945.
28. R. Sharma, P. M. Pattison, H. Masui, R. M. Farrell, T. J. Baker, B. A. Haskell, F. Wu, S. P. Denbaars, J. S. Speck and S. Nakamura: Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 231110.