Progress in the growth of nonpolar gallium nitride

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 244, Issue 8, 2007, Pages 2847-2858

  Haskell, B A ^a,b   Nakamura, S ^a   DenBaars, S P ^a   Speck, J S ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b Inlustra Technologies LLC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 34547800742     PISSN: 03701972     EISSN: 15213951     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.200675625     Document Type: Review

References (58)

1. T. Nishida and N. Kobayashi, phys. stat. sol. (a) 188(1), 113 (2001).
2. S. Nakamura, G. Fasol, and S. J. Pearton, The Blue Laser Diode (Springer, New York, 2000).
3. L. F. Eastman and U. K. Mishra, IEEE Spectrum 39(5), 28 (2002).
4. T. Deguchi, K. Sekiguchi, A. Nakamura, T. Sota, R. Matsuo, S. Chichibu, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 38(8B), L914 (1999).
5. P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, M. Ramsteiner, M. Reiche, and K. H. Ploog, Nature 406, 865 (2000).
6. H. P. Maruska, L. J. Anderson, and D. A. Stevenson, J. Electrochem. Soc. 121, 1202 (1974).
7. M. Sano and M. Aoki, Jpn. J. Appl. Phys. 15(10), 1943 (1976).
8. A. Shintani and S. Minagawa, J. Electrochem. Soc. 123(10), 1575 (1976).
9. R. Madar, D. Michel, G. Jacob, and M. Boulou, J. Cryst. Growth 40, 239 (1977).
10. T. Sasaki and S. Zembutsu, J. Appl. Phys. 61(7), 2533 (1987).
11. T. Lei, K. F. Ludwig, Jr., and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 74(7), 4430 (1993).
12. W. A. Melton and J. I. Pankove, J. Cryst. Growth 178, 168 (1997).
13. R. J. Molnar, Hydride Vapor Phase Epitaxial Growth of III-V Nitrides, in: Gallium Nitride (GaN) II, Semi-conductors and Semimetals, Vol. 57 (Academic Press, New York, 1999), pp. 1-31.
14. C. Chen, V. Adivarahan, J. Yang, M. Shatalov, E. Kuokstis, and M. A. Khan, Jpn. J. Appl. Phys. 42(9A), L1039 (2003).
15. A. Chitnis, C. C. Chen, V. Adivarahan, M. Shatalov, E. Kuokstis, V. Mandavilli, J. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 84(18), 3663 (2004).
16. A. Chakraborty, B. A. Haskell, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 85(22), 5143 (2004).
17. A. Chakraborty, B. A. Haskell, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and U. K. Mishra, Jpn. J. Appl. Phys. 44(5), L173 (2005).
18. M. Schmidt, K. C. Kim, H. Sato, N. Fellows, H. Masui, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Jpn. J. Appl. Phys. 46(7), L126 (2007).
19. H. Masui, A. Chakraborty, B. A. Haskell, U. K. Mishra, J. S. Speck, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Jpn. J. Appl. Phys. 44(43), L1329 (2005).
20. N. F. Gardner, J. C. Kim, J. J. Wierer, Y. C. Shen, and M. R. Krames, Appl. Phys. Lett. 86, 111101 (2005).
21. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81(3), 469 (2002).
22. B. A. Haskell, F. Wu, S. Matsuda, M. D. Craven, P. T. Fini, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and Shuji Nakamura, Appl. Phys. Lett. 83(8), 1554 (2003).
23. B. A. Haskell, Structure of Nonpolar Gallium Nitride Films Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy, Ph.D. Dissertation, University of California, Santa Barbara (June 2005).
24. H. P. Maruska, D. W. Hill, M. M. C. Chou, J. J. Gallagher, and B. Chai, Opto-Electron. Rev. 11, 7 (2003).
25. E. S. Hellman, Z. Liliental-Weber, and D. N. E. Buchanan, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 30 (1997).
26. B. A. Haskell, A. Chakraborty, F. Wu, H. Sasano, P. T. Fini, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and Shuji Nakamura, J. Electron. Mater. 34(4), 357 (2005).
27. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka, and N. Yamada, Appl. Phys. Lett. 73(12), 1691 (1998).
28. I. Jin Seo, H. Kollmer, J. Off, A. Sohmer, F. Scholz, and A. Hangleiter, Phys. Rev. B 57(16), R9435 (1998).
29. R. Langer, J. Simon, V. Ortiz, N. T. Pelekanos, A. Barski, R. Andre, and M. Godlewski, Appl. Phys. Lett. 74(25), 3827 (1999).
30. P. Lefebvre, J. Allegre, B. Gil, H. Mathieu, N. Grandjean, M. Leroux, J. Massies, and P. Bigenwald, Phys. Rev. B 59(23), 15363 (1999).
31. P. Lefebvre, A. Morel, M. Gallart, T. Taliercio, J. Allegre, B. Gil, H. Mathieu, B. Damilano, N. Grandjean, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 78(9), 1252 (2001).
32. C. R. Eddy, Jr., T. D. Mouistakas, and J. Scanlon, J. Appl. Phys. 73(1), 448 (1992).
33. M. D. Craven, F. Wu, A. Chakraborty, B. Imer, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 84(8), 1281 (2004).
34. Y. J. Sun, O. Brandt, and K. H. Ploog, J. Vac. Sci. Technol. B 21(4), 1350 (2003).
35. S. J. Beckerman, R. B. Ford, and M. T. Nemeth, Powder Diffr. 11(4), 312 (1996).
36. J. W. Lee, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, R. G. Wilson, B. L. Chai, F. Ren, and J. M. Zavada, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 1041 (1997).
37. B. A. Haskell, M. B. McLaurin, J. S. Speck, and S. Nakamura, unpublished (2004).
38. M. B. McLaurin and J. S. Speck, unpublished (2004).
39. B. A. Haskell, T. J. Baker, M. B. McLaurin, F. Wu, P. T. Fini, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 86, 111917 (2005).
40. O. Brandt, Y. J. Sun, L. Däweritz, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 69, 165326 (2004).
41. Z. Liliental-Weber, J. Jasinshi, and D. N. Zakharov, Optoelectron. Rev. 12(4), 339 (2004).
42. C. Stampfl and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 75(24), 15052 (1998).
43. Y. J. Sun, O. Brandt, U. Jahn, T. Y. Liu, A. Trampert, S. Cronenberg, S. Dhar, and K. H. Ploog, J. Appl. Phys. 92(10), 5714 (2002).
44. R. R. Vanfleet, J. A. Simmons, H. P. Maruska, D. W. Hill, M. M. C. Chou, and B. H. Chai, Appl. Phys. Lett. 83(6), 1139(2003).
45. J. S. Speck and S. J. Rosner, Physica B 273, 24 (1999).
46. S. Nakamura, Science 281, 956 (1998).
47. T. S. Zheleva, N. Ok-Hyun, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71(17), 2472 (1997).
48. N. Ok-Hyun, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71(18), 2638 (1997).
49. H. Marchand, J. P. Ibbetson, P. T. Fini, P. Kozodoy, S. Keller, S. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 3 (1998).
50. H. Marchand, X. H. Wu, J. P. Ibbetson, P. T. Fini, P. Kozodoy, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73(6), 747 (1998).
51. A. Sakai, H. Sunakawa, A. Kimura, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 76(4), 442 (2000).
52. O. Parillaud, V. Wagner, H. Bühlmann, and M. Ilegems, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 40 (1998).
53. G. Nataf, B. Beaumont, A. Bouille, S. Haffouz, M. Vaille, and P. Gibart, J. Cryst. Growth 192, 73 (1998).
54. H. Tsuchiya, K. Sunaba, T. Suemasu, and F. Hasegawa, J. Cryst. Growth 189/190, 395 (1998).
55. M. D. Craven, S. H. Lim, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 81(7), 1201 (2002).
56. B. A. Haskell, F. Wu, M. D. Craven, S. Matsuda, P. T. Fini, T. Fujii, K. Fujito, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and Shuji Nakamura, Appl. Phys. Lett. 83(4), 644 (2003).
57. B. Imer, F. Wu, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 88, 061908 (2006).
58. A. Hirai, B. A. Haskell, M. B. McLaurin, F. Wu, M. C. Schmitt, K. C. Kim, T. J. Baker, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 90, 121119 (2007).