Integrated feature scale modeling of plasma processing of porous and solid SiO 2. I. Fluorocarbon etching

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 22, Issue 4, 2004, Pages 1242-1259

  Sankaran, Arvind ^a,c   Kushner, Mark J ^b  

^a UNIVERSITY OF ILLINOIS AT URBANA CHAMPAIGN   (United States)

^b United States of America   (United States)

^c Novellus Systems   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FLUOROCARBON ETCHING; HYBRID PLASMA EQUIPMENT MODEL (HPEM); METHYLSILSESQUIOXANE (MSQ) FILMS; POROUS SILICON-DIOXIDE (PS);

ACTIVATION ENERGY; ASPECT RATIO; COMPUTER SIMULATION; FLUOROCARBONS; MONTE CARLO METHODS; PERMITTIVITY; PLASMA ETCHING; POLYTETRAFLUOROETHYLENES; POROSITY; POSITRON ANNIHILATION SPECTROSCOPY; PROBABILITY; SURFACE REACTIONS; X RAY SPECTROSCOPY;

SILICA;

EID: 4344673720     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1764821     Document Type: Article

References (40)

1. S.-J. Wang, H.-H. Park, and G.-Y. Yeom, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 7007 (2000).
2. G. S. Oehrlein, T. E. F. M. Standaert, and P. J. Matsuo, in Solid State Technology; Vol. May 2000 (2000), p. 125.
3. T. E. F. M. Standaert, P. J. Matsuo, X. Li, G. S. Oehrlein, T. M. Lu, R. Gutmann, C. T. Rosenmayer, J. W. Bartz, J. G. Langan, and W. R. Entley, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 435 (2001).
4. D. Fuard, O. Joubert, L. Vallier, and M. Bonvalot, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 447 (2001).
5. D. Fuard, O. Joubert, L. Vallier, M. Assous, P. Berruyer, and R. Blanc, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 2223 (2001).
6. P. Ho, J. E. Johannes, R. J. Buss, and E. Meeks, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2344 (2001).
7. M. Matsui, F. Uchida, M. Kojima, T. Tokunaga, F. Yano, and M. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. A 20, 117 (2002).
8. W. D. Gidley, W. E. Frieze, T. L. Dull, J. Sun, A. F. Yee, C. V. Nguyen, and D. Y. Yoon, Appl. Phys. Lett. 76, 1282 (2000).
9. W. Wu, W. E. Wallace, E. K. Lin, G. W. Lynn, C. G. Glinka, T. E. Ryan, and H. Ho, J. Appl. Phys. 87, 1193 (2000).
10. M. R. Baklanov, K. P. Mogilnikov, V. G. Polovinkin, and F. N. Dultsev, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1385 (2000).
11. W. D. Gidley, W. E. Frieze, T. L. Dull, A. F. Yee, T. E. Ryan, and H. Ho, Phys. Rev. B 60, R5157 (l999).
12. M. P. Petkov, M. H. Weber, K. G. Lynn, K. P. Rodbell, and S. A. Cohen, Appl. Phys. Lett. 74, 2146 (1999).
13. T. E. F. M. Standaert, P. J. Matsuo, S. D. Allen, G. S. Oehrlein, and T. J. Dalton, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 741 (1999).
14. A. J. Bariya, C. W. Frank, and J. P. McVittie, J. Electrochem. Soc. 137, 2575 (1990).
15. T. E. F. M. Standaert, M. Schaepkens, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 239 (1998).
16. M. Matsui, T. Tatsumi, and M. Sekine, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2089 (2001).
17. G. S. Oehrlein and J. F. Rembetski, IBM J. Res. Dev. 36, 140 (1992).
18. N. R. Rueger, J. J. Beulens, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. M. Mirza, T. E. F. M. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1881 (1997).
19. M. Matsui, T. Tatsumi. and M. Sekine, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1282 (2001).
20. K. Miyata, M. Hori, and T. Goto, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 568 (1997).
21. R. J. Hoekstra, M. J. Grapperhaus, and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1913 (1997).
22. D. Zhang and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 524 (2001).
23. J. Lu and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2652 (2001).
24. R. L. Kinder and M. J. Kushner, J. Appl. Phys. 90, 3699 (2001).
25. T. E. F. M. Standaert, E. A. Joseph, G. S. Oehrlein, A. Jain, W. N. Gill, P. C. J. Wayner, and J. L. Plawsky, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2742 (2000).
26. M. Schaepkens, T. E. F. M. Standaert, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oeherlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 26 (1999).
27. A. Sankaran and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1260 (2004).
28. R. L. Kinder and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 76 (2001).
29. R. J. Hoekstra and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3274 (1998).
30. R. J. Hoekstra and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2102 (1998).
31. A. M. Barklund and H.-O. Blum, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 1212 (1992).
32. M. Schaepkens, G. S. Oehrlein, C. Hedlund, L. B. Jonsson, and H.-O. Blum, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3281 (1998).
33. H. Chae, S. A. Vitale, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. A 21, 381 (2003).
34. B. E. E. E. Kastenmeier, P. J. Matsui, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 6, 2047 (1998).
35. M. Inayoshi, M. Ito, M. Hori, T. Goto, and M. Hiramatsu, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 233 (1998).
36. J. P. Booth, G. Cunge, P. Chabert, and N. Sadeghi, J. Appl. Phys. 85, 3097 (1999).
37. D. C. Gray, I. Tepermeister, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1243 (1993).
38. E. Kobeda and E. A. Irene, J. Vac. Sci. Technol. B 7, 163 (1989).
39. J. P. Chang and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1870 (2001).
40. A. V. Vasenkov, X. Li, G. S. Oehrlein, and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 511 (2004).