High electron mobility in AlGaN/GaN heterostructures grown on bulk GaN substrates

Applied Physics Letters

Volumn 77, Issue 16, 2000, Pages 2551-2553

  Frayssinet, E ^a,b   Knap, W ^b,c   Lorenzini, P ^d   Grandjean, N ^d   Massies, J ^d   Skierbiszewski, C ^a   Suski, T ^a   Grzegory, I ^a   Porowski, S ^a   Simin, G ^e   Hu, X ^e   Khan, M Asif ^e   Shur, M S ^c   Gaska, R ^c   Maude, D ^b  

^a INSTITUTE OF HIGH PRESSURE PHYSICS   (Poland)

^b CNRS   (France)

^c RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE   (United States)

^d CRHEA CNRS   (France)

^e UNIVERSITY OF SOUTH CAROLINA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001357669     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1318236     Document Type: Article

References (15)

1. M. Asif Khan, J. N. Kuznia, J. M. Van Hove, N. Pan, and J. Carter, Appl. Phys. Lett. 60, 3027 (1992).
2. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
3. R. Gaska, J. W. Wang, A. Osinsky, Q. Chen, M. Asif Khan, A. O. Orlov, G. L. Snider, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 72, 707 (1998).
4. I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, J. P. Ibbetson, R. Vetury, B. Heying, P. Fini, E. Haus, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
5. C. Youtsey, L. T. Romano, R. J. Molnar, and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 73, 3537 (1999).
6. D. Jena, A. C. Gossard, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 76, 1707 (2000).
7. S. Porowski, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G1.3 (1999).
8. M. Leszczynski, B. Beaumont, E. Frayssinet, W. Knap, P. Prystawko, T. Suski, I. Grzegory, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett. 75, 1 (1999).
9. G. Steude, T. Christmann, B. K. Meyer, A. Goeldner, A. Hoffmann, F. Bertram, J. Christen, H. Amano, and I. Akasaki, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G3.26 (1999).
10. N. Grandjean, B. Damilano, S. Dalmasso, M. Leroux, M. Laügt, and J. Massies, J. Appl. Phys. 86, 3714 (1999).
11. W. Knap, E. Frayssinet, M. L. Sadowski., C. Skierbiszewski, D. Maude, V. Falko, M. Asif Khan, and M. Shur, Appl. Phys. Lett. 75, 3156 (1999).
12. S. Contreras, W. Knap, E. Frayssinet, M. L. Sadowski, M. Goiran, and M. Shur, J. Appl. Phys. (submitted).
13. P. T. Coldridge, Phys. Rev. B 44, 3793 (1991).
14. W. Knap, S. Contreras, H. Alause, C. Skierbiszewski, J. Camassel, M. Dyakonov, J. L. Robert, J. Yang, Q. Chen, M. Asif Khan, M. L. Sadowski, S Huant, F. H. Yang, M. Goiran, J. Leotin, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 70, 2123 (1997).
15. M. S. Shur, B. Belmont, and M. A. Khan, J. Electron. Mater. 25, 777 (1996).