Fabrication and characterization of patterned single-crystal silicon nanolines

Nano Letters

Volumn 8, Issue 1, 2008, Pages 92-98

  Li, Bin ^a   Kang, Min K ^a   Lu, Kuan ^a   Huang, Rui ^a   Ho, Paul S ^a   Allen, Richard A ^b   Cresswel, Michael W ^b  

^a The University of Texas at Austin   (United States)

^b NATIONAL INSTITUTE OF STANDARDS AND TECHNOLOGY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTACT SURFACES; SILICON NANOLINES;

BUCKLING; COMPUTER SIMULATION; FRICTION; NANOINDENTATION; NANOSTRUCTURED MATERIALS; SILICON;

SINGLE CRYSTALS;

EID: 38749086068     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl072144i     Document Type: Article

References (47)

1. Wang, C.; Jones, R. L.; Lin, E. K.; Wu, W.; Leu, J. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 193122.
2. Knight, S.; Dixson, R. G.; Jones, R. L.; Lin, E. R.; Orji, N. G.; Silver, R.; Villarrubia, J. S.; Vladár, A. E.; Wu, W. C. R. Phys. 2006, 7, 931.
3. Dixson, R. G.; Allen, R. A.; Guthrie, W. F.; Cresswell, M. W. J. Vac. Sci. Technol. B 2005, 23, 3028.
4. Lieber, C. M.; Wang, Z. L. MRS Bulletin 2007, 32, 99.
5. Saif Islam, M.; Sharma, S.; Kamins, T. I.; Williams, R. S. Appl. Phys. A. 2005, 80, 1133.
6. He, R.; Yang, P. Nat. Nanotechnol. 2006, 1, 42.
7. Feng, X. L.; He, R.; Yang, P.; Roukes, M. L. Nano Lett. 2007, 7, 1953.
8. Namazu, T.; Isono, Y.; Tanaka, T. J. Microelectromech. Syst. 2000, 9, 450.
9. Namazu, T.; Isono, Y.; Tanaka, T. J. Microelectromech. Syst. 2002, 11, 125.
10. Li, X.; Bhushan, B.; Takashima, K.; Baek, C.-W.; Kim, Y.-R. Ultramicroscopy 2003, 97, 481.
11. Johansson, S.; Schweitz, J.-A.; Tenerz, L.; Tiren, J. J. Appl. Phy. 1988, 63, 4799.
12. Roundy, D.; Cohen, M. L. Phys. Rev. B 2001, 64, 212103.
13. San Paulo, A.; Bokor, J.; Howe, R. T.; He, R.; Yang, P.; Gao, D.; Carraro, C.; Maboudian, R. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 053111.
14. Tabib-Azar, M.; Nassirou, M.; Wang, R.; Sharma, S.; Kamins, T. I.; Islam, M. S.; Williams, R. S. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 113102.
15. Hoffmann, S.; Utke, I.; Moser, B.; Michler, J.; Christiansen, S. H.; Schmidt, V.; Senz, S.; Werner, P.; Gösele, U.; Ballif, C. Nano Lett. 2006, 6, 622.
16. Melosh, N. A.; Boukai, A.; Diana, F.; Gerardot, B.; Badolato, A.; Petroff, P. M.; Heath, J. R. Science 2003, 300, 112.
17. Beckman, R. A.; Johnston-Halperin, E.; Melosh, N. A.; Luo, Y.; Green, J. E.; Heath, J. R. J. Appl. Phys. 2004, 96, 5921.
18. Wang, D.; Sheriff, B. A.; Heath, J. R. Nano Lett. 2006, 6, 1096.
19. Treacy, M. M. J.; Ebbesen, T. W.; Gibson, J. M. Nature 1996, 381, 678.
20. Poncharal, P.; Wang, Z. L.; Ugarte, D.; de Heer, W. A. Science 1999, 283, 1513.
