Integrated feature scale modeling of plasma processing of porous and solid SiO 2. II. Residual fluorocarbon polymer stripping and barrier layer deposition

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 22, Issue 4, 2004, Pages 1260-1274

  Sankaran, Arvind ^a,c   Kushner, Mark J ^b  

^a UNIVERSITY OF ILLINOIS AT URBANA CHAMPAIGN   (United States)

^b University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

^c Novellus Systems   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARRIER LAYER DEPOSITION; FLUOROCARBON POLYMERS; HYBRID PLASMA EQUIPMENT (HPEM); POROUS SILICON DIOXIDE (PS);

COMPUTATIONAL COMPLEXITY; COMPUTER SIMULATION; PHOTORESISTORS; PLASMA ETCHING; POROSITY; POROUS MATERIALS; REACTION KINETICS; SILICA; THICK FILMS; THIN FILMS;

DIELECTRIC MATERIALS;

EID: 4344681418     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1764822     Document Type: Article

References (47)

1. S.-J. Wang, H.-H. Park, and G.-Y. Yeom, Jpn. J. Appl. Phys., Part I 39, 7007 (2000).
2. K. Maex, M. R. Baklanov, D. Shamiryan, F. Iacopi, S. H. Brongersma, and Z. S. Yanovistskaya, J. Appl. Phys. 93, 8793 (2003).
3. S. J. Fonash, J. Electrochem. Soc. 137, 3885 (1990).
4. G. S. Oehrlein, T. E. F. M. Standaert, and P. J. Matsuo, in Solid State Technology; Vol. May 2000 (2000), p. 125.
5. H. Seo, S. B. Kim, J. Song, Y. Kim, H. Soh, Y. C. Kim, and H. Jeon, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1548 (2002).
6. K. Ueno, V. M. Donnelly, and Y. Tsuchiya, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2986 (1998).
7. D. Shamiryan, M. R. Baklanov, S. Vanhaelemeersch, and K. Maex, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1923 (2002).
8. N. R. Rueger, J. J. Beulens, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. M. Mirza, T. E. F. M. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1881 (1997).
9. M. Schaekens, G. S. Oehrlein, C. Hedlund, L. B. Jonsson, and H. O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3281 (1998).
10. Y. Wang, S. W. Graham, L. Chan, and S. Loong, J. Electrochem. Soc. 144, 1522 (1997).
11. G. S. Oehrlein, G. J. Scilla, and S. Jeng, Appl. Phys. Lett. 52, 907 (1988).
12. D. K. Schroder, Semiconductor Material and Device Characterization (Wiley, New York, 1990).
13. S. D. Gendt, P. Snee, I. Cornelissen, M. Lux, R. Vos, P. W. Mertens, D. M. Knotter, and M. M. Heyns, Symp. VLSI. Technol. Dig. Tech. Papers, 168 (1998).
14. H. Ying, J. P. Barnak, Y. L. Chen, and R. J. Nemanich, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 386, 285 (1995).
15. A. Somashekhar, H. Ying, P. B. Smith, D. B. Aldrich, and R. J. Nemanich, J. Electrochem. Soc. 146, 2318 (1999).
16. D. Louis, E. Lajoinie, F. Pires, W. M. Lee, and D. Holmes, Microelectron. Eng. 41/42, 415 (1998).
17. F. Greer, J. W. Coburn, and D. B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 2288 (2000).
18. C.-Y. Sin, B.-H. Chen, W. L. Loh, J. Yu, P. Yelehanka, A. See, and L. Chan, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1974 (2002).
19. F. Greer, L. Van, D. Fraser, J. W. Coburn, and D. B. Graves, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 1901 (2002).
20. D. Fuard, O. Joubert, L. Valuer, and M. Bonvalot, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 447 (2001).
21. T. E. F. M. Standaert, P. J. Matsuo, X. Li, G. S. Oehrlein, T. M. Lu, R. Gutmann, C. T. Rosenmayer, J. W. Bartz, J. G. Langan, and W. R. Entley, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 435 (2001).
22. H. Cerva, E. G. Mohr, and J. Oppolzer, J. Vac. Sci. Technol. B 5, 590 (1992).
23. J. A. Cunningham, Semicond. Int. 23, 97 (2000).
24. E. J. O'Sullivan, A. G. Schrott, M. Paunovic, C. J. Sambucetti, J. R. Marino, P. J. Bailey, S. Kaja, and K. W. Semkow, IBM J. Res. Dev. 42, 607 (1998).
25. F. Iacopi, Z. Tokei, M. Stucchi, S. H. Brongersma, D. Vanhaeren, and K. Maex, Microelectron. Eng. 65, 123 (2003).
26. W. Besling, A. Satta, J. Schuhmacher, T. Abell, V. Sutcliffe, A. M. Hoyas, G. Beyer, D. Gravesteijn, and K. Maex, Proc. IITC, 288 (2002).
27. F. Iacopi, Z. Tokei, M. Stucchi, F. Lanckmans, and K. Maex, IEEE Electron. Device Lett. 24, 147 (2003).
28. R. J. Hoekstra, M. J. Grapperhaus, and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1913 (1997).
29. R. J. Hoekstra and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2102 (1998).
30. A. Sankaran and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 1242 (2004).
31. J. Lu and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2652 (2001).
32. R. L. Kinder and M. J. Kushner, J. Appl. Phys. 90, 3699 (2001).
33. R. L. Kinder and M. J. Kushner, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 76 (2001).
34. A. M. Barklund and H.-O. Blum, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 1212 (1992).
35. M. Schaepkens, G. S. Oehrlein, C. Hedlund, L. B. Jonsson, and H.-O. Blum, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3281 (1998).
36. C. Steinbruchel, B. J. Curtis, H. W. Lehmann, and R. Widmer, IEEE Trans. Plasma Sci. 14, 137 (1986).
37. E. J. H. Collart, J. A. G. Baggerman, and R. J. Visser, J. Appl. Phys. 78, 47 (1995).
38. J. A. G. Baggerman, R. J. Visser, and E. J. H. Collart, J. Appl. Phys. 75, 758 (1994).
39. W. E. Vanderlinde and A. L. Ruoff, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1621 (1988).
40. D. L. Flamm and V. M. Donnelly, Plasma Chem. Plasma Process. 1, 317 (1981).
41. J. M. Cook and B. W. Benson, J. Electrochem. Soc. 130, 2459 (1983).
42. G. S. Selwyn, J. Appl. Phys. 60, 2771 (1986).
43. M. E. Harper, J. J. Cuomo, and H. R. Kaufman, Annu. Rev. Mater. Sci. 13, 413 (1983).
44. F. D. Egitto, F. Emmi, R. S. Horwath, and V. Vukanovic, J. Vac. Sci. Technol. B 3, 893 (1985).
45. O. Joubert, J. Pelletier, and Y. Arnal, J. Appl. Phys. 65, 5096 (1989).
46. M. Schaepkens, T. E. F. M. Standaert, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oeherlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 26 (1999).
47. P. F. Cheng, S. M. Rossnagel, and D. N. Ruzic, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 203 (1995).