Effects of the quantum dot ripening in high-coverage InAsGaAs nanostructures

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 8, 2007, Pages

  Frigeri, P ^a   Nasi, L ^a   Prezioso, M ^a   Seravalli, L ^a   Trevisi, G ^a   Gombia, E ^a   Mosca, R ^a   Germini, F ^a   Bocchi, C ^a   Franchi, S ^a  

^a IMEM CNR   (Italy)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CARRIER CONCENTRATION; LATTICE CONSTANTS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NANOSTRUCTURES; PHOTOLUMINESCENCE;

CAPACITANCE-VOLTAGE; QUANTUM DOT RIPENING; THERMODYNAMIC EQUILIBRIUM CONDITIONS; TRANSIENT SPECTROSCOPY;

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS;

EID: 35649028430     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2795661     Document Type: Article

References (43)

1. D. Bimberg, M. Grundmann, and N. N. Ledentsov, Quantum Dot Heterostructures (Wiley, Chichester, 1999).
2. P. Bhattacharya, S. Ghosh, and A. D. Stiff-Roberts, Annu. Rev. Mater. Res. 34, 1 (2004).
3. A. Bosacchi, P. Frigeri, S. Franchi, P. Allegri, and V. Avanzini, J. Cryst. Growth 175176, 771 (1997).
4. V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. Yu. Egorov, A. V. Lunev, B. V. Volovik, I. L. Krestnikov, Yu. G. Musikhin, N. A. Bert, P. S. Kop'ev, Zh. I. Alferov, N. N. Ledentsov, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 74, 2815 (1999).
5. K. Nishi, H. Saito, S. Sugou, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999).
6. H. Y. Liu, X. D. Wang, B. Xu, D. Ding, W. H. Jiang, J. Wu, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 213, 193 (2000).
7. L. Seravalli, M. Minelli, P. Frigeri, S. Franchi, G. Guizzetti, M. Patrini, T. Ciabattoni, and M. Geddo, J. Appl. Phys. 101, 024313 (2007).
8. F. Briones and A. Ruiz, J. Cryst. Growth 111, 194. (1991).
9. Y. Nakata, K. Mukai, N. Ohtsuka, M. Sugawara, H. Ishikawa, and N. Yokoyama, J. Cryst. Growth 208, 93 (2000).
10. P. B. Joyce, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, T. S. Jones, E. C. Le Ru, and R. Murray, Phys. Rev. B 64, 235317 (2001).
11. I. Mukhametzhanov, R. Heitz, J. Zheng, P. Chen, and A. Madhukar, Appl. Phys. Lett. 73, 1841 (1998).
12. E. C. Le Ru, P. Howe, T. S. Jones, and R. Murray, Phys. Rev. B 67, 165303 (2003).
13. I. Daruka and A. L. Barabasi, Phys. Rev. Lett. 79, 3708 (1997).
14. J. S. Wang, J. F. Chen, J. L. Huang, P. Y. Wang, and X. J. Guo, Appl. Phys. Lett. 77, 3027 (2000).
15. C. Walther, J. Bollmann, H. Kissel, H. Kirmse, W. Neumann, and W. T. Masselink, Appl. Phys. Lett. 76, 2916 (2000).
16. S. W. Lin, C. Balocco, M. Missou, A. R. Peaker, and M. Song, Phys. Rev. B 72, 165302 (2005).
17. M. Colocci, F. Bogani, L. Carraresi, R. Mattolini, A. Bosacchi, S. Franchi, P. Frigeri, M. Rosa-Clot, and S. Taddei, Appl. Phys. Lett. 70, 3140 (1997).
18. C. Bocchi and C. Ferrari, J. Phys. D 28, A164 (1995).
19. J. M. Garcia, J. P. Silveira, and F. Briones, Appl. Phys. Lett. 77, 409 (2000).
20. P. Howe, E. C. Le Ru, E. Clarke, R. Murray, and T. S. Jones, J. Appl. Phys. 98, 113511 (2005).
21. J. M. Garcia, G. Medeiros-Ribeiro, K. Schmidt, T. Ngo, J. L. Feng, A. Lorke, J. Kotthaus, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 71, 2014 (1997).
22. I. Daruka, J. Tersoff, and A. L. Barabási, Phys. Rev. Lett. 82, 2753 (1999).
23. H. Saito, K. Nishi, and S. Sugou, Appl. Phys. Lett. 74, 1224 (1999).
24. G. Costantini, C. Manzano, R. Songmuang, O. G. Schmidt, and K. Kern, Appl. Phys. Lett. 82, 3194 (2003).
25. V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, and D. Bimberg, Phys. Rev. Lett. 75, 2968 (1995).
26. F. Patella, M. Fanfoni, F. Arciprete, S. Nufris, E. Placidi, and A. Balzarotti, Appl. Phys. Lett. 78, 320 (2001).
27. B. A. Fox and W. A. Jesser, J. Appl. Phys. 68, 2739 (1990).
28. N. Y. Jin-Phillipp and F. Phillipp, J. Microsc. 194, 161 (1998).
29. Y. Chen, X. W. Lin, Z. Lilienthal-Weber, J. Washburn, J. F. Klem, and J. Y. Tsao, Appl. Phys. Lett. 68, 111 (1996).
30. J. Zou, X. Z. Liao, D. J. H. Cockayne, and Z. M. Jiang, Appl. Phys. Lett. 81, 1996 (2002).
31. O. Ueda, Y. Nakata, and S. Muto, Proceedings of the Tenth International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IEEE, Piscataway, NJ, 1998, p. 773.
32. K. Shiramine, Y. Horisaki, D. Suzuki, S. Itoh, Y. Ebiko, S. Muto, Y. Nakata, and N. Yokoyama, J. Cryst. Growth 205, 461 (1999).
33. K. Sears, J. Wong-Leung, H. H. Tan, and C. Jagadish, J. Appl. Phys. 99, 113503 (2006).
34. L. Brusaferri, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, A. Bignazzi, F. Bogani, L. Carraresi, M. Colocci, A. Bosacchi, P. Frigeri, and S. Franchi, Appl. Phys. Lett. 69, 3354 (1996).
35. M. J. da Silva, A. A. Quivy, P. P. González-Borrero, E. Marega, Jr., and J. R. Leite, J. Cryst. Growth 241, 19 (2002).
36. F. Arciprete, E. Placidi, V. Sessi, M. Fanfoni, F. Patella, and A. Balzarotti, Appl. Phys. Lett. 89, 041904 (1996).
37. P. Krispin, J. L. Lazzari, and H. Kostial, J. Appl. Phys. 84, 6135 (1998).
38. C. R. Moon, B. D. Choe, S. D. Kwon, and H. Lim, Appl. Phys. Lett. 72, 1196 (1998).
39. E. Gombia, R. Mosca, P. Frigeri, S. Franchi, S. Amighetti, and C. Ghezzi, Mater. Sci. Eng., B 91, 393 (2002).
40. J. F. Chen, R. S. Hsiao, Y. P. Chen, J. S. Wang, and J. Y. Chi, Appl. Phys. Lett. 87, 141911 (2005).
41. M. Kaniewska, O. Engström, A. Barcz, and M. Pacholak-Cybulska, Mater. Sci. Eng., C 26, 871 (2006).
42. M. Kaniewska, O. Engström, A. Barcz, and M. Pacholak-Cybulska, Mater. Sci. Semicond. Process. 9, 36 (2006).
43. T. Wosinski, J. Appl. Phys. 65, 1566 (1989).