21. Yu, M.-F.; Lourie, O.; Dyer, M. J.; Moloni, K.; Kelly, T. F.; Ruoff, R. S. Science 2000, 287, 637.
22. Zhu, Y.; Espinosa, H. D. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 2005, 102, 14503.
23. Huang, J. Y.; Chen, S.; Ren, Z. F.; Wang, Z.; Kempa, K.; Naughton, M. J.; Chen, G.; Dresselhaus, M. S. Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 185501.
24. Yu, M.-F.; Kowalewski, T.; Ruoff, R. S. Phys. Rev. Lett. 2000, 85, 1456.
25. Li, X.; Gao, H.; Murphy, C. J.; Caswell, K. K. Nano Lett. 2003, 3, 1495.
26. Mao, S. X.; Zhao, M.; Wang, Z. L. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 993.
27. Qi, H. J.; Teo, K. B. K.; Lau, K. K. S.; Boyce, M. C.; Milne, W. I.; Robertson, J.; Gleason, K. K. J. Mech. Phys. Solids 2003, 51, 2213.
28. Uchic, M. D.; Dimiduk, D. M.; Florando, J. N.; Nix, W. D. Science 2004, 305, 986.
29. Deneen, J.; Mook, W. M.; Minor, A.; Gerberich, W. W.; Carter, C. B. J. Mater. Sci. 2006, 41, 4477.
30. Feng, G.; Nix, W. D.; Yoon, Y.; Lee, C. J. J. Appl. Phys. 2006, 99, 074304.
31. Ding, W.; Guo, Z.; Ruoff, R. S. J. Appl. Phys. 2007, 101, 034316.
32. Oliver, W. C.; Pharr, G. M. J. Mater. Res. 1992, 7, 1564.
33. Cook, R. F. J. Mat. Sci. 2006, 41, 841.
34. Li, J.; van Vliet, R. J.; Zhu, T.; Yip, S.; Suresh, S. Nature 2002, 418, 307.
35. Chen, X.; Ogasawara, N.; Zhao, M.; Chiba, N. J. Mech. Phys. Solids 2007, 55, 1618.
36. Cresswell, M. W.; Guthrie, W. F.; Dixson, R. G.; Murabito, C. E.; De Pinillos, J. V. M. J. Res. Natl. Inst. Stand. Technol. 2006, 111, 187.
37. Allen, R. A.; am Ende, B. A.; Cresswell, M. W.; Murabito, C. E.; Headley, T. J.; Guthrie, W. F.; Linholm, L. W.; Ellenwood, C. H.; Bogardus, E. H. IEEE Trans. Semiconduct. Manufact. 2003, 16, 239.
38. Vieu, C.; Carcenac, F.; Pepin, A.; Chen, Y.; Mejias, M.; Lebib, A.; Manin-Ferlazzo, L.; Couraud, L.; Launois, H. Appl. Surf. Sci. 2000, 164, 111.
39. Zhang, X. J.; Zappe, S.; Bernstein, R. W.; Sahin, O.; Chen, C.-C.; Fish, M.; Scott, M. P.; Solgaard, O. Sens. Actuators, A 2004, 114, 197.
40. Smith, K. H.; Wasson, J. R.; Mangat, P. J. S.; Dauksher, W. J.; Resnick, D. J. J. Vac. Sci. Technol. B, 2001, 19, 2906.
41. User's Manual to Triboscope, Hysitron Inc., 1997, Minneapolis, U.S.A.
42. Bhushan, B.; Kulkarni, A. V.; Bonin, W.; Wyrobek, J. T. Phi. Mag. A, 1996, 74, 1117.
43. Wong, E. W.; Sheehan, P. E.; Lieber, C. M. Science 1997, 277, 1971.
44. Cao, A.; Dickrell, P. L.; Sawyer, W. G.; Ghasemi-Neijhad, M. N.; Ajayan, P. M. Science, 2005, 310, 1307.
45. ABAQUS Documentation, Version 6.6, ABAQUS, Inc., 2006, Providence, Rhode Island.
46. Riks, E. Int. J. Solids. Structures, 1979, 15, 529.
47. Bhushan, B.; Li, X. J. Mater. Res., 1997, 12, 54.