Monte Carlo studies of two dimensional transport in GaN/AlGaN transistors: Comparison with transport in AlGaAs/GaAs channels

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 1, 2001, Pages 386-389

  Zhang, Yifei ^a   Singh, Jasprit ^b  

^a UNIVERSITY OF MICHIGAN   (United States)

^b University of Michigan   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0042564897     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1324998     Document Type: Review

References (24)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1332 (1995); S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 3034 (1996).
2. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 34, L1332 (1995); S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimoto, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 3034 (1996).
3. G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, H. S. Kong, H. M. Dieringer, J. A. Edmond, J. D. Brown, J. T. Swindell, and J. F. Schetzena, Electron. Lett. 33, 1556 (1997).
4. M. P. Mack, A. Abare, M. Aizcorbe, P. Kozodoy, S. Keller, U. K. Mishra, L. Coldren, and S. DenBaars, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 2, 41 (1997).
5. A. Kuramata, K. Domen, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota, and T. Tanahashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1130 (1997).
6. O. Aktas, Z. F. Fan, A. Botchkarev, S. N. Mohammad, M. Roth, T. Jenkins, L. Kehias, and H. Morkoc, IEEE Electron Device Lett. 18, 293 (1997).
7. M. S. Shur and M. A. Kahn, MRS Bull. 22, 44 (1997).
8. W. F. Wu, S. Keller, P. Kozodoy, B. P. Keller, P. Parikh, D. Kapolnek, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 290 (1997).
9. U. K. Mishra, Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, and S. P. DenBaars, IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 46, 756 (1998).
10. R. Dimitrov, L. Wittmer, H. P. Felsl, A. Mitchell, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Phys. Status Solidi A 168, R7 (1998).
11. C.-H. Chen, K. Krishnamurthy, S. Keller, G. Parish, M. Rodwell, U. K. Mishra, and Y.-F. Wu, Electron. Lett. 35, 933 (1999).
12. Y.-F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, N. X. Nguyen, M. Le, C. Nguyen, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. Denbaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 438 (1997).
13. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. Dermott, J. A. Higgins, J. Burm, W. Schaff, and L. F. Eastman, Electron. Lett. 32, 357 (1996).
14. M. A. Khan, Q. Chen, J. W. Yang, M. S. Shur, B. T. Dermott, and J. A. Higgins, IEEE Electron Device Lett. 17, 325 (1996).
15. S. Nakajima, M. Yanagisawa, and E. Tsumura, IEEE Trans. Electron Devices 46, 38 (1999).
16. Y. Zhang and J. Singh, J. Appl. Phys. 85, 587 (1999).
17. S. Mori and T. Ando, Phys. Rev. B 19, 6433 (1979).
18. E. Yamaguchi, J. Appl. Phys. 56, 1722 (1984).
19. J. Lee, H. N. Spector, and V. K. Arora, J. Appl. Phys. 54, 6995 (1983).
20. P. J. Price, Ann. Phys. (N.Y.) 133, 217 (1981); F. A. Riddoch and B. K. Ridley, J. Phys. C 16, 6971 (1983).
21. P. J. Price, Ann. Phys. (N.Y.) 133, 217 (1981); F. A. Riddoch and B. K. Ridley, J. Phys. C 16, 6971 (1983).
22. K. Yokoyama and K. Hess, Phys. Rev. B 33, 5595 (1986); K. Hess, Appl. Phys. Lett. 35, 484 (1979).
23. K. Yokoyama and K. Hess, Phys. Rev. B 33, 5595 (1986); K. Hess, Appl. Phys. Lett. 35, 484 (1979).
24. W. Fawcett, A. D. Boardman, and S. Swain, J. Phys. Chem. Solids 31, 1963 (1970).