Analysis of interface states in LaSixOy, metal-insulator-semiconductor structures

Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

Volumn 46, Issue 10 A, 2007, Pages 6480-6488

  Inoue, Naoya ^a,b   Lichtenwalner, Daniel J ^a   Jur, Jesse S ^a   Kingon, Angus I ^a  

^a North Carolina State University   (United States)

^b NEC CORPORATION   (Japan)

Author keywords

Fixed charge; High k dielectric; Interface state; Lanthanum silicate; MOS capacitor

Indexed keywords

CHARGE DENSITY; ELECTRIC VARIABLES MEASUREMENT; EXCITED STATES; LANTHANUM COMPOUNDS; MOS CAPACITORS;

FIXED CHARGES; HIGH-K DIELECTRIC; INTERFACE STATES; LANTHANUM SILICATE;

MISFET DEVICES;

EID: 35348869151     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.46.6480     Document Type: Article

References (42)

1. C.-S. Kuo, J.-F. Hsu, S.-W. Huang, L.-S. Lee, M.-J. Tsai, and J.-G. Hwu: IEEE Trans. Electron Devices 51 (2004) 854.
2. W. Qi, R. Nieh, B. H. Lee, L. Kang, Y. Jeon, K. Onishi, T. Ngai, S. Banerjee, and J. C. Lee: IEDM Tech. Dig., 1999, p. 145.
3. C. H. Lee, Y. H. Kim, H. F. Luan, S. J. Lee, T. S. Jeon, W. P. Bai, and D. L. Kwong: Proc. VLSI Symp. Technology, 2001, p. 137.
4. B. H. Lee, L. Kang, R. Nieh, W.-J. Qi, and J. C. Lee: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 1926.
5. Y. H. Wu, M. Y. Yang, A. Chin, W. J. Chen, and C. M. Kwei: IEEE Electron Device Lett. 21 (2000) 341.
6. Y. Kim, K. Miyauchi, S. Ohmi, K. Tsutsui, and H. Iwai: Microelectron. J. 36 (2005) 41.
7. C. H. Choi, S. J. Rhee, T. S. Jeon, N. Lu, J. H. Sim, R. Clark, M. Niwa, and D. L. Kwong: IEDM. Tech Dig., 2002, p. 857.
8. C. S. Kang, H. J. Cho, K. Onishi, R. Choi, Y. H. Kim, R. Nieh, J. Han, S. Krishnan, A. Shahriar, and J. C. Lee: IEDM Tech. Dig., 2002, p. 865.
9. H. Y. Yu, J. F. Kang, C. Ren, J. D. Chen, Y. T. Hou, C. Shen, M. F. Li, D. S. H. Chan, K. L. Bera, C. H. Tung, and D.-L. Kwong: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 70.
10. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony: J. Appl. Phys. 87 (2000) 484.
11. D. J. Lichtenwalner, J. S. Jur, A. I. Kingon, M. P. Agustin, Y. Yang, S. Stemmer, L. V. Goncharova, T. Gustafsson, and E. Garfunkel: J. Appl. Phys. 98 (2005) 024314.
12. H. Y. Yua, M. F. Li, and D. L. Kwong: Thin Solid Films 462-463 (2004) 110.
13. A. Dimoulas, G. Vellianitis, G. Mavrou, G. Apostolopoulos, A. Travlos, C. Wiemer, M. Fanciulli, and Z. M. Rittersma: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 3205.
14. A. I. Kingon, J.-P. Maria, and S. K. Streiffer: Nature 406 (2000) 1032.
15. J. Robertson: J. Vac. Sci. Technol. B 18 (2000) 1785.
16. X. Wu, D. Landheer, T. Quance, M. J. Graham, and G. A. Botton: Appl. Surf. Sci. 200 (2002) 15.
17. J.-P. Maria, D. Wicaksana, A. I. Kingon, B. Busch, H. Schulte, E. Garfunkel, and T. Gustafsson: J. Appl. Phys. 90 (2001) 3476.
18. H. N. Alshareef, M. Quevedo-Lopez, H. C. Wen, R. Harris, P. Kirsch, P. Majhi, B. H. Lee, R. Jammy, D. J. Lichtenwalner, J. S. Jur, and A. I. Kingon: Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 232103.
