High density fluorocarbon etching of silicon in an inductively coupled plasma: Mechanism of etching through a thick steady state fluorocarbon layer

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 16, Issue 1, 1998, Pages 239-249

  Standaert, T E F M ^a   Schaepkens, M ^a   Rueger, N R ^a   Sebel, P G M ^a,c   Oehrlein, G S ^a   Cook, J M ^b  

^a STATE UNIVERSITY OF NEW YORK   (United States)

^b LAM RESEARCH CORPORATION   (United States)

^c EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMS; DIFFUSION; ELLIPSOMETRY; FLUORINE; FLUOROCARBONS; IONS; MATHEMATICAL MODELS; MOLECULAR DYNAMICS; REACTION KINETICS; SILICON; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ION FRAGMENTATION; NEUTRAL ETCHANT FLUX;

PLASMA ETCHING;

EID: 0031672938     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.580978     Document Type: Article

References (41)

1. J. H. Keller, J. C. Forster, and M. S. Barnes, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 2487 (1993).
2. N. R. Rueger, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. J. Beulens, J. M. Mirza, T. E. F. M. Standaert, R. M. A. Driessens, and G. S. Oehrlein (unpublished).
3. R. A. H. Heinecke, Solid-State Electron. 18, 1146 (1975).
4. L. M. Ephrath, J. Electrochem. Soc. 126, 1419 (1979).
5. G. S. Oehrlein, P. J. Matsuo, M. F. Doemling, N. R. Rueger, B. E. E. Kastenmeier, M. Schaepkens, T. E. F. M. Standaert, and J. J. Beulens, Plasma Sources Sci. Technol. 5, 193 (1996).
6. F. H. Bell, O. Joubert, G. S. Oehrlein, Y. Zhang, and D. Vender, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 3095 (1994).
7. G. S. Oehrlein, D. Zhang, D. Vender, and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 333 (1994).
8. J. P. Simko and G. S. Oehrlein, J. Electrochem. Soc. 138, 2748 (1991).
9. N. R. Rueger, J. J. Beulens, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. M. Mirza, T. E. F. M. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1881 (1997).
10. G. S. Oehrlein and H. L. Williams, J. Appl. Phys. 62, 662 (1987).
11. G. S. Oehrlein, S. W. Robey, and M. A. Jaso, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 98, 229 (1987).
12. M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (Wiley, New York, 1994).
13. M. Schaepkens, Material Processing in a Transformer Coupled Plasma Source, Eindhoven University of Technology, Master's Thesis (1996).
14. T. E. F. M. Standaert, Deposition and Etching in Inductively Coupled Fluorocarbon Plasmas, Eindhoven University of Technology, Master's Thesis (1996).
15. J. M. Cook, O. Turmel, T. Wicker, J. Winniczek, Lam Research Internal Report, (1994).
16. R. M. A. Azzam and N. M. Bashara, Ellipsometry and Polarized Light (North-Holland, Amsterdam, 1977).
17. J. L. Buckner, D. J. Vitkavage, E. A. Irene, and T. M. Mayer, J. Electrochem. Soc. 133, 1729 (1986).
18. M. Haverlag, D. Vender, and G. S. Oehrlein, Appl. Phys. Lett. 61, 2876 (1992).
19. G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 34 (1993).
20. J. A. O'Neill and J. Singh, J. Appl. Phys. 77, 497 (1997).
21. M. Schaepkens, R. C. M. Bosch, T. E. F. M. Standaert, J. M. Cook, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A (submitted).
22. G. S. Oehrlein, D. Zhang, D. Vender, and M. Haverlag, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 323 (1994).
23. N. R. Rueger, J. J. Beulens, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. M. Mirza, T. E. F. M. Standaert, S. P. L. Nijsten, and G. S. Oehrlein (unpublished).
24. G. S. Oehrlein, R. M. Tromp, J. C. Tsang, Y. H. Lee, and E. J. Petrillo, J. Electrochem. Soc. 132, 1441 (1985).
25. G. S. Oehrlein, Mater. Sci. Eng. B 4, 441 (1989).
26. Y. Hikosaka, M. Nakamura, and H. Sugai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 2157 (1994).
27. J. M. Mirza, R. M. A. Driessens, N. R. Rueger, M. F. Doemling, and G. S. Oehrlein (unpublished).
28. F. R. McFeeley, J. F. Morar, N. D. Shinn, G. Landgren, and F. J. Himpsel, Phys. Rev. B 30, 764 (1984).
29. K. J. Gruntz, L. Ley, and R. L. Johnson, Phys. Rev. B 24, 2069 (1981).
30. D. Vender, M. Haverlag, and G. S. Oehrlein, Appl. Phys. Lett. 61, 3136 (1992).
31. D. Briggs and M. P. Seah, Practical Surface Analysis (Wiley, New York, 1990), Vol. 1.
32. B. E. E. Kastenmeier, P. J. Matsuo, J. J. Beulens, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2802 (1996).
33. C. J. Mogab, A. C. Adams, and D. L. Flamm, J. Appl. Phys. 49, 3796 (1978).
34. R. A. Pasternak, M. V. Christensen, and J. Heller, Macromolecules 3, 366 (1970).
35. R. A. Pasternak, G. L. Burns, and J. Heller, Macromolecules 4, 479 (1971).
36. L. M. Ephrath, J. Electrochem. Soc. 126, 1419 (1979).
37. L. M. Ephrath and E. J. Petrillo, J. Electrochem. Soc. 129, 2282 (1982).
38. W. H. Chang, I. Bello, and W. M. Lau, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1221 (1993).
39. I. Bello, W. H. Chang, and W. M. Lau, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1425 (1994).
40. M. Schaepkens, T. E. F. M. Standaert, P. G. M. Sebel, J. M. Cook, and G. S. Oehrlein (unpublished).
41. M. F. Doemling, N. R. Rueger, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook (unpublished).