Mobility of electrons in a AlGaN/GaN QW: Effect of temperature, applied field, surface roughness and well width

Physica Status Solidi (B) Basic Research

Volumn 242, Issue 14, 2005, Pages 2872-2884

  Yarar, Z ^a,b   Ozdemir, Berrin ^b   Ozdemir, Metin ^b  

^a MERSIN UNIVERSITY   (Turkey)

^b CUKUROVA UNIVERSITY   (Turkey)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 28044461466     PISSN: 03701972     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssb.200540093     Document Type: Article

References (62)

1. Y. C. Yeo, T. C. Chong, and M. F. Li, J. Appl. Phys. 83, 1429 (1998).
2. W. J. Fan, M. F. Li, T. C. Chong, and J. B. Xia, J. Appl. Phys. 79, 188 (1990).
3. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 89, 5816 (2001).
4. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003).
5. L. Esaki and R. Tsui, IBM Research Center, Internal Research Report No. RC2418 (1969).
6. R. Dingle, H. L. Störmer, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett. 33, 665 (1978).
7. S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. V. Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
8. V. W. L. Chin, T. L. Tansley, and T. Osotchan, J. Appl. Phys. 75, 7365 (1994).
9. U. V. Bhapkar and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 82, 1649 (1997).
10. J. D. Albrecht, R. P. Wang, P. P. Ruden, M. Farahmand, and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 83, 1446 (1998).
11. S. K. O'Leary, B. E. Foutz, M. S. Shur, U. V. Bhapkar, and F. Eastman, Solid State Commun. 105, 621 (1998).
12. M. S. Shur, Solid-State Electron. 42, 2131 (1998).
13. M. S. Krishnan, N. Goldsman, and A. Christou, J. Appl. Phys. 83, 5896 (1998).
14. B. E. Foutz, S. K. O'Leary, M. S. Shur, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 85, 7727 (1999).
15. B. K. Ridley, phys. stat. sol. (a) 176, 359 (1999).
16. M. Farahmand, C. Garetto, E. Bellotti, K. F. Brennan, M. Goano, E. Ghillino, G. Ghione, J. D. Albrecht, and P. P. Ruden, IEEE Trans. Electron Devices 48, 535 (2001).
17. A. F. M. Anwar, S. Wu, and R. T. Webster, IEEE Trans. Electron Devices 48, 567 (2001).
18. L. Hsu and W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 73, 339 (1998).
19. N. Maeda, T. Nishida, N. Kobayashi, and M. Tomizawa, Appl. Phys. Lett. 73, 1856 (1998).
20. Y. Zhang and J. Singh, J. Appl. Phys. 85, 587 (1999).
21. I. P. Smorchkova C. R. Elsass, J. P. Ibbetson, R. Vetury, B. Heying, P. Fini, E. Haus, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
22. N. Maeda, T. Saitoh, K. Tsubaki, T. Nishida, and N. Kobayashi, phys. stat. sol. (b) 216, 727 (1999).
23. Y. Zhang, I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, S. Keller, J. P. Ibbetson, S. Denbaars, U. K. Mishra and J. Singh, J. Appl. Phys. 87, 7981 (2000).
24. N. Maeda, T. Saitoh, K. Tsubaki, and T. Nishida, Appl. Phys. Lett. 76, 3118 (2000).
25. O. Ambacher, B. Foutz, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, A. J. Sierakowski, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 87, 334 (2000).
26. A. Khan, A. Bhattarai, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993).
27. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
28. F. Stengel, S. N. Mohammad, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 80, 3031 (1996).
29. Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 69, 1438 (1996).
30. R. Oberhuber, G. Zandler, and P. Vogl, Appl. Phys. Lett. 73, 818 (1998).
31. X. Z. Dang, P. M. Asbeck, E. T. Yu, G. J. Sullivan, M. Y. Chen, B. T. McDermott, K. S. Boutros, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 74, 3890 (1999).
32. E. Frayssinet, W. Knap, P. Lorenzini, N. Grandjean, J. Massies, C. Skierbiszewski, T. Suski, I. Grzegory, S. Porowski, G. Simin, X. Hu, M. A. Khan, M. S. Shur, R. Gaska, and D. Maude, Appl. Phys. Lett. 77, 2551 (2000).
33. T. Li, R. P. Joshi, and C. Fazi, J. Appl. Phys. 88, 829 (2000).
34. N. Maeda, K. Tsubaki, T. Saitoh, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 79, 1634 (2001).
35. Y. Zhang and J. Singh, J. Appl. Phys. 89, 386 (2001).
36. T.-H. Yu and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 89, 3827 (2001).
37. T.-H. Yu and K. F. Brennan, J. Appl. Phys. 91, 3730 (2002).
38. M. Zervos, A. Kostopoulos, G. Constantinidis, M. Kayambaki, and A. Georgakilas, J. Appl. Phys. 91, 4387 (2002).
39. B. Jogai, J. Appl. Phys. 93, 1631 (2003).
40. S. Gökden, phys. stat. sol. (a) 200, 369 (2003).
41. G. Bastard, Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures (New York, Halsted Press, 1988).
42. G. Martin, A. Bothchkarev, A. Rockett, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996).
43. W. H. Press, B. P. Flannery, S. A. Teukolsky, and W. T. Vetterling, Numerical Recipes: The Art of Scientific Computing (Cambridge, Cambridge University Press, 1986).
44. H. Tan, G. L. Snider, L. D. Chang, and E. L. Hu, J. Appl. Phys. 68, 4071 (1990).
45. M. Goano, Solid-State Electron. 36, 217 (1993).
46. M. Goano, Trans. Math. Softw. 21, 221 (1995).
47. A. Trellakis, T. Galick, A. Pacelli, and U. Ravaioli, J. Appl. Phys. 81, 7880 (1997).
48. W. Walukiewicz, H. E. Ruda, J. Lagowski, and H. C. Gatos, Phys. Rev. B 30, 4571 (1984).
49. K. Yokoyama and K. Hess, Phys. Rev. B 33, 5595 (1986).
50. P. Harrison, Quantum Wells, Wires and Dots (John-Wiley Sons, England, 2000).
51. T. Ando, A. B. Fowler, and F. Stern, Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982).
52. T. Ando, J. Phys. Soc. Jpn. 51, 3900 (1982).
53. H. Sakaki, T. Noda, K. Hirakawa, M. Tanaka, and T. Matsusue, Appl. Phys. Lett. 51, 1934 (1987).
54. S. Yamakawa, H. Ueno, K. Taniguchi, C. Hamaguchi, K. Miyatsuji, K. Masaki, and U. Ravaioli, J. Appl. Phys. 79, 911 (1996).
55. F. Gamiz, J. B. Roldan, J. A. Lopez-Villanueva, P. Cartujo-Cassinello, and J. E. Carceller, J. Appl. Phys. 86, 6854 (1999).
56. C. Bulutay, B. K. Ridley, and N. A. Zakleniuk, Phys. Rev. B 62, 1575 (2000).
57. C. Bulutay, B. K. Ridley, and N. A. Zakleniuk, Appl. Phys. Lett. 77, 2707 (2000).
58. K. Tomizawa, Numerical Simulation of Submicron Semiconductor Devices (Artech House Inc., Japan, 1993).
59. M. Shur, B. Gelmont, and M. A. Khan, J. Electron. Mater. 25, 777 (1996).
60. J. Kolnik, I. H. Oguzman, K. F. Brennan, R. Wang, P. P. Ruden, and Y. Wang, J. Appl. Phys. 78, 1033 (1995).
61. S. N. Mohammad and H. Morkoç, Prog. Quantum Electron. 20, 361 (1996).
62. http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/GaN/basic.html, http://nina.ecse.rpi.edu/shur/nitride.htm#Lei.