Anisotropic fluorocarbon plasma etching of Si/SiGe heterostruetures

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 25, Issue 2, 2007, Pages 404-409

  Ding, R ^a   Klein, L J ^a   Eriksson, M A ^a   Wendt, A E ^a  

^a University of Wisconsin Madison   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANISOTROPIC FLUOROCARBON PLASMA ETCHING; QUANTUM DEVICES;

ANISOTROPY; FLUOROCARBONS; HETEROJUNCTIONS; PASSIVATION;

PLASMA ETCHING;

EID: 34047174868     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.2712199     Document Type: Article

References (41)

1. G. L. Patton, S. S. Iyer, S. L. Delage, S. Tiwari, and J. M. C. Stork, IEEE Electron Device Lett. 9, 165 (1988).
2. B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. 48, 797 (1986).
3. F. Schaffler, Semicond. Sci. Technol. 12, 1515 (1997).
4. L. J. Klein et al., Appl. Phys. Lett. 84, 4047 (2004).
5. L. J. Klein et al., J. Appl. Phys. 99, 023509 (2006).
6. P. A. Cain, H. Ahmed, and D. A. Williams, J. Appl. Phys. 92, 346 (2002).
7. A. Notargiacomo, L. Di Gaspare, G. Scappucci, G. Mariottini, F. Evangelisti, E. Giovine, and R. Leoni, Appl. Phys. Lett. 83, 302 (2003).
8. S. J. Koester, K. Ismail, K. Y. Lee, and J. O. Chu, Phys. Rev. B 54, 10604 (1996).
9. M. M. Roberts, L. J. Klein, D. E. Savage, K. A. Slinker, M. Friesen, G. Celler, M. A. Eriksson, and M. G. Lagally, Nat. Mater. 5, 388 (2006).
10. G. S. Oehrlein, G. M. W. Kroesen, E. Defresart, Y. Zhang, and T. D. Bestwick, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 768 (1991).
11. M. C. Peignon, C. Cardinaud, G. Turban, C. Charles, and R. W. Boswell, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 156 (1996).
12. H. Takeuchi, T. Matsuura, and J. Murota, Appl. Phys. Lett. 77, 1828 (2000).
13. G. S. Oehrlein, Y. Zhang, G. M. W. Kroesen, E. Defresart, and T. D. Bestwick, Appl. Phys. Lett. 58, 2252 (1991).
14. T. D. Bestwick, G. S. Oehrlein, Y. Zhang, G. M. W. Kroesen, and E. Defresart, Appl. Phys. Lett. 59, 336 (1991).
15. Y. Zhang, G. S. Oehrlein, E. Defresart, and J. W. Corbett, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 2492 (1993).
16. S. W. Robey, A. A. Bright, G. S. Oehrlein, S. S. Iyer, and S. L. Delage, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1650 (1988).
17. C. S. Wang, D. Y. Shu, W. Y. Hsieh, and M. J. Tsai, Appl. Surf. Sci. 224, 222 (2004).
18. J. G. Couillard and H. G. Craighead, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 717 (1993).
19. P. K. Swain, D. Misra, and P. E. Thompson, J. Appl. Phys. 79, 4402 (1996).
20. B. Tillack, H. H. Richter, G. Ritter, A. Wolff, G. Morgenstern, and C. Eggs, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 102 (1996).
21. R. G. van Veen, M. J. Teepen, E. van der Drift, T. Zijlstra, E. J. M. Fakkeldij, K. Werner, A. H. Verbruggen, and S. Radelaar, Microelectron. Eng. 35, 55 (1997).
22. T. Koster, B. Hadam, J. Gondermann, B. Spangenberg, H. G. Roskos, H. Kurz, J. Brunner, and G. Abstreiter, Microelectron. Eng. 30, 341 (1996).
23. S. Vallon, C. Monget, O. Joubert, L. Vallier, F. H. Bell, M. Pons, J. L. Regolini, C. Morin, and I. Sagnes, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1874 (1997).
24. C. Monget, A. Schiltz, O. Joubert, L. Vallier, M. Guillemet, and B. Tormen, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1833 (1998).
25. G. K. Herb, in Plasam Etching: An Introduction, edited by D. M. Manos and D. L. Flamm (Academic Press, London, 1989), Chap. 7, p. 425.
26. G. S. Oehrlein and Y. Kurogi, Mater. Sci. Eng., R. 24, 153 (1998).
27. D. L. Flamm and V. M. Donnelly, Plasma Chem. Plasma Process, 1, 315 (1981).
28. T. E. F. M. Standaert, M. Schaepkens, N. R. Rueger, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 239 (1998).
29. D. Zhang and M. J. Kushner, J. Appl. Phys. 87, 1060 (2000).
30. B. Ji, S. A. Motika, P. R. Badowski, S. Dheandhanoo, J. R. Stets, and E. J. Karwacki, Solid State Technol. 48, 45 (2005).
31. S. B. Wang and A. E. Wendt, J. Appl. Phys. 88, 643 (2000).
32. T. R. Hayes, P. A. Heimann, V. M. Donnelly, and K. E. Strege, Appl. Phys. Lett. 57, 2817 (1990).
33. M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (Wiley, New York, 1994), p. 20, 97, and 347.
34. A. D. Kuypers and H. J. Hopman, J. Appl. Phys. 67, 1229 (1990).
35. S. B. Wang and A. E. Wendt, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 2425 (2001).
36. R. Silapunt, A. E. Wendt, K. Kirmse, and L. P. Losey, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 826 (2004).
37. S. B. Wang, Ph.D. thesis, University of Wisconsin-Madison, 1999.
38. D. Zhang and M. J. Kushner. J. Vac. Sci. Technol. A 19, 524 (2001).
39. G. Smolinsky and D. L. Flamm, J. Appl. Phys. 50, 4982 (1979).
40. K. Teii, M. Hori, M. Ito, T. Goto, and N. Ishii, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1 (2000).
41. Y. Koval, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 843 (2004).