Study of the SiO2-to-Si3N4 etch selectivity mechanism in inductively coupled fluorocarbon plasmas and a comparison with the SiO2-to-Si mechanism

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 17, Issue 1, 1999, Pages 26-37

  Schaepkens, M ^a   Standaert, T E F M ^a   Rueger, N R ^a   Sebel, P G M ^a,c   Oehrlein, G S ^a   Cook, J M ^b  

^a STATE UNIVERSITY OF NEW YORK   (United States)

^b LAM RESEARCH CORPORATION   (United States)

^c EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0033479880     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.582108     Document Type: Article

References (43)

1. R. A. H. Heinecke, Solid-State Electron. 18, 1146 (1975).
2. J. W. Coburn and E. Kay, IBM J. Res. Dev. 23, 33 (1979).
3. J. W. Coburn and H. F. Winters, J. Vac. Sci. Technol. 16, 391 (1979).
4. J. W. Coburn, J. Appl. Phys. 50, 5210 (1979).
5. L. M. Ephrath, J. Electrochem. Soc. 126, 1419 (1979).
6. Y.-Y. Tu, T. J. Chuang, and H. F. Winters, Phys. Rev. B 23, 823 (1981).
7. G. S. Oehrlein, G. J. Coyle, J. C. Tsang, R. M. Tromp, J. G. Clabes, and Y. H. Lee, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 68, 367 (1986).
8. G. S. Oehrlein and Y. H. Lee, J. Vac. Sci. Technol A 5, 1585 (1987).
9. S. Joyce, J. G. Langan, and J. I. Steinfeld, J. Chem. Phys. 88, 2027 (1988).
10. J. G. Langan, J. A. Shorter, X. Xin, S. A. Joyce, and J. I. Steinfeld, Surf. Sci. 207, 344 (1989).
11. Ch. Cardinaud and G. Turban, Appl. Surf. Sci. 45, 109 (1990).
12. T. Akimoto, S. Furuoya, K. Harasima, and E. Ikawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 2151 (1994).
13. G. S. Oehrlein and H. L. Williams, J. Appl. Phys. 62, 662 (1987).
14. G. S. Oehrlein, S. W. Robey, and M. A. Jaso, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 98, 229 (1987).
15. G. E. Potter, G. H. Morrison, P. K. Charvat, and A. L. Ruoff, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 239 (1992).
16. T. E. F. M. Standaert, M. Schaepkens, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 239 (1998).
17. J. W. Butterbaugh, D. C. Gray, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1461 (1991).
18. N. R. Rueger, J. J. Beulens, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. M. Mirza, T. E. F. M. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1881 (1997).
19. A. M. Barklund and H.-O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1226 (1993).
20. J. Givens, S. Geissler, J. Lee, O. Cain, J. Marks, P. Keswick, and C. Cunningham, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 427 (1994).
21. K. Ueno, T. Kikkawa, and K. Tokashiki, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 1447 (1995).
22. H. Hayashi, K. Kurihara, and M. Sekine, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 2488 (1996).
23. S. Fang, C. Chiang, D. Fraser, B. Lee, P. Keswick, M. Chang, and K. Fung, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 1092 (1996).
24. Y. Zhang, G. S. Oehrlein, and F. H. Bell, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2127 (1996).
25. J. M. Cook, O. Turmel, T. Wicker, and J. Winniczek, Technical Proceedings, Semicon Japan, SEMI, Chiba 1993 (unpublished), p. 414.
26. F. H. Bell, O. Joubert, G. S. Oehrlein, Y. Zhang, and D. Vender, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 3095 (1994).
27. J. H. Keller, J. C. Forster, and M. S. Barnes, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 2487 (1993).
28. J. A. Meyer, K. H. R. Kirmse, J.-S. Jenq, S. Y. Perez-Montero, H. L. Maynard, A. E. Wendt, J. W. Taylor, and N. Hershkowitz, Appl. Phys. Lett. 64, 1926 (1994).
29. D. C. Marra and E. S. Aydil, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 2508 (1997).
30. M. Haverlag, D. Vender, and G. S. Oehrlein, Appl. Phys. Lett. 61, 2875 (1992).
31. P. C. Zalm, Handbook of Ion Beam Processing Technology, edited by J. J. Cuomo, S. M. Rossnagel, and H. R. Kaufman (Noyes, NJ, 1989), p. 77; J. Kirschner and H. W. Etzkorn, Appl. Phys. A: Solids Surf. 29, 133 (1982).
32. P. C. Zalm, Handbook of Ion Beam Processing Technology, edited by J. J. Cuomo, S. M. Rossnagel, and H. R. Kaufman (Noyes, NJ, 1989), p. 77; J. Kirschner and H. W. Etzkorn, Appl. Phys. A: Solids Surf. 29, 133 (1982).
33. S. W. Robey and G. S. Oehrlein, Surf. Sci. 210, 429 (1989).
34. J. A. Taylor, G. M. Lancaster, A. Ignatiev, and J. W. Rabalais, J. Chem. Phys. 68, 1776 (1978).
35. Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy, edited by G. E. Muilenberg (Perkin-Elmer, Eden Prairie, MN, 1979).
36. G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 34 (1993).
37. N. Ikegami, N. Ozawa, Y. Miyakawa, and J. Kanamori, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 1556 (1991); N. Ikegami, N. Ozawa, Y. Miyakawa, N. Hirashita, and J. Kanamori, 31, 2020 (1992).
38. N. Ikegami, N. Ozawa, Y. Miyakawa, and J. Kanamori, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 1556 (1991); N. Ikegami, N. Ozawa, Y. Miyakawa, N. Hirashita, and J. Kanamori, 31, 2020 (1992).
39. J. Ding, J.-S. Jenq, G.-H. Kim, H. L. Maynard, J. S. Hamers, N. Herskowitz, and J. W. Taylor, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1283 (1993).
40. D. Field, D. F. Klemperer, and I. T. Wade, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 551 (1988).
41. J. Dulak, B. J. Howard, and Ch. Steinbruechel, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 775 (1991).
42. K. Miyata, M. Hori, and T. Goto, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 568 (1997).
43. Y. Wang, R. J. Van Brunt, and J. K. Olthoff, J. Appl. Phys. 83, 703 (1998).