19. S. A. Campbell, D. C. Gilmer, X.-C. Wang, M.-T. Hsieh, H.-S. Kim, W. L. Gladfelter, and J. Yan: IEEE Trans. Electron Devices 44 (1997) 104.
20. M. V. Fischetti, D. A. Neumayer, and E. A. Cartier: J. Appl. Phys. 90 (2001) 4587.
21. T. Yamaguchi, H. Satake, N. Fukushima, and A. Toriumi: IEDM Tech. Dig., 2000, p. 19.
22. L. Truong, Y. G. Fedorento, V. V. Afanasev, and A. Stesmans: Microelectron. Reliab. 45 (2005) 823.
23. J. P. Han, E. M. Vogel, E. P. Gusev, C. D'Emic, C. A. Richter, D. W. Heh, and J. S. Suehle: IEEE Electron Device Lett. 25 (2004) 126.
24. Y. Lu, O. Buiu, S. Hall, and P. K. Hurley: Microelectron. Reliab. 45 (2005) 965.
25. E. J. Preisler, S. Guha, M. Copel, N. A. Bojarczuk, M. C. Reuter, and E. Gusev: Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 6230.
26. F. P. Heiman and G. Warfield: IEEE Trans. Electron Devices 12 (1965) 167.
27. P. Masson, J.-L. Autran, M. Houssa, X. Garros, and C. Leroux: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 3392.
28. G. Apostolopoulos, G. Vellianitis, A. Dimoulas, J. C. Hooker, and T. Conard: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 260.
29. J. Hauser: CVC program. V5.0 (NCSU Software, North Carolina State University: Department of Electrical and Computer Engineering, Raleigh, NC, 2000).
30. E. H. Nicollian and J. R. Brews: MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (Wiley, New York, 1982) p. 307.
31. E. H. Nicollian and J. R. Brews: MOS (Metal Oxide Semiconductor) Physics and Technology (Wiley, New York, 1982) p. 822.
32. E. H. Nicollian and A. Goetzberger: Bell Syst. Tech. J. 46 (1967) 1055.
33. C. G. B. Garrett and W. H. Brattain: Phys. Rev. 99 (1955) 376.
34. Y. Y. Fan, R. E. Nieh, J. C. Lee, G. Lucovsky, G. A. Brown, L. F. Register, and S. K. Banerjee: IEEE Trans. Electron Devices 49 (2002) 1969.
35. P. K. Hurley, B. J. O'Sullivan, V. V. Afanas'ev, and A. Stesmans: Electrochem. Solid-State Lett. 8 (2005) G44.
36. A. Stesmans and V. V. Afanas'ev: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 4074.
37. S. Mudanai, F. Li, S. B. Samavedam, P. J. Tobin, C. S. Kang, R. Nieh, J. C. Lee, L. F. Register, and K. Banerjee: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 728.
38. CRC Handbook of Chemistry and Physics (CRC Pres, Boca Raton, FL, 2004-2005) 85th ed., p. 12.
39. B. J. O'Sullivan, P. K. Hurley, E. O'Connor, M. Modreanu, H. Roussel, C. Jimenez, C. Dubourdieu, M. Audier, and J. P. Senateur: J. Electrochem, Soc. 151 (2004) G493.
40. A. Y. Kang, P. M. Lenahan, J. F. Conley, Jr., and R. Solanki: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 1128.
41. D. J. Lichtenwalner, J. S. Jur, R. Jha, N. Inoue, B. Chen, V. Misra, and A. I. Kingon: J. Electrochem. Soc. 153 (2006) F210.
42. J. S. Jur, D. J. Lichtenwalner, N. Inoue, and A. I. Kingon: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 917E (2006) E10-03.