Microstructure of GaN laterally overgrown by metalorganic chemical vapor deposition

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 6, 1998, Pages 747-749

  Marchand, H ^a   Wu, X H ^a   Ibbetson, J P ^a   Fini, P T ^a   Kozodoy, P ^a   Keller, S ^a   Speck, J S ^a   DenBaars, S P ^a   Mishra, U K ^a  

^a University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 21944438486     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121988     Document Type: Article

References (24)

1. See, for example, Y.-F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 19, 50 (1998), and references therein;
2. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser (Springer, Berlin, 1997).
3. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, and Y. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 48, 353 (1986).
4. T. W. Weeks, Jr., M. Bremser, K. Ailey, E. Carlson, W. Perry, E. Piner, N. El Masry, and R. F. Davis, J. Mater. Res. 11, 1011 (1996).
5. S. Keller, B. P. Keller, Y.-F. Wu, B. Heying, D. Kapolnek, J. S. Speck, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 68, 1525 (1996);
6. N. Kuroda, C. Sasaoka, A. Kimura, A. Usui, and Y. Mochizuki, Proceedings of the Second International Conference on Nitride Semiconductors, Tokushima, Japan, 1997, p. 392;
7. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 72, 211 (1998);
8. N. G. Weimann, L. F. Eastman, D. Dharanipal, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 83, 3656 (1998);
9. S. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and W. Seifert, Jpn. J. Appl. Phys. (to be published);
10. B. Heying, E. Tarsa, C. Elsass, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck (unpublished).
11. S. Porowski, Proceedings of the Second International Conference on Nitride Semiconductors, Tokushima, Japan, 1997, p. 430.
12. K. Kato, T. Kusunoki, C. Takenaka, T. Tanahashi, and K. Nakajima, J. Cryst. Growth 115, 174 (1991).
13. B-Y. Tsaur, R. W. McClelland, John C. C. Fan, R. P. Gale, J. P. Salerno, B. A. Vojak, and C. O. Bozler, Appl. Phys. Lett. 41, 347 (1982).
14. D. Pribat, B. Gerard, M. Dupuy, and P. Legagneux, Appl. Phys. Lett. 60, 2144 (1992).
15. D. Kapolnek, S. Keller, R. Vetury, R. D. Underwood, P. Kozodoy, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 71, 1204 (1997).
16. T. S. Zheleva, O.-H. Nam, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2472 (1997).
17. O.-H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
18. H. Marchand, J. P. Ibbetson, P. T. Fini, P. Kozodoy, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 3 (1998).
19. A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai, and A. A. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L899 (1997).
20. A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997).
21. P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. (to be published).
22. B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, W. N. Jiang, Y.-F. Wu, H. Masui, X. H. Wu, B. Heying, J. S. Speck, U. K. Mishra, and S. P. DenBaars, J. Electron. Mater. 24, 1707 (1992).
23. D. Kapolnek, X. H. Wu, B. Heying, S. Keller, B. P. Keller, U. K. Mishra, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 67, 1541 (1995).
24. -